高电子迁移率晶体管十年 被引量：2

1

作者 张汉三 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期1-7,共7页

本文从纵向结构设计的角度,回顾和评述了高电子迁移率晶体管(HEMT)十年来的研究与进展,并展望了未来的发展趋势。

关键词 HEMT 晶体管

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新型化学镀金 被引量：2

2

作者 夏传义 刘巧明 《电镀与精饰》 CAS 1993年第3期22-24,共3页

介绍了一种新型的三价金盐和一价金盐混合使用的化学镀金溶液。其镀速可保持在3～5μm/h左右,溶液稳定,操作方便,镀层结晶细致,附着牢固。对镀层的硬度、电阻率、抗氧化及焊接性能进行了测试。试验结果表明,在微电子封装技术中,诸如陶... 介绍了一种新型的三价金盐和一价金盐混合使用的化学镀金溶液。其镀速可保持在3～5μm/h左右,溶液稳定,操作方便,镀层结晶细致,附着牢固。对镀层的硬度、电阻率、抗氧化及焊接性能进行了测试。试验结果表明,在微电子封装技术中,诸如陶瓷芯片载体(LCCC)及插脚陈列式封装(PGA)等复杂电子元件的镀金,可以用化学镀来取代电镀。 展开更多

关键词 化学镀 镀金

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新型高速功率开关器件——800V10A静电感应晶闸管的研制 被引量：3

3

作者 聂荣琪 韩直 刘忠山 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期41-44,共4页

本文论述了新型高速功率开关器件—800V、10A静电感应晶闸管的结构、设计和工艺研究。说明了所研制的器件的直流特性和开关特性,得到导通时间1.8μs,关断时间1.5μs的较好效果。

关键词 静电感应 晶闸管 功率开关器件

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门阵列布局合理化研究 被引量：1

4

作者 廉亚光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期8-13,共6页

本文对门阵列的子单元和电源线的布局结构进行了分析,用图论理论对通道和二次布线做了研究。给出了门阵列子单元和电源线的合理化布局,所需通道的最少数和二次布线长度最短的方法。

关键词 门阵列 电源 布局 半定制电路

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CCD固体摄像器件在国防军事上的某些应用

5

作者 由中强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期40-43,28,共5页

本文叙述了CCD固体摄像器件的优点,指出了它是国防军事上应用的基础器件之一,列举了它在国防军事应用的一些实例。同时简要地论述了我们研制的CCD固体摄像器件在国防军事项目上的一些试验应用情况。

关键词 CCD 固体摄象器件 应用 军事

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封装对CMOS VLSI电性能的影响

6

作者 付花亮 《微电子学》 CAS CSCD 1993年第2期60-65,共6页

本文简述了封装对CMOS VLSI电性能的影响及解决措施,重点介绍了封装在CMOS电路中引起的电噪声。

关键词 封装 CMOS VLSI 电噪声 集成电路

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一种新型固体继电器——光伏继电器

7

作者 王晓民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期14-17,共4页

本文简要介绍了我们采用集成电路技术研制出的负载电压为60伏,负载电流为1安培的AC/DC两用的光伏型集成固体继电器的工作原理、设计方法、结构特点及性能参数等。

关键词 光伏继电器 继电器 无触点继电器

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硅离子束的沾污及其控制

8

作者 张伟 杨秋荣 冯利建 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期37-39,共3页

本文分析了离子注入法制备n-GaAs薄层材料时Si^+离子束的沾污问题,指出在Bi^+与Si共用的注入机上,^(29)BF^+是^(29)Si离子束的主要沾污物。

关键词 硅 离子束 沾污 控制 离子注入

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廿年回顾——机电部十三所研制GaAs MES FET和GaAs IC概况 被引量：1

9

作者 袁明文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期1-7,23,共8页

1 引言 微波小功率低噪声晶体管和微波功率晶体管是机电部十三所传统的研究领域之一。作为主要的三端微波半导体器件之一的硅微波器件在六十年代末期低噪声器件已趋成熟,器件性能已经接近理论设计的物理极限。1966年,美国的米德提出砷... 1 引言 微波小功率低噪声晶体管和微波功率晶体管是机电部十三所传统的研究领域之一。作为主要的三端微波半导体器件之一的硅微波器件在六十年代末期低噪声器件已趋成熟,器件性能已经接近理论设计的物理极限。1966年,美国的米德提出砷化镓金属半导体场效应晶体管,或称砷化镓场效应管(简称GaAsMES FET)。砷化镓材料在迁移率等方面的性能比硅材料优越得多,GaAs MES FET的微波性能更使硅微波器件望尘莫及,因此, 展开更多

关键词 集成电路 MESFET GAAS

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砷化镓离子注硅用不同退火方法 退火后的光荧光特性研究

10

作者 张丽珠 张伯蕊 罗海云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期14-17,共4页

本文对砷化镓离于注硅用SiO_2和Si_3N_4包封及无包封退火后的样品作了低温光荧光测量,发现这三种样品测得的光荧光谱有很大差别.荧光测量结果很好地说明了这些样品电学性能不同的原因.

关键词 砷化镓 离子注入 硅 退火 荧光光谱

全文增补中

半导体激光器的发展趋势及最新研制动态

11

作者 张瑞华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期8-14,共7页

一、发展概况——历史的回顾及当今的趋向 1970年美国康宁公司将石英光纤的传输损耗从1000dB/km降低到20dB/km;同年,Bell实验室等研究单位相继研制出室温连续振荡的GaAlAs/GaAs双异质结构激光器(DH-LD)。这两项重大的技术突破开辟了光... 一、发展概况——历史的回顾及当今的趋向 1970年美国康宁公司将石英光纤的传输损耗从1000dB/km降低到20dB/km;同年,Bell实验室等研究单位相继研制出室温连续振荡的GaAlAs/GaAs双异质结构激光器(DH-LD)。这两项重大的技术突破开辟了光电子技术发展的新纪元。七十年代初期,光纤的低损耗区在0.8～0.9μm范围,与之相应的Ga- 展开更多

关键词 半导体激光器 激光器 发展

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CCD固体摄象测量仪的设计

12

作者 阎秀生 邓民品 孙培懋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期45-48,共4页

本文介绍了一种国产化的CCD多功能固体摄象测量仪。说明了它的工作原理、仪器设计考虑、仪器基本组成和性能指标。该仪器现已正式生产并成功地应用于钢厂钢坯的自动定长生产控制中。

关键词 CCD 固体摄象机 测量仪表 设计

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多晶硅薄膜光电导特性的研究

13

作者 魏希文 王美田 武建青 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期25-30,共6页

通过进一步研究多晶硅薄膜光电导特性观测到多晶硅薄膜光电导光谱分布曲线在长波区存在一个低幅值的台阶；在短波区出现峰值．由光电导光谱分布曲线确定的多晶硅薄膜平均等效的禁带宽度介于单晶硅与无定型硅的禁带宽度之间，其值的大小... 通过进一步研究多晶硅薄膜光电导特性观测到多晶硅薄膜光电导光谱分布曲线在长波区存在一个低幅值的台阶；在短波区出现峰值．由光电导光谱分布曲线确定的多晶硅薄膜平均等效的禁带宽度介于单晶硅与无定型硅的禁带宽度之间，其值的大小与多晶硅晶粒大小有关，实验还观测到与势垒光生伏特效应不同的另一种光生伏特效应，可能和材料及工艺不均匀性有关． 展开更多

关键词 光电导性 光谱能分布 禁带宽度 多晶硅薄膜

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SZ系列GaAs门电路应用研究

14

作者 李瑞钢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期38-41,37,共5页

本文叙述了SZ系列GaAs超高速门电路结构、原理及超高频特性.针对阻抗匹配与高频时钟信号传输的关系等问题展开了深入的讨论,并给出了用SZ系列GaAs门电路搭制的环形振荡器及时钟提取电路的瞬态结果.搭制的三级环形振荡器其振荡频率可达40... 本文叙述了SZ系列GaAs超高速门电路结构、原理及超高频特性.针对阻抗匹配与高频时钟信号传输的关系等问题展开了深入的讨论,并给出了用SZ系列GaAs门电路搭制的环形振荡器及时钟提取电路的瞬态结果.搭制的三级环形振荡器其振荡频率可达400MHz以上,搭制时钟提取电路,提取出的时钟信号可达2Gb/s. 展开更多

关键词 GAAS 门电路 应用 数字 集成电路

全文增补中

国内外表面安装技术的发展状况

15

作者 苏世民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期60-64,F003,共6页

本文概述了国内外表面安装元器件的发展状况,论述了SMT(表面安装技术)组装设备、焊接方法,评论了各种贴装机的价格-性能,最后讨论了SMT在微机方面的几种应用。指出未来的微组装将朝着Si基微组装方向发展。预计不久它将广泛用于高性能军... 本文概述了国内外表面安装元器件的发展状况,论述了SMT(表面安装技术)组装设备、焊接方法,评论了各种贴装机的价格-性能,最后讨论了SMT在微机方面的几种应用。指出未来的微组装将朝着Si基微组装方向发展。预计不久它将广泛用于高性能军用电子设备中。 展开更多

关键词 表面安装技术 混合电路 微组装

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CMOS模拟开关中的闭锁现象及消除方法

16

作者 崔福现 白淑华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期28-32,共5页

本 文描述了CMOS集成电路中的闭锁现象的机理,分析了寄生PnPn可控硅的触发条件.提出了防止CMOS模拟开关电路闭锁的措施,以及本电路的版图设计和工艺设计的原则,从而实现消除闭锁现象的目的.最后介绍了研制中的CMOS模拟开关的抗闭锁性能... 本 文描述了CMOS集成电路中的闭锁现象的机理,分析了寄生PnPn可控硅的触发条件.提出了防止CMOS模拟开关电路闭锁的措施,以及本电路的版图设计和工艺设计的原则,从而实现消除闭锁现象的目的.最后介绍了研制中的CMOS模拟开关的抗闭锁性能和电路性能. 展开更多

关键词 CMOS 模拟开关 闭锁现象 消除

全文增补中

纵断面电子显微术研究离子注入GaAs表面

17

作者 孙贵如 罗海云 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期22-26,共5页

本文用纵断面电子显微术研究了离子注入半绝缘GaAs注入层表面,发现注入层表面出现缺陷与包封材料、退火条件及方式有关,讨论了缺陷成因及不同包封材料对注入层和器件特性的影响。

关键词 砷化镓 离子注入 电子显微术

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微细制版中的干法刻蚀技术研究

18

作者 江泽流 《电子工艺技术》 1991年第5期11-14,共4页

本文简述了干法刻蚀在微细制版,特别是电子束制版中的重要性,较详尽地介绍了本研究所用的实验装置,刻触原理,工艺参数选择,实验结果及应用情况,并给出了一些典型的图表数据。

关键词 微细加工 干法刻蚀 制板

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