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失配电流控制的高阶带隙基准工艺健壮性研究
1
作者 朱光荣 尹岱 +1 位作者 聂卫东 于宗光 《微处理机》 2014年第4期1-4,7,共5页
分析了基于失配电流控制的高阶补偿带隙基准的补偿原理,并研究了工艺偏移对基准电压温度系数的影响。基于失配电流控制的补偿策略具有结构简单、控制精度高,而且可以通过调整失配电流和多晶电阻阻值,使带隙基准具有较低的温度系数,同时... 分析了基于失配电流控制的高阶补偿带隙基准的补偿原理,并研究了工艺偏移对基准电压温度系数的影响。基于失配电流控制的补偿策略具有结构简单、控制精度高,而且可以通过调整失配电流和多晶电阻阻值,使带隙基准具有较低的温度系数,同时具有较强的工艺健壮性。模拟分析表明,在-25℃-125℃温度范围内,在TT(Typical-Typical)工艺角下,带隙基准的温度系数为4.8ppm/℃,同时在其他工艺角下,带隙基准的温度系数都可控制在9.0ppm/℃以下。通过无锡上华科技(CSMC)0.18μm CMOS工艺实验验证,采用这种简单失配电流控制的高阶补偿带隙基准,在3V电源电压下,在-20℃-120℃温度范围内,带隙基准的温度系数最低为6.9ppm/℃。 展开更多
关键词 带隙基准 高阶补偿 温度系数 工艺健壮性
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夹断电压可调的高压结型场效应管
2
作者 聂卫东 朱光荣 +1 位作者 易法友 于宗光 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期75-80,共6页
基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过... 基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。 展开更多
关键词 高压结型场效应管 夹断电压可调 P型埋层变掺杂 双重降低表面电场
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