期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到696篇文章
< 1 2 … 35 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
增量式旋转编码器零脉冲信号在电子计数装置中的应用 被引量：7
1
作者 杨颂 叶明超 王若飞 《数字技术与应用》 2012年第8期60-61,共2页
本文通过对增量式旋转编码器和电子计数装置的组成及功能的介绍,探讨增加了增量式编码器零脉冲信号的电子计数装置的软件、硬件的设计方法,来阐述增量式旋转编码器零脉冲信号在电子计数装置中的应用。
关键词 单片机 增量式旋转编码器 零脉冲信号 电子计数
下载PDF
无掩模光刻技术的前景 被引量：9
2
作者 翁寿松 缪彩琴 《电子工业专用设备》 2005年第8期1-3,共3页
介绍了无掩模光刻技术的现状、存在的问题和前景展望;说明了无掩模光刻技术的最大优点即是降低掩模成本;同时还介绍了电子束光刻技术及其改进。
关键词 无掩模光刻 电子束光刻 掩模版
下载PDF
SIP和SOC 被引量：11
3
作者 缪彩琴 翁寿松 《电子与封装》 2005年第8期9-12,共4页
本文介绍了SIP和SOC的定义、优缺点和相互关系。SIP是当前最先进的IC封装,MCP 和SCSP是实现SIP最有前途的方法。同时还介绍了MCP和SCSP的最新发展动态。
关键词 系统级封装 系统级芯片 多芯片封装 叠层芯片尺寸封装
下载PDF
白色发光二极管及其驱动电路 被引量：11
4
作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2004年第5期15-17,共3页
介绍白色发光二极管(LED)的特性、优点、种类,用途和前景。讨论不同的白色LED驱动电路。不同尺寸的LCD和不同电池的电压应采取不同的白色LED驱动电路。
关键词 白色发光二极管 白色发光二极管驱动电路 LCD背光 应用
下载PDF
浅谈零存货管理实施 被引量：14
5
作者 梅芳 《财会通讯（中）》 2013年第1期123-124,共2页
对于制造型企业而言，存货是企业流动资产中的重要组成部分，存货管理水平的高低直接影响着企业的生产经营能否顺利进行，并进而会影响企业的收益、风险等状况。对于笔者所工作的单位而言，虽然核心技术拥有自主知识产权，且集电子控制... 对于制造型企业而言，存货是企业流动资产中的重要组成部分，存货管理水平的高低直接影响着企业的生产经营能否顺利进行，并进而会影响企业的收益、风险等状况。对于笔者所工作的单位而言，虽然核心技术拥有自主知识产权，且集电子控制品的研发、生产和销售于一身，但随着竞争的加剧，在存货管理方面的缺陷日益明显，拖累了企业效益。一、零存货管理的必要性（一）销售预测不准确造成产品积压为了满足采购周期和生产交期的要求，销售部门需提前两个月的时间作冉销售预测，预测出的需求计划可靠性已经大打折扣。而出于保证货源的目的，销售部门还会对需求计划经常做出调整，从而造成了公司产品的积压，企业资金回笼一度出现问题。如果完全根据客户订单来安排生产，就基本不会出现产品积压的状况，造成资金的滞留，影响企业的周转。（二）采购策略不合理公司生产的电子控制产品所需的电子元器件众多，小到电阻、电容，大到液晶屏、塑料外壳部件等。原有采购流程是，每月末根据销售部门提交的需求计划下单采购。即根据已确定的材料品种、规格、数量、损耗、周期等去联系若干供应商，选择其中价格和结算条件等较优的供应商。确定供货。通常情况下采购部门要求的采购周期为一个月，而客户需求又常常会发生变化，因而“有料无订单，有订单无料”的情况频繁发生。如果能够按订单采购物料，挑选有质量保证和交期保证的供应商作为长期合作伙伴，平时不保有或者保有少量的储备存货，则可减少企业的仓储成本，降低存货出现跌价、毁损等的风险。 展开更多
关键词 存货管理 制造型企业 采购周期 产品积压 电子元器件 销售预测 客户订单 企业流动资产
下载PDF
铜互连及其相关工艺 被引量：11
6
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2004年第3期14-16,36,共4页
介绍了铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺。ITRS2001/1999对铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺提出了具体的要求和进程。ITRS2001比ITRS1999整整提前了一年。铜互连和金属间低K绝缘层可解决布线RC延迟问题,CMP可解决晶圆表面不平整问题... 介绍了铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺。ITRS2001/1999对铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺提出了具体的要求和进程。ITRS2001比ITRS1999整整提前了一年。铜互连和金属间低K绝缘层可解决布线RC延迟问题,CMP可解决晶圆表面不平整问题。IC特征尺寸、铜互连层厚度、金属间低K绝缘层厚度和Cu/低K鄄CMP所用研磨膏粒子尺寸都已步入纳米级,从而进一步提高了高端IC的密度和速度。 展开更多
关键词 铜互连 低K绝缘层 化学机械抛光 RC延迟
下载PDF
ITRS 2001与芯片特征尺寸的缩小 被引量：11
7
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2002年第11期1-4,共4页
2001《国际半导体技术指南(ITRS)》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90nm,2007年70nm,2010年50nm,2013年30nm,2016年22nm。阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此... 2001《国际半导体技术指南(ITRS)》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90nm,2007年70nm,2010年50nm,2013年30nm,2016年22nm。阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此,世界各强国加速开发下一代光学光刻技术,如157nm光学光刻、电子束光刻(EBL)和极紫外线(EUVL)光刻等。展望了缩小芯片特征尺寸的前景和存在的问题。 展开更多
关键词 芯片 特征尺寸 国际半导体技术指南 摩尔定律 集成电路
下载PDF
90nm工艺及其相关技术 被引量：11
8
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期40-44,共5页
ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变... ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。 展开更多
关键词 90nm工艺 ArF光刻机 高k/低k绝缘材料 铜互连技术 应变硅技术 电压隔离技术 193nm光刻技术
下载PDF
下一代光刻技术的设备 被引量：7
9
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2004年第10期35-38,共4页
下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。
关键词 下一代光刻技术 X射线光刻技术 极紫外线光刻技术 纳米压印光刻技术
下载PDF
SMT设备与PCB检测设备的发展动态 被引量：6
10
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2002年第2期63-68,107,共7页
介绍了SMT(表面贴装技术 )设备和PCB(印制电路板 )检测设备的制造厂商、设备型号。
关键词 发展动态 SMT PCB 设备 检测 表面贴装技术 印制电路板
下载PDF
纳米器件的发展动态 被引量：8
11
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第8期345-349,共5页
介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,... 介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。 展开更多
关键词 纳米器件 纳米CMOS器件 纳米电子器件 量子器件
下载PDF
光刻、OPC与DFM 被引量：5
12
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2006年第4期18-22,共5页
讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。
关键词 芯片设计 光刻 光学邻近效应校正 可制造性设计 分辨率增强技术
下载PDF
CMP/Post CMP工艺及其设备 被引量：7
13
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2003年第4期9-12,55,共5页
对CMP市场、Cu-CMP、低k-CMP、STI-CMP、W-CMP和PostCMP工艺及其设备进行了论述;并介绍了CMP所要求的研磨膏和研磨垫。
关键词 化学机械抛光 平坦化 市场 设备
下载PDF
SOI技术步入实用化 被引量：7
14
作者 翁寿松 《电子与封装》 2003年第2期7-11,共5页
本文介绍了SOI器件的优点、SOI晶圆市场、制备SOI的方法和SOI器件。
关键词 绝缘硅 器件 市场
下载PDF
300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势 被引量：7
15
作者 翁寿松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期27-29,55,共4页
采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律。300mm晶圆与90nm工艺是互动的。90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等。本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势。
关键词 300MM晶圆 芯片制造技术 发展趋势 90nm工艺 光刻 铜互连 低k绝缘层 应变硅
下载PDF
65nm/45nm工艺及其相关技术 被引量：4
16
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2004年第7期10-14,共5页
介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。
关键词 65 nm/45 nm工艺 157 NM F2光刻机 高k/低k绝缘材料
下载PDF
低k绝缘层及其设备 被引量：7
17
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第2期90-94,共5页
铜互连、金属间低k绝缘层(k<3)和CMP工艺已成为制造高端IC的一个标准工艺。本文介绍了厚度已步入纳米尺度的低k绝缘层的最新研究动态和当前几种常用低k绝缘层材料,如FOx低k旋涂材料、黑金刚石系列低k薄膜和CORAL低k材料等。另外,还... 铜互连、金属间低k绝缘层(k<3)和CMP工艺已成为制造高端IC的一个标准工艺。本文介绍了厚度已步入纳米尺度的低k绝缘层的最新研究动态和当前几种常用低k绝缘层材料,如FOx低k旋涂材料、黑金刚石系列低k薄膜和CORAL低k材料等。另外,还介绍了有关低k绝缘层材料的几种设备,如生长设备、蚀刻设备和低kCMP设备。 展开更多
关键词 低k绝缘层 低k CMP 铜互连 设备
下载PDF
193nm光刻技术延伸方法 被引量：2
18
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2004年第11期14-16,共3页
介绍了提高193nm光刻分辨力的方法,如浸入式光刻技术、相位移技术等。并介绍了193nm浸入式光刻机的优点和前景。
关键词 193nm光刻机 浸入式光刻机 光刻分辨力 相位移
下载PDF
高k绝缘层研究动态 被引量：5
19
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期220-223,248,共5页
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
关键词 高k绝缘层 栅结构 栅介质 HfSiON薄膜
下载PDF
氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估 被引量：5
20
作者 余晓初 张辉 +4 位作者 陆聪 王晓刚 刘国友 刘学建 黄政仁 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2020年第5期1614-1619,共6页
氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一,目前只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展。采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎... 氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一,目前只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展。采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷覆铜基板。氮化硅陶瓷的弯曲强度800 MPa,断裂韧性8.0 MPa·m1/2,热导率90 W/(m·K),交流击穿强度40 kV/mm和体积电阻率3.7×1014Ω·cm;氮化硅陶瓷覆铜基板的剥离强度达到130 N/cm。在-45~150℃高低温循环冲击下,氮化硅陶瓷覆铜基板的冲击次数分别达到氮化铝和氧化铝覆铜基板的10倍和100倍;在铜厚0.32 mm/0.25 mm冲击次数达5000次和铜厚0.5 mm/0.5 mm冲击次数达1000次的情况下,样品均完好无损;在铜厚0.8 mm/0.8 mm冲击次数达500次时,样品仍未产生微裂纹等缺陷,这与铜厚0.32 mm/0.25 mm时氮化铝覆铜基板的循环次数相当;氮化硅陶瓷覆铜基板的可靠性明显优于现有产品。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 覆铜基板 活性金属钎焊 可靠性 功率器件
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 35 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部