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宽温高频高反压沟道基区晶体管研制
被引量:
1
1
作者
丛众
吴春瑜
+5 位作者
王荣
石广元
闫东梅
张雯
朱肖林
汪永生
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期53-55,共3页
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数(hFE)具有负的温度系数.双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数.将BSIT与BJT并联,采用BJT常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟...
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数(hFE)具有负的温度系数.双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数.将BSIT与BJT并联,采用BJT常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极PNP晶体管.本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造.新器件突出特点是:当温度变化较大时,hFE漂移较小.测试结果表明:环境温度从25℃升到180℃时,器件的hFE随温度T的变化率小于35%.优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20%.当温度从25℃降到-55℃,器件的hFE变化率小于或等于30%.
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关键词
耗尽基区
静电感应
本征栅
双极晶体管
BSIT
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职称材料
pnp高频高反压沟道基区全温晶体管设计与制造
2
作者
丛众
仲玉林
+1 位作者
朱肖林
汪永生
《固体电子学研究与进展》
CAS
1987年第1期43-49,共7页
耗尽基区晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数h_(FE)具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的h_(FE)具有正温度系数,将BSIJ与BJT并联,采用BJT常规工艺制造了pnp高频高反压沟道基区全温晶体管。 本文描述了这一器件的...
耗尽基区晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数h_(FE)具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的h_(FE)具有正温度系数,将BSIJ与BJT并联,采用BJT常规工艺制造了pnp高频高反压沟道基区全温晶体管。 本文描述了这一器件的结构,工作原理,设计与制造。该器件的特点是:当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。 测试结果表明,环境温度从25°升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35%,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20%。当温室从25°降到-55℃时,器件的h_(FE)变化率小于或等于30%
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关键词
沟道
静电感应晶体管
电力电子器件
PNP
基区
全温
下载PDF
职称材料
温敏晶闸管及其应用
被引量:
1
3
作者
吴雄
《传感器技术》
CSCD
1992年第5期33-37,共5页
综述了温敏晶闸管的结构原理和特性以及工作参数的选择,并介绍了一些具体应用。
关键词
温敏
晶闸管
应用
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职称材料
题名
宽温高频高反压沟道基区晶体管研制
被引量:
1
1
作者
丛众
吴春瑜
王荣
石广元
闫东梅
张雯
朱肖林
汪永生
机构
辽宁大学
电
子科学与工程系
成都
星光
电
工厂
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期53-55,共3页
基金
电子工业部科技开发项目
文摘
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数(hFE)具有负的温度系数.双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数.将BSIT与BJT并联,采用BJT常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极PNP晶体管.本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造.新器件突出特点是:当温度变化较大时,hFE漂移较小.测试结果表明:环境温度从25℃升到180℃时,器件的hFE随温度T的变化率小于35%.优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20%.当温度从25℃降到-55℃,器件的hFE变化率小于或等于30%.
关键词
耗尽基区
静电感应
本征栅
双极晶体管
BSIT
Keywords
Depletion base,Static induction,Intrinsic gate
分类号
TN322.802 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
pnp高频高反压沟道基区全温晶体管设计与制造
2
作者
丛众
仲玉林
朱肖林
汪永生
机构
辽宁大学物理系
成都
星光
电
工厂
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
1987年第1期43-49,共7页
文摘
耗尽基区晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数h_(FE)具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的h_(FE)具有正温度系数,将BSIJ与BJT并联,采用BJT常规工艺制造了pnp高频高反压沟道基区全温晶体管。 本文描述了这一器件的结构,工作原理,设计与制造。该器件的特点是:当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。 测试结果表明,环境温度从25°升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35%,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20%。当温室从25°降到-55℃时,器件的h_(FE)变化率小于或等于30%
关键词
沟道
静电感应晶体管
电力电子器件
PNP
基区
全温
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
温敏晶闸管及其应用
被引量:
1
3
作者
吴雄
机构
成都
国营
星光
电
工厂
出处
《传感器技术》
CSCD
1992年第5期33-37,共5页
文摘
综述了温敏晶闸管的结构原理和特性以及工作参数的选择,并介绍了一些具体应用。
关键词
温敏
晶闸管
应用
Keywords
Thermosenstor Application Reviewing
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽温高频高反压沟道基区晶体管研制
丛众
吴春瑜
王荣
石广元
闫东梅
张雯
朱肖林
汪永生
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
1
下载PDF
职称材料
2
pnp高频高反压沟道基区全温晶体管设计与制造
丛众
仲玉林
朱肖林
汪永生
《固体电子学研究与进展》
CAS
1987
0
下载PDF
职称材料
3
温敏晶闸管及其应用
吴雄
《传感器技术》
CSCD
1992
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
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