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MOSFET栅氧泄漏隧穿电流的分析模型:量子力学研究(英文)
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作者 Amit Chaudhry Jatindra Nath Roy 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第6期357-364,共8页
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用清晰的表面势方程改进模型的准确性。在研究模型中考虑了Si衬底中反型层的量子化和多晶硅栅耗尽,还研究... 研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用清晰的表面势方程改进模型的准确性。在研究模型中考虑了Si衬底中反型层的量子化和多晶硅栅耗尽,还研究了多晶硅掺杂对栅氧化层隧穿电流的影响。仿真结果表明,栅氧化层隧穿电流随多晶硅栅掺杂浓度的增加而增加。该结论与已报道的结果相吻合,从而证明了该模型的正确性。 展开更多
关键词 反型层量子化 隧穿模型 Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似 多晶硅栅 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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