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4H-SiC p-n结基于精确碰撞电离模型的雪崩倍增因子研究
1
作者 熊俊程 黄海猛 +1 位作者 张子敏 张国义 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第2期333-337,共5页
雪崩倍增效应是4H-SiC雪崩光电二极管、功率半导体器件等器件的关键机理。作为其中最重要的物理参数,雪崩倍增因子(M)的精确解析表达式目前未见报道。文章提出4H-SiC p-n结M的精确计算方法及其解析表达式。基于更准确的碰撞电离模型,通... 雪崩倍增效应是4H-SiC雪崩光电二极管、功率半导体器件等器件的关键机理。作为其中最重要的物理参数,雪崩倍增因子(M)的精确解析表达式目前未见报道。文章提出4H-SiC p-n结M的精确计算方法及其解析表达式。基于更准确的碰撞电离模型,通过MATLAB对4H-SiC单边突变结(p^(+)-n)电子和空穴的碰撞电离积分(I)进行精确的数值计算,给出击穿电压(BV)随掺杂浓度的经验表达式,进一步提出电离积分随外加电压及掺杂浓度的拟合表达式。此外,对外加电压接近BV的情形进行细致的相对误差分析,表明电子电离积分受电场影响显著。对于雪崩光电二极管及功率器件较宽的BV范围,所提出的拟合表达式在外加反向偏压大于0.65BV时具有较高的精确度(相对误差小于5%)。 展开更多
关键词 4H-SIC 雪崩倍增因子 碰撞电离积分 Miller公式
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MPS快恢复二极管反向恢复时间的研究 被引量：4
2
作者 陈天 杨晓鸾 季顺黄 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2013年第11期73-75,共3页
基于现代电力电子技术的发展要求,与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管应具有低的正向导通损耗与超快超软的恢复特性。论述了MPS快恢复二极管的反向恢复原理,利用TCAD仿真软件对快恢复二极管的反向恢复时间参数进行了仿... 基于现代电力电子技术的发展要求,与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管应具有低的正向导通损耗与超快超软的恢复特性。论述了MPS快恢复二极管的反向恢复原理,利用TCAD仿真软件对快恢复二极管的反向恢复时间参数进行了仿真设计。实验在外延硅片上利用外延层与村底过渡区域的高浓度梯度特性结合电子辐照技术,制作出了反向恢复时间为45 ns的外延功率快速软恢复二极管;同时,通过在硅片背面引入深层的n型掺杂缓冲层,在单晶硅片上制作出了具有较短反向恢复时间(55 ns)和良好软度因子的单晶功率快速软恢复二极管。 展开更多
关键词 快恢复二极管 反向恢复时间 缓冲层
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1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究 被引量：1
3
作者 陈天 杨晓鸾 季顺黄 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期111-119,共9页
研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因... 研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因。实际制作了沟槽栅-场截止型IGBT,采用优化的正面沟槽结构结合背面场截止薄片工艺,选择了合适的集电极-发射极间的饱和电流保证器件具有较低的导通压降的同时减少了焦耳热的产生,提升了芯片自身的抗短路能力(tsc>12μs),有利于沟槽栅IGBT应用的可靠性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 短路耐量 沟槽栅 平面栅 场截止
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MPS快恢复二极管正向压降的研究 被引量：1
4
作者 陈天 杨晓鸾 季顺黄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期598-602,共5页
介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿... 介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件,发现正向压降与衬底掺杂浓度及载流子迁移率关系极大。分析了正向压降的温度特性,结果表明固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性;而对于FRED器件,由于杂质散射起主导作用,正向压降呈负温度系数特性。 展开更多
关键词 混合pin/肖特基(MPS)二极管 快恢复二极管 正向压降 正温度系数 负温度系数
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机器人在集成电路MGP模生产过程中视觉检测的设计
5
作者 孙征 《中国仪器仪表》 2022年第10期85-88,共4页
针对集成电路MGP模封装生产过程中,人工生产效率低下,劳动强度大,质量不稳定,安全系统低,招工难等问题,本文研究了一种在MGP模具内部对封装前上料框架进行视觉检测的装置,并应用于笔者公司研发的MGP智能芯片封装设备中。该设备已在长电... 针对集成电路MGP模封装生产过程中,人工生产效率低下,劳动强度大,质量不稳定,安全系统低,招工难等问题,本文研究了一种在MGP模具内部对封装前上料框架进行视觉检测的装置,并应用于笔者公司研发的MGP智能芯片封装设备中。该设备已在长电科技等封装龙头企业中使用,实现了芯片封装全自动生产,解放了劳动力,大幅提高产品良品率。 展开更多
关键词 半导体 MGP模 视觉检测 上料框架
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集成电路SOP类自动装管换管装置的结构设计
6
作者 孙征 《中国仪器仪表》 2022年第9期92-96,共5页
集成电路自动切筋成型系统的收料机构,例如SOP类产品,多数厂家使用人工装管、换管实现芯片收集,手动换收料管动作慢,效率低下,劳动强度大。有鉴于此,为改善操作繁琐,优化机器动作工时,本文研究了一种SOP类芯片料管自动装换装置,用于SOP... 集成电路自动切筋成型系统的收料机构,例如SOP类产品,多数厂家使用人工装管、换管实现芯片收集,手动换收料管动作慢,效率低下,劳动强度大。有鉴于此,为改善操作繁琐,优化机器动作工时,本文研究了一种SOP类芯片料管自动装换装置,用于SOP类集成电路冲切成型分离后的芯片收集,实现空料管的自动排序整列,自动运至接料位,并自动把满料管排出到收料仓的自动化装置。 展开更多
关键词 半导体 料管 SOP 换管装置
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