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硅基太赫兹集成电路研究进展 被引量：5
1
作者 孙玲玲 文进才 +2 位作者 刘军 高海军 王翔 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第5期43-48,共6页
太赫兹波处在亚毫米波与远红外光之间,应用于无线通信具有比微波通信更大的传输带宽和传输速率,在大数据无线通信等方面具有巨大的应用潜力。特征频率逐渐达到太赫兹频段的硅基集成电路工艺,为高集成度低成本太赫兹通讯电路的实现提供... 太赫兹波处在亚毫米波与远红外光之间,应用于无线通信具有比微波通信更大的传输带宽和传输速率,在大数据无线通信等方面具有巨大的应用潜力。特征频率逐渐达到太赫兹频段的硅基集成电路工艺,为高集成度低成本太赫兹通讯电路的实现提供了可能。本文综述了近年来硅基太赫兹集成电路的研究进展,论述了硅基太赫兹集成电路设计在有源器件模型、互连结构、电路设计方法等方面面临的挑战,并对硅基太赫兹集成电路的发展趋势进行了讨论。 展开更多
关键词 硅基 太赫兹 集成电路
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一种忆感器模型及其振荡器的动力学特性研究 被引量：5
2
作者 袁方 王光义 靳培培 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第21期214-226,共13页
忆感器是在忆阻器基础上定义的一种新型记忆电路元件.在实际忆感器尚未实现的情况下,为探索忆感器及其在非线性电路中的特性,提出了一种忆感器数学模型和电路模型.基于该模型设计了一个非线性振荡电路,采用理论分析、仿真分析和实验验... 忆感器是在忆阻器基础上定义的一种新型记忆电路元件.在实际忆感器尚未实现的情况下,为探索忆感器及其在非线性电路中的特性,提出了一种忆感器数学模型和电路模型.基于该模型设计了一个非线性振荡电路,采用理论分析、仿真分析和实验验证的方法研究了忆感器模型的特性及其在电路中的动力学规律.分岔分析表明,在适当的参数下忆感器会使电路产生周期和混沌振荡.设计了实现忆感器模型及其振荡器的模拟电路,实验验证了忆感器模型和振荡器的特性,实验结果与理论分析完全一致. 展开更多
关键词 忆感器 振荡器 混沌
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基于晶圆级封装PDK的微带发夹型滤波器设计
3
作者 孙莹 周立彦 +3 位作者 王剑峰 许吉 明雪飞 王波 《电子与封装》 2024年第8期16-20,共5页
基于中国电子科技集团公司第五十八研究所的晶圆级封装工艺及其工艺设计套件(PDK),完成了多款通带范围在20~68 GHz的5阶微带发夹型滤波器的设计和优化。首先,根据平行耦合滤波器的基础理论,计算发夹型滤波器的特征尺寸;其次,调用PDK中... 基于中国电子科技集团公司第五十八研究所的晶圆级封装工艺及其工艺设计套件(PDK),完成了多款通带范围在20~68 GHz的5阶微带发夹型滤波器的设计和优化。首先,根据平行耦合滤波器的基础理论,计算发夹型滤波器的特征尺寸;其次,调用PDK中的衬底和元件模型实现滤波器的快速建模和参数优化;最后,采用多层再布线工艺对设计出的发夹型滤波器进行加工。实测结果和仿真结果具有较高的一致性,验证了该款晶圆级封装PDK的应用价值,能够为无源滤波器集成设计提供新的工具选择。 展开更多
关键词 晶圆级封装 PDK 发夹型滤波器
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一种2μm GaAs HBT低相噪宽带VCO 被引量：3
4
作者 蔡运城 曹军 +2 位作者 赵君鹏 吴凯翔 高海军 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第1期90-94,100,共6页
提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质... 提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质因数超过21,实现了较低的相位噪声。通过二极管组成变容阵列,实现了较宽的调谐范围。流片测试结果表明,VCO调谐范围为3.370~4.147 GHz,最大输出功率为-16.13 dBm,直流功耗为43 mW。在振荡频率为4.1 GHz时,相位噪声为-125.2 dBc/Hz@1 MHz。该VCO在相对较宽的调谐范围内实现了较低的相位噪声。 展开更多
关键词 压控振荡器 电容阵列 Colpitts结构 相位噪声 宽带
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用于北斗接收机的低噪声放大器芯片设计 被引量：2
5
作者 李海鸥 卓锦 +13 位作者 李陈成 李跃 孙堂友 张法碧 刘英博 李玺 高喜 张小文 李琦 傅涛 肖功利 陈永和 岳克强 孙玲玲 《桂林电子科技大学学报》 2020年第1期22-26,共5页
为了满足北斗接收机系统集成化,采用成都海威华芯公司0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款工作在北斗L1频段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用源级串连电感和栅漏端并联负反馈的两级级联电路结... 为了满足北斗接收机系统集成化,采用成都海威华芯公司0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款工作在北斗L1频段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用源级串连电感和栅漏端并联负反馈的两级级联电路结构,实现了低噪声高增益匹配,工作频带为1.5~1.6 GHz,漏极电压3.3 V,工作电流为60 mA时,芯片测试结果显示功率增益大于21 dB,噪声系数小于2 dB,在工作频带内输入输出回波损耗优于10 dB,面积为1 mm×2 mm。仿真结果和测试结果有很好的一致性,可用于北斗接收机射频前端。 展开更多
关键词 低噪声放大器 单片微波集成电路 砷化镓
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一种基于复合左右手传输线结构的模拟移相器 被引量：2
6
作者 邱泽琦 苏国东 刘军 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第6期823-827,834,共6页
基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器。该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结构实现相移网络,并利用可变电容结构进行相位调谐。为了解决端口失配问题,插入了共源共栅缓冲器来增加... 基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器。该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结构实现相移网络,并利用可变电容结构进行相位调谐。为了解决端口失配问题,插入了共源共栅缓冲器来增加隔离度,并中和无源器件带来的损耗。电路采用统一的偏置电压来控制所有变容结构,简化了电路结构。仿真结果表明,该移相器在工作频率内的相移可调谐范围大于90°,在电源电压为1.5 V下,直流功耗为63.3 mW,平均增益大于8.5 dB,幅度波动小于5 dB。 展开更多
关键词 移相器 pHEMT工艺 复合左右手传输线 共源共栅
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一种SiGe D波段高增益低噪声放大器 被引量：2
7
作者 赵君鹏 吴凯翔 +2 位作者 曹军 蔡运城 高海军 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第1期36-40,共5页
基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益... 基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益提升技术来提高前两级Cascode结构的增益。仿真结果表明,该放大器在中心频率140 GHz处实现了32 dB的增益,在125~148 GHz范围内均达到30 dB以上的增益,在相同频率范围内实现了小于6 dB的噪声系数,直流功耗仅为26 mW,芯片尺寸为610μm×340μm。该放大器具有低噪声和高增益的特点。 展开更多
关键词 SIGE 低噪声放大器 毫米波 增益提升
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基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的X波段自混频三倍频器 被引量：2
8
作者 何勇畅 毛小庆 +3 位作者 陈志巍 喻青 曹军 高海军 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第5期637-642,共6页
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种自混频三倍频器,实现了将X波段信号倍频为Ka波段信号。仿真结果表明,该三倍频器的相对带宽为16%,频率覆盖范围为8.9~10.5 GHz,涵盖了大部分的X波段。当输入信号为0 dBm时,在9.5 GHz频点处的输出... 基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种自混频三倍频器,实现了将X波段信号倍频为Ka波段信号。仿真结果表明,该三倍频器的相对带宽为16%,频率覆盖范围为8.9~10.5 GHz,涵盖了大部分的X波段。当输入信号为0 dBm时,在9.5 GHz频点处的输出功率为-12 dBm。在带宽范围内,谐波抑制比大于15 dBc。采用渐变形电感,提高了电感的Q值,实现了去耦电容接地的无源Marchand巴伦。仿真结果表明,无源巴伦的相对带宽达到120%,幅值平衡度得到了有效提高。该三倍频器具有0.4 V、0.8 V、1 V三个直流偏置,芯片尺寸为1.9 mm×0.67 mm。 展开更多
关键词 三倍频器 自混频 无源Marchand巴伦 倍频器
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硅基异质集成InP毫米波通孔模型研究 被引量：2
9
作者 陈晓艳 孙玲玲 刘军 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 2017年第1期25-28,共4页
基于硅基异质集成InP工艺下的硅基与InP层之间的通孔结构,得到其等效电路模型,并提出了一种直接的模型参数提取方法.在0.1~67.0GHz的测量数据中提取得到双通孔结构的等效电路模型参数,模型仿真和测量数据能较好地拟合,验证了模型拓扑结... 基于硅基异质集成InP工艺下的硅基与InP层之间的通孔结构,得到其等效电路模型,并提出了一种直接的模型参数提取方法.在0.1~67.0GHz的测量数据中提取得到双通孔结构的等效电路模型参数,模型仿真和测量数据能较好地拟合,验证了模型拓扑结构的准确性. 展开更多
关键词 异质集成 通孔模型 参数提取 毫米波
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小型化无透镜微流控片上生物成像检测 被引量：2
10
作者 陈津 黄汐威 +2 位作者 李阳波 刘季璇 孙玲玲 《物联网学报》 2019年第2期9-19,共11页
用于生物医疗成像的传统高分辨率光学显微镜由于复杂的光学透镜系统导致高成本、不便携。为了实现小型化成像检测,基于CMOS图像传感芯片与微流控集成的无透镜微流控片上成像系统近年来发展迅速,是解决小型化显微成像检测的重要方法。综... 用于生物医疗成像的传统高分辨率光学显微镜由于复杂的光学透镜系统导致高成本、不便携。为了实现小型化成像检测,基于CMOS图像传感芯片与微流控集成的无透镜微流控片上成像系统近年来发展迅速,是解决小型化显微成像检测的重要方法。综述了无透镜微流控片上成像系统的结构、成像原理、存在的问题与改进的方法,主要包括阴影成像系统、全息成像系统、荧光成像系统以及彩色成像系统等,分析了无透镜微流控片上成像系统的不足和可能的发展方向。 展开更多
关键词 片上成像 无透镜 微流控 CMOS图像传感器 小型化
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基于FPGA的IIR带通数字滤波器设计与仿真 被引量：2
11
作者 杨延亮 程知群 冯涛 《电子世界》 2012年第3期14-15,19,共3页
该文给出了用Matlab设计IIR带通数字滤波器的方法,利用Matlab语言进行程序设计出二阶环为基础的并联结构模型,通过在Matlab环境下仿真软件Simulink对设计的带通滤波器进行了动态仿真,确定了滤波器系数的量化字长。从仿真结果来看,设计... 该文给出了用Matlab设计IIR带通数字滤波器的方法,利用Matlab语言进行程序设计出二阶环为基础的并联结构模型,通过在Matlab环境下仿真软件Simulink对设计的带通滤波器进行了动态仿真,确定了滤波器系数的量化字长。从仿真结果来看,设计的带通数字滤波器既满足滤波器的选频特性,又优化了硬件资源。在实际的应用中,可以根据不同FPGA资源灵活修改滤波器系数,在不同规模的FPGA上实现。 展开更多
关键词 无限脉冲响应 带通数字滤波器 量化字长 现场可编程门阵列
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吸波频率选择结构研究进展及其在天线中的应用 被引量：1
12
作者 俞伟良 罗国清 《安全与电磁兼容》 2023年第2期14-21,共8页
雷达作为通讯系统中不可或缺的收发器件,在外来电磁波照射下,会成为具有极大雷达散射截面(RCS)的强散射源,严重恶化通讯平台的隐身性能。吸波频率选择结构(AFSS)作为一种吸-透/吸-阻一体式周期性人工电磁结构,能够正常传输/反射工作频... 雷达作为通讯系统中不可或缺的收发器件,在外来电磁波照射下,会成为具有极大雷达散射截面(RCS)的强散射源,严重恶化通讯平台的隐身性能。吸波频率选择结构(AFSS)作为一种吸-透/吸-阻一体式周期性人工电磁结构,能够正常传输/反射工作频带内电磁波,高效吸收带外无关电磁波,有效缩减双站/多站RCS,在电磁防护和电磁隐身方面具有巨大的应用前景。该文梳理了三种类型AFSS(带通、带吸、带阻)的国内外研究现状及作者团队在该领域的主要研究成果,归纳和总结了这三类AFSS的设计方法。在此基础上,讨论了AFSS在天线中的应用,展望了AFSS的发展趋势,旨在为电磁防护和电磁隐身的相关设计提供思路和指导。 展开更多
关键词 雷达散射截面 吸波频率选择结构 周期性人工电磁结构 天线
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在片传输线等效电路模型的传递函数分析 被引量：1
13
作者 王皇 高建军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期154-158,共5页
提出了一种通过传递函数分析来确定在片传输线等效电路模型拓扑结构的新方法。通过这种方法,可分析得出由不同1-π单元组成的等效电路的拟合能力。通过对测量S参数的有理逼近构建了一个宽带宏模型。通过对比等效电路模型与宏模型的传递... 提出了一种通过传递函数分析来确定在片传输线等效电路模型拓扑结构的新方法。通过这种方法,可分析得出由不同1-π单元组成的等效电路的拟合能力。通过对测量S参数的有理逼近构建了一个宽带宏模型。通过对比等效电路模型与宏模型的传递函数的零点和极点,开发出一种可靠且高效的确定传递函数等效电路结构的方法。分析发现复极点决定了模型的宽带拟合能力。共面传输线到50 GHz的测量S参数证明了本文提出的方法非常有助于寻找满足精度要求且最简单的拓扑。 展开更多
关键词 传输线 传递函数 无源器件 电路拓扑 有理逼近
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基于非线性压缩的OOFDM系统的FPGA实现 被引量：1
14
作者 冯群翔 郑兴 +2 位作者 苏江涛 孙玲玲 唐建明 《光通信技术》 北大核心 2020年第6期58-62,共5页
针对光正交频分复用(OOFDM)系统中高峰均比的问题,利用坐标旋转数字计算机(CORDIC)算法进行非线性压缩,并采用现场可编程门阵列(FPGA)进行硬件实现,在Matlab上对从FPGA抓取的信号进行分析,计算出信号的峰均比以及通信系统的误码率,并与... 针对光正交频分复用(OOFDM)系统中高峰均比的问题,利用坐标旋转数字计算机(CORDIC)算法进行非线性压缩,并采用现场可编程门阵列(FPGA)进行硬件实现,在Matlab上对从FPGA抓取的信号进行分析,计算出信号的峰均比以及通信系统的误码率,并与传统OOFDM系统进行了对比分析。实验结果表明该算法能有效抑制信号的峰均比,保证了通信质量。 展开更多
关键词 光正交频分复用 峰值平均功率比 现场可编程门阵列
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一种数字视频广播通用接口转换电路的实现方法 被引量：1
15
作者 蒋路飞 董林玺 杨延亮 《电子世界》 2012年第5期68-70,共3页
该文采用了一种优越的方法,实现了数字视频广播通用接口数据格式到高性能系统总线数据格式的转换。该方法使整个系统面积缩小,并同时支持三路串行输入或一路并行输入,传输速度快,误码率低,在接口时钟低于系统时钟频率1/6以下时能实现数... 该文采用了一种优越的方法,实现了数字视频广播通用接口数据格式到高性能系统总线数据格式的转换。该方法使整个系统面积缩小,并同时支持三路串行输入或一路并行输入,传输速度快,误码率低,在接口时钟低于系统时钟频率1/6以下时能实现数据格式的无误转换,即使在总线仲裁器里处在低优先级也不易产生数据丢失现象。 展开更多
关键词 数字视频广播通用接口 条件接收 机卡分离 高性能系统总线
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基于GaN HEMT多倍频程高效率功率放大器设计 被引量：1
16
作者 王永贺 文进才 +2 位作者 孙玲玲 王龙 吕佳梅 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第2期51-55,共5页
使用GaN HEMT功率器件,设计了一款多倍频程高效率功率放大器。利用负载牵引技术分析输入功率、偏置电压、工作频率对功率器件输出阻抗的影响,从而寻找出满足宽带性能的最优阻抗区域;输入、输出匹配网络采用了切比雪夫多节阻抗变换器的... 使用GaN HEMT功率器件,设计了一款多倍频程高效率功率放大器。利用负载牵引技术分析输入功率、偏置电压、工作频率对功率器件输出阻抗的影响,从而寻找出满足宽带性能的最优阻抗区域;输入、输出匹配网络采用了切比雪夫多节阻抗变换器的综合设计方法,很好地拓展了匹配网络的带宽性能,从而实现了0.8~4.0 GHz（相对带宽133%）多倍频程高效率功率放大器电路。连续波大信号测试结果表明：在0.8~4.0 GHz的频率范围内输出功率为39.5~42.9 d Bm,漏极效率为54.20%~73.73%,增益为9.4~12.0 d B。在中心频率2.4 GHz未利用线性化技术的情况下使用5 MHz WCDMA调制信号测试得到邻近信道泄漏比（ACLR）为-27.2 d Bc。设计的工作频率能够覆盖目前主要的无线通信系统GSM900M、WCDMA、DCS1800 LTE、PCS1900 LTE、3.5GHz WiMAX以及下一代移动通信系统（5G）等。 展开更多
关键词 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 多倍频程 高效率 功率放大器 5G
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RF CMOS工艺片上MOM电容的宽频带建模与验证
17
作者 吴园园 刘军 +1 位作者 周文勇 李嵬 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第4期332-338,共7页
提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法。为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路。测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时... 提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法。为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路。测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时引入的各种寄生效应。互连线模型考虑了高频时的趋肤效应。通过解析提取的方法,在低频时提取测试结构引入的容性和阻性寄生参数。采用物理公式计算互连线的等效电感和电阻以及高频下互连线产生的趋肤效应参数初值。对于模型拓扑结构和参数提取方法,采用40 nm RF CMOS工艺上设计所得连带测试结构MOM电容数据进行验证。在0.25～110 GHz的频率范围内,可得测试和仿真的S参数精确吻合。 展开更多
关键词 RF CMOS技术 金属-氧化物-金属(MOM)电容 宽频带建模 互连线 趋肤效应 紧凑型模型
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一种130～150 GHz毫米波低噪声放大器
18
作者 单奇星 胡成成 +1 位作者 朱玲 高海军 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第2期183-187,共5页
基于65 nm CMOS工艺,设计了一种工作于130～150 GHz的毫米波低噪声放大器(LNA),它采用五级级联共源组态的拓扑结构。第一级电路采用最小噪声匹配,保证了放大器的噪声性能。后级电路采用最大增益匹配,保证电路具有较高的增益。对无源器... 基于65 nm CMOS工艺,设计了一种工作于130～150 GHz的毫米波低噪声放大器(LNA),它采用五级级联共源组态的拓扑结构。第一级电路采用最小噪声匹配,保证了放大器的噪声性能。后级电路采用最大增益匹配,保证电路具有较高的增益。对无源器件进行了结构优化,电感的品质因数在140 GHz处达到15以上。仿真结果表明,在1.2 V电源电压、0.45 V栅极偏置电压下,该LNA的直流功耗为54.1 mW。在130～150 GHz频带内,噪声系数小于7.5 dB,增益大于18 dB。芯片尺寸为0.5 mm×0.3 mm。该LNA有望被应用于D波段接收系统中。 展开更多
关键词 低噪声放大器 毫米波 共源 品质因数 匹配
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用于毫米波InP HBT建模的HICUM,VBIC和AHBT模型
19
作者 蒋盛烽 刘军 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第11期709-713,共5页
选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT(AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(InP)异质结双极型晶体管(HBT)器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于HBT器件截止频率表征精度,进而影响Pin-Pout和IMD3... 选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT(AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(InP)异质结双极型晶体管(HBT)器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于HBT器件截止频率表征精度,进而影响Pin-Pout和IMD3等非线性仿真精度。在HICUM,VBIC和AHBT模型忽略各自衬底寄生网络,保持三类模型本征网络一致的情况下,着重分析了三种模型用于InP HBT器件载流子渡越时间和特征频率曲线建模精度。其中HBT器件发射极尺寸为8μm×3μm,频段为DC到67 GHz。最终评估结果表明,AHBT比另外两种模型更适用于InP HBT器件的模型抽取,同时也发现AHBT在电流更高区域的精度缺陷。 展开更多
关键词 InP异质结双极型晶体管(HBT) HICUM VBIC AgilentHBT(AHBT) 毫米波
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基于HBT工艺的高功率低相位噪声QVCO
20
作者 曹军 蔡运城 +2 位作者 赵君鹏 吴凯翔 高海军 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第1期95-100,共6页
基于Sanan 2μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出... 基于Sanan 2μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出功率和更低的相位噪声。仿真结果表明,该QVCO的调谐范围为12.98~14.05 GHz。振荡频率为13.51 GHz时,输出信号功率为12.557 dBm。相位噪声为-117.795 dBc/Hz@1 MHz。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 正交压控振荡器 高功率 低相位噪声
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