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位置敏感日盲深紫外光电探测器
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作者 廖梅勇 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2021年第2期155-156,共2页
超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga_(2)O_(3)薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga_(2)O_(3)在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实... 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga_(2)O_(3)薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga_(2)O_(3)在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实际应用提供了思路. 展开更多
关键词 光电导 超宽禁带半导体 位置敏感探测器
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