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X射线光电子能谱对单一助剂与复合助剂包覆片状铝粉的性能研究
1
作者 谭红琳 蔡晓兰 +1 位作者 蔡进红 夏树标 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A07期2878-2881,共4页
通过对加单一助剂包覆的铝粉和复合助剂包覆的铝粉的X射线光电子能谱（XPS）研究表明，制备浮型铝粉时采用了油酸在铝粉表面的包覆率很大，有效地减少了表面氧化，使之具有较高的亮度，由于羧基的存在，具有使铝粉分散和提高光亮度的能... 通过对加单一助剂包覆的铝粉和复合助剂包覆的铝粉的X射线光电子能谱（XPS）研究表明，制备浮型铝粉时采用了油酸在铝粉表面的包覆率很大，有效地减少了表面氧化，使之具有较高的亮度，由于羧基的存在，具有使铝粉分散和提高光亮度的能力。比较上述复合助剂和单一助剂制备的铝粉，它们最大的区别在于，加入了聚醚-16后，铝粉光亮度提高许多，同时盖水面积也上升，说明铝粉表面的亲油基相对增多．同时也证明了助剂聚醚-16的活性基团有助于提高铝粉亮度。 展开更多
关键词 助剂 包覆物 X射线光电子能谱(XPS)
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正、负电性纳米银吸附阴、阳离子型分子的SERS比较 被引量：12
2
作者 司民真 张鹏翔 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期501-502,共2页
使用表面带负电的胶态纳米银 ,分别进行阴、阳离子型分子的SERS效应研究 ,并与表面带正电的胶态纳米银比较。当阳离子型分子盐酸副玫瑰苯胺吸附在正、负电性纳米银表面上时 ,后者SERS较强 ,当阴离子型分子吲哚丁酸分别吸附在这两种胶态... 使用表面带负电的胶态纳米银 ,分别进行阴、阳离子型分子的SERS效应研究 ,并与表面带正电的胶态纳米银比较。当阳离子型分子盐酸副玫瑰苯胺吸附在正、负电性纳米银表面上时 ,后者SERS较强 ,当阴离子型分子吲哚丁酸分别吸附在这两种胶态纳米银上时 ,后者无SERS效应。 展开更多
关键词 负电性纳米根 阳离子型分子 SERS 正电性纳米银 阴离子型分子 吸附
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武定恐龙化石的显微拉曼光谱研究 被引量：8
3
作者 杨群 王怡林 +1 位作者 张鹏翔 李朝真 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期793-795,共3页
本文首次利用激光显微拉曼光谱、原子光谱和偏光显微镜等方法 ,对云南武定的恐龙化石进行了分析研究。实验发现 ,恐龙化石表面和截面的拉曼光谱 ,均为典型的方解石 (CaCO3 )晶体的拉曼谱 ,并未发现有其他成分的拉曼谱。原子发射光谱的... 本文首次利用激光显微拉曼光谱、原子光谱和偏光显微镜等方法 ,对云南武定的恐龙化石进行了分析研究。实验发现 ,恐龙化石表面和截面的拉曼光谱 ,均为典型的方解石 (CaCO3 )晶体的拉曼谱 ,并未发现有其他成分的拉曼谱。原子发射光谱的分析结果表明 ,恐龙化石中的主要元素有Ca(>10 % ) ,其次是Si(5 0 % )和P(4 0 % ) ,还有Fe(1 0 % )等 ,但未发现铱、钍等稀有元素。由恐龙化石截面在偏光显微镜下的图像可以知道 ,恐龙化石表面层的成分主要是方解石晶体 ;内部的主要成分为方解石 (CaCO3 )晶体 ,此外还有纤维状一水二氧化硅 (分子式SiO2 ·nH2 O ,属非晶态 )等成分。激光拉曼光谱能快速无损地准确检测出恐龙化石的主要成分是方解石 (CaCO3 ) ,拉曼光谱对恐龙化石的分析结果与原子光谱。 展开更多
关键词 恐龙化石 显微拉曼光谱 方解石 原子光谱 分析
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拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究 被引量：4
4
作者 谭红琳 张鹏翔 +1 位作者 刘翔 吴长树 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期498-500,共3页
本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的... 本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、FWHM变窄且峰值频移变小 ,而PL光谱出现在 90 0nm光谱的FWHM较窄 ,这表明所测得的薄膜为单晶晶膜。在另外一些工艺条件下生长的GaAs薄膜拉曼光谱峰形好 ,但测不出PL光谱 ,所生的膜不是单晶。同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度。因此我们可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量。 展开更多
关键词 拉曼光谱 半导体薄膜 荧光光谱 半高宽 异质结 外延生长 GAAS/SI 砷化镓/硅
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热壁外延生长GaAs/Si薄膜质量研究 被引量：2
5
作者 谭红琳 张鹏翔 +1 位作者 刘翔 吴长树 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期236-238,共3页
本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在 Si衬底上不同工艺下生长的 Ga As薄膜的拉曼 (Raman)和荧光 (PL )光谱。研究表明 :在室温下 ,Ga As晶膜的 Raman光谱的 2 6 5 cm- 1 横声子 (TO)峰和 2 89cm- 1 纵声子 (L O)峰的峰值之比随晶膜质量... 本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在 Si衬底上不同工艺下生长的 Ga As薄膜的拉曼 (Raman)和荧光 (PL )光谱。研究表明 :在室温下 ,Ga As晶膜的 Raman光谱的 2 6 5 cm- 1 横声子 (TO)峰和 2 89cm- 1 纵声子 (L O)峰的峰值之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、半高宽 (FWH M)变窄且峰值频移移动变小 ,而PL光谱出现在 871nm光谱的 FWH M较窄 ,表明所测得的薄膜为单晶晶膜。对同一晶膜也可判断出均匀程度。因此可以通过拉曼光谱和 PL光谱相结合评定外延膜晶体质量。 展开更多
关键词 薄膜 热壁 外延生长 砷化镓 硅
原文传递
用拉曼散射分析碲镉汞中的缺陷
6
作者 黄仕华 夏成杰 +1 位作者 黄守江 张鹏翔 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期492-494,共3页
本文分析了碲镉汞 (HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰 ,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系。MCT中的Te沉淀相的拉曼峰位于 12 5和 145cm-1处 ,此峰与标准的Te三角晶系的拉曼峰相比 ,往高能方向移动了 2cm-1,... 本文分析了碲镉汞 (HgCdTe或MCT)中Te沉淀相、Hg空位的拉曼散射峰 ,以及碲镉汞表面完整性与它的二级拉曼散射峰的关系。MCT中的Te沉淀相的拉曼峰位于 12 5和 145cm-1处 ,此峰与标准的Te三角晶系的拉曼峰相比 ,往高能方向移动了 2cm-1,这表明Te沉淀相受到了压应力的作用。MCT中位于 10 8cm-1处微弱的拉曼峰来源于Hg空位 ,此峰只在p型和包含有反型层的MCT中出现 ,在n型的MCT中几乎不出现。MCT的拉曼二极散射峰对其表面完整性非常敏感 ,表面完整性好的拉曼峰很明显 ,而表面完整性较差的峰则不太明显 ,此峰的 2LO (T)模的强度测量对晶体制备过程中的表面分析也可提供有用的信息。 展开更多
关键词 碲镉汞 拉曼散射 Te沉淀相 Hg空位 表面完整性 缺陷 半导体化合物
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