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激光诱导击穿光谱及其在元素分析中的应用 被引量：11
1
作者 季振国 李铁强 +1 位作者 席俊华 毛启楠 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期455-460,428,共7页
激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中。利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景。本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的... 激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中。利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景。本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的应用,研究内容涉及固体样品、液体样品、气体样品、微量杂质分析和成分深度剖析等,并分析了基体效应、自吸收效应、测量时间、环境气体、激光参数等对激光诱导击穿光谱分析结果的影响。 展开更多
关键词 激光诱导击穿光谱 激光 紫外-可见光谱 元素检测
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下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响 被引量：5
2
作者 李红霞 陈雪平 +3 位作者 陈琪 毛启楠 席俊华 季振国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期392-397,共6页
本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的... 本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导,而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流.不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响,并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 电阻开关 下电极
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Bi_2O_3薄膜的制备及其电阻开关特性的研究 被引量：3
3
作者 季振国 王君杰 +1 位作者 毛启楠 席俊华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期323-326,共4页
电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜,并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究.XRD分析结果表明,射... 电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜,并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究.XRD分析结果表明,射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好,(201)取向明显.I-V曲线测试结果表明,Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性.通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构I-V特性比较发现,随着薄膜厚度的增加,电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加.对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构,其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4 V,符合存储器低电压工作的要求. 展开更多
关键词 Bi2O3薄膜 电阻开关特性 薄膜厚度
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外置式电感耦合化学气相沉积法低温制备SiO_2薄膜 被引量：3
4
作者 席俊华 刘永强 +1 位作者 杨凌霞 季振国 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期84-87,83,共5页
设计了一种外置式电感耦合等离子增强化学气相沉积装置,并利用该装置在n型硅片上低温沉积了SiO2薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)等对生长的薄膜进行表征。SEM测试结果表明,利用该装置沉积的SiO2薄膜表面平整... 设计了一种外置式电感耦合等离子增强化学气相沉积装置,并利用该装置在n型硅片上低温沉积了SiO2薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)等对生长的薄膜进行表征。SEM测试结果表明,利用该装置沉积的SiO2薄膜表面平整,薄膜均匀性好;根据FTIR图中Si-O峰的横向与纵向光学声子吸收峰的分析发现,沉积功率越大,薄膜越疏松;等离子体区域内不同位置沉积的薄膜均匀,能够用于大规模、大面积的工业生产。此外,为了方便地获知SiO2薄膜的厚度,我们推导出了50W的功率下,薄膜厚度随沉积温度、沉积时间变化的经验公式。 展开更多
关键词 二氧化硅薄膜 电感耦合 等离子增强化学气相沉积
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退火温度对TiO_2基电阻开关器件性能的影响 被引量：2
5
作者 李红霞 季振国 席俊华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1063-1067,共5页
采用直流磁控溅射法在n+-Si上制备了TiO2薄膜,采用电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au电极,获得了Au/TiO2/n+-Si结构的器件.研究了退火温度对薄膜结晶性能及器件电阻开关特性的影响.Au/TiO2/n+-Si结构的器件具有单极性电阻开关特性,置... 采用直流磁控溅射法在n+-Si上制备了TiO2薄膜,采用电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au电极,获得了Au/TiO2/n+-Si结构的器件.研究了退火温度对薄膜结晶性能及器件电阻开关特性的影响.Au/TiO2/n+-Si结构的器件具有单极性电阻开关特性,置位(set)电压,复位(reset)电压、reset电流及功率的大小随退火温度的不同而不同,并基于灯丝理论对器件的电阻开关效应的工作机理进行了探讨.研究结果表明,500℃退火的器件具有良好的非易失性.器件高低阻态的阻值比大于103,其信息保持特性可达10年之久.在读写次数为100次时,器件仍具有电阻开关效应. 展开更多
关键词 TIO2薄膜 电阻开关 退火温度
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