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深化科技档案的开发与利用
1
作者
张巧玲
《图书情报知识》
CSSCI
北大核心
1992年第3期60-61,共2页
科技档案是科学研究和工程设计的重要组成部分。为了顺应改革潮流,面向经济建设主战场,必须深化科技档案的开发与利用。一、科技档案工作存在的问题目前,我国科技档案工作存在的主要问题表现在以下几方面。
关键词
技术档案
档案利用
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职称材料
功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发
2
作者
潘志斌
徐国治
+1 位作者
李中江
段力军
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期124-125,共2页
自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改...
自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改变着传统的器件设计方法.本软件包的作用即是利用各种CAD技术对功率VMOSFET进行参数选取和优化设计.
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关键词
VMOSFET
CAD
软件包
功率
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职称材料
陶瓷片状铝扩散源制备与扩散工艺探讨
3
作者
彭建中
杨晓智
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第6期57-60,共4页
本文介绍了为克股液态铝源缺点而开发的陶瓷片状铝源的制备,有关性质及扩散工艺实验,并给出了初步实验结果.
关键词
陶瓷
铝原片
扩散
工艺
晶体管
全文增补中
题名
深化科技档案的开发与利用
1
作者
张巧玲
机构
机电部
八七
七
厂
出处
《图书情报知识》
CSSCI
北大核心
1992年第3期60-61,共2页
文摘
科技档案是科学研究和工程设计的重要组成部分。为了顺应改革潮流,面向经济建设主战场,必须深化科技档案的开发与利用。一、科技档案工作存在的问题目前,我国科技档案工作存在的主要问题表现在以下几方面。
关键词
技术档案
档案利用
分类号
G273.5 [文化科学—档案学]
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职称材料
题名
功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发
2
作者
潘志斌
徐国治
李中江
段力军
机构
西安交通大学
机电部
八七
七
厂
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期124-125,共2页
文摘
自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改变着传统的器件设计方法.本软件包的作用即是利用各种CAD技术对功率VMOSFET进行参数选取和优化设计.
关键词
VMOSFET
CAD
软件包
功率
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
陶瓷片状铝扩散源制备与扩散工艺探讨
3
作者
彭建中
杨晓智
机构
中国建筑材料研究院
机电部
国营
八七
七
厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第6期57-60,共4页
文摘
本文介绍了为克股液态铝源缺点而开发的陶瓷片状铝源的制备,有关性质及扩散工艺实验,并给出了初步实验结果.
关键词
陶瓷
铝原片
扩散
工艺
晶体管
分类号
TN323.405 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
深化科技档案的开发与利用
张巧玲
《图书情报知识》
CSSCI
北大核心
1992
0
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职称材料
2
功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发
潘志斌
徐国治
李中江
段力军
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
下载PDF
职称材料
3
陶瓷片状铝扩散源制备与扩散工艺探讨
彭建中
杨晓智
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
全文增补中
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参考文献
引证文献
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