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基于SCR的ESD器件低触发电压设计
被引量：
8
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作者
李冰
杨袁渊
董乾
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期561-565,共5页
设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。
关键词
静电释放
可控硅
低触发电压
下载PDF
职称材料
题名
基于SCR的ESD器件低触发电压设计
被引量：
8
1
作者
李冰
杨袁渊
董乾
机构
东南大学集成电路学院
东南大学
无锡
分校
新南威尔士大学电子工程和电信学院
无锡
奥利杰
科技
有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期561-565,共5页
基金
国家科技部创新基金项目(07C26213200393)
文摘
设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。
关键词
静电释放
可控硅
低触发电压
Keywords
ESD
SCR
low-triggering voltage
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于SCR的ESD器件低触发电压设计
李冰
杨袁渊
董乾
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
8
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