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基于GARCH模型的IGBT寿命预测
被引量：
17
1
作者
白梁军
黄萌
+3 位作者
饶臻
潘尚智
查晓明
刘国友
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第18期5787-5795,共9页
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化...
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化模型建立方法,并利用建立的老化模型对IGBT模块的剩余使用寿命进行预测。首先介绍IGBT的失效机理,结合现有的加速老化数据,确定的以集电极-发射极通态压降作为剩余使用寿命预测依据。建立基于GARCH模型的IGBT老化寿命模型,通过3组IGBT模块加速老化数据对剩余寿命预测,验证所提方法的有效性。
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关键词
IGBT模块
RUL预测
失效机理
GARCH模型
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职称材料
高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制
被引量：
15
2
作者
刘国友
窦泽春
+2 位作者
罗海辉
覃荣震
黄建伟
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第16期4855-4862,共8页
该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、...
该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求。
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关键词
高功率密度
压接型
绝缘栅双极晶体管
快速恢复二极管
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职称材料
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
被引量：
19
3
作者
刘国友
黄建伟
+2 位作者
覃荣震
罗海辉
朱利恒
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第10期2784-2792,共9页
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片...
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
智能电网
电子注入增强
台面栅
IGBT模块
短路安全工作区
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职称材料
题名
基于GARCH模型的IGBT寿命预测
被引量：
17
1
作者
白梁军
黄萌
饶臻
潘尚智
查晓明
刘国友
机构
武汉大学电
气
与自动化学院
新型
功率
半导体器件
国家
重点
实验室
(
株洲
中
车
时
代电
气
股份
有限公司
)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第18期5787-5795,共9页
基金
国家自然科学基金重点项目(51637007)。
文摘
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在新能源并网、电力传输等领域中得到了广泛应用,其可靠性引起了人们关注和重视。针对IGBT模块的可靠性分析和剩余使用寿命问题,文中提出一种利用加速老化数据对IGBT模块老化模型建立方法,并利用建立的老化模型对IGBT模块的剩余使用寿命进行预测。首先介绍IGBT的失效机理,结合现有的加速老化数据,确定的以集电极-发射极通态压降作为剩余使用寿命预测依据。建立基于GARCH模型的IGBT老化寿命模型,通过3组IGBT模块加速老化数据对剩余寿命预测,验证所提方法的有效性。
关键词
IGBT模块
RUL预测
失效机理
GARCH模型
Keywords
IGBT power module
remaining useful life prediction
failure mechanism
GRACH model
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制
被引量：
15
2
作者
刘国友
窦泽春
罗海辉
覃荣震
黄建伟
机构
新型
功率
半导体器件
国家
重点
实验室
(
株洲
中
车
时
代电
气
股份
有限公司
)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018年第16期4855-4862,共8页
文摘
该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求。
关键词
高功率密度
压接型
绝缘栅双极晶体管
快速恢复二极管
Keywords
high power density
press-pack
insulated gatebipolar transistor （IGBT）
fast recovery diode （FRD）
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
被引量：
19
3
作者
刘国友
黄建伟
覃荣震
罗海辉
朱利恒
机构
新型
功率
半导体器件
国家
重点
实验室
(
株洲
南
车
时
代电
气
股份
有限公司
)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第10期2784-2792,共9页
文摘
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。
关键词
绝缘栅双极晶体管
智能电网
电子注入增强
台面栅
IGBT模块
短路安全工作区
Keywords
insulated gate bipolar transistor（IGBT）
smart grid
electron injection enhanced
terrace gate
IGBT module
short circuit safe operation area
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于GARCH模型的IGBT寿命预测
白梁军
黄萌
饶臻
潘尚智
查晓明
刘国友
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020
17
下载PDF
职称材料
2
高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制
刘国友
窦泽春
罗海辉
覃荣震
黄建伟
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2018
15
下载PDF
职称材料
3
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
刘国友
黄建伟
覃荣震
罗海辉
朱利恒
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016
19
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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