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题名采用石英和多晶ZnSe电子束控制的晶体开关
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作者
何小乐
戴荣欣
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机构
无锡华晶集团
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出处
《电子器件》
CAS
1995年第4期249-254,共6页
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文摘
本文介绍了利用石英晶体和多晶体ＺｎＳｅ硒化锌作开关试样的电子束控制开关的实验结果，上述两种材料的开关阻抗均会因电子束激励急剧下降，石英晶体在电流控制下具有很快的瞬变响应（小于１ｎｓ）和潜在的适应性；而ＺｎＳｅ则在电子束激励后，开关阻抗随着时间呈指数增长，相应的电流变化过程约１０ｎｓ数量级。
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关键词
晶体开关
电子束
石英晶体
多晶体
硒化锌
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分类号
TM564
[电气工程—电器]
TN384
[电子电信—物理电子学]
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题名原子力显微镜研究多晶硅和铝硅合金表面形貌
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作者
吴敬文
陆祖宏
韦钰
朱伟民
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机构
东南大学
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1996年第4期481-487,共7页
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文摘
利用原子力显微镜研究了不同淀积温度条件下低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）多晶硅薄膜的表面形貌．发现淀积时间一定时，随着淀积温度的升高，多晶硅薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度均非线性地增大．另外，还研究了不同基片温度条件下磁控溅射铝硅含金薄膜的表面形貌．
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关键词
原子力显微镜
多晶硅
铝硅合金
表面形貌
薄膜
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Keywords
atomic force microscopy, polycrystalline silicon, aluminium silicon alloy, surface morphology
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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题名新型SOG压阻式力敏传感器的研制
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作者
林海安
张家慰
陈健
黄明程
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机构
东南大学电子工程系
中国无锡华晶集团公司
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1993年第1期7-10,共4页
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文摘
本文介绍一种以玻璃作绝缘介质膜的SOG压力传感器,探讨了实现SOG材料良好键合的关键工艺,研究了以腐蚀自致停技术为核心的减薄成膜方法.结果表明,SOG传感器在高温、大压力方面颇具潜力.
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关键词
压力传感器
键合工艺
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Keywords
pressure sensor bonding etching self-stop thinning
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名铝硅合金表面纳米颗粒的原子力显微镜观察
被引量：1
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作者
吴敬文
陆祖宏
范捷
朱伟民
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机构
东南大学分子与生物分子电子学实验室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第1期40-42,共3页
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文摘
利用原子力显微镜首次观察到２００℃磁控溅射铝硅合金表面存在纳米颗粒。经测量，此纳米颗粒直径约２０ｎｍ、高约１ｎｍ。根据此纳米颗粒的分布，讨论了磁控溅射薄膜的生长机理；同时，还讨论了此纳米颗粒对半导体工艺的影响。
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关键词
半导体材料
纳米颗粒
原子力显微镜
铝硅合金
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Keywords
Semiconductor physics, Semiconductor material, Semiconductor process, Atomic force microscope,Al-Si alloy
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分类号
TN304.05
[电子电信—物理电子学]
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题名EEPROM与flash Memory
被引量：1
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作者
于宗光
许居衍
魏同立
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机构
无锡华晶电子集团公司中央研究所
东南大学微电子中心
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出处
《电子器件》
CAS
1997年第1期46-49,共4页
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文摘
本文主要介绍EEPROM、flashmcmory的技术发展、单元结构.比较了EEPROM与flashmemory的优缺点与应用领域.
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关键词
EEPROM
单元结构
存储器
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Keywords
EEPROM, flash memory, cell structure
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分类号
TP333.5
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名高精度框套式硬质合金级进模
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作者
赵剑虹
董德泉
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机构
无锡华晶电子集团公司
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出处
《模具工业》
1990年第1期22-26,共5页
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文摘
大规模集成电路所需的引线框精度要求高,需要量大,为此,我厂于1986年研究设计了两副高精度的框套式全拼块级进冲模。模具的质量指标达到:①模具各平面的平行度<6μm;②主要工作零件尺寸偏差
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关键词
硬质合金
级进模
冷冲
框套式
模具
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分类号
TG385.2
[金属学及工艺—金属压力加工]
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题名俄罗斯半导体集成电路专用仪器设备研制情况
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作者
蹇哲人
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机构
无锡华晶电子集团公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第5期1-8,40,共9页
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文摘
作者曾随团赴俄罗斯及独联体有关国家考察微电子技术，了解到这些国家有半导体集成电路专用设备等方面的研制生产情况，在此作一简要介绍，以供同行参考。
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关键词
半导体
集成电路
设备
仪器
制造
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分类号
TN430.5
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名LB膜抗蚀层在光刻中的应用
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作者
顾宁
鲁武
陆祖宏
于向东
彭力
张仲毅
刘永宽
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机构
东南大学分子与生物分子电子学实验室
无锡华晶电子集团公司掩模工厂
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出处
《微电子技术》
1996年第4期23-27,共5页
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文摘
本文概述了LB超薄抗蚀层用于光刻研究的历史及现状，指出：发展实用化的LB超薄抗蚀层技术对于微电子工业中深亚微米乃至纳米水平的微细加工具有重要的意义。
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关键词
超薄抗蚀层
光刻
LB膜
IC
半导体器件
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分类号
TN405.7
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.7
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题名推拿配合温和灸治疗23例遗尿症的临床观察
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作者
黄爱国
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机构
江苏无锡华晶电子集团公司职工医院
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出处
《按摩与导引》
1996年第1期16-17,共2页
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文摘
通过推拿疗法配合艾条温和灸治疗小儿遗尿症23例,总有效率100％,痊愈率95.6％,结果显示,推拿与灸法结合治疗小儿遗尿,效果显著,令人满意。
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关键词
遗尿症
推拿
灸法
温和灸
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分类号
R256.540.5
[医药卫生—中医内科学]
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题名MCBiCMOS门阵列的母片设计
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作者
唐伟
顾泰
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机构
无锡华晶电子集团公司中央研究所
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出处
《电子器件》
CAS
1997年第1期42-45,共4页
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文摘
本文介绍MCBiCMOS(合并互补BiCMOS)门阵列的母片设计技术.由于采用了先进的MCBiCMOS工艺和设计技术[1],MCBiCMOS更适合于制作高性能、大规模的专用集成电路.在2μmCMOS和3μm双极相结合的设计规则基础上,我们设计了MCBiCMOS2000门门阵列母片,并利用MCBiCMOS宏单元库,成功地完成了CGB2003(24位双向移位寄存器)等电路的自动化设计.
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关键词
门阵列
基本单元
母片
集成电路
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Keywords
Gate Array, master chip, Place & Routing, basic cell
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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