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平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式
被引量：
3
1
作者
陈博贤
刘光诒
+2 位作者
夏善红
吕永积
倪建新
《真空电子技术》
2001年第3期7-10,共4页
从泊松（Ｐｏｉｓｓｏｎ）方程出发，推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式，并列举了此关系式的有关应用。
关键词
平行平面形真空微电子二极管
二分之三次方关系式
真空电子器件
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职称材料
靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响
被引量：
2
2
作者
吕永积
邵佑军
+1 位作者
刘光诒
施化芬
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002年第4期265-269,共5页
为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料 ,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备 ,开发了由真空热预处理 ,非真空热后处理二种处理新工艺 ,制造出了新的高性能的CdSe多层光导...
为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料 ,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备 ,开发了由真空热预处理 ,非真空热后处理二种处理新工艺 ,制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶。使CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级 ,而清晰度 (分辨率 )保持不变。
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关键词
靶面淀积参数
真空微电子平板摄像管
真空热预处理
非真空热处理
CDSE
硒化镉
多层光导靶
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职称材料
用于平板摄像的CdSe靶面淀积参数对摄像特性的影响
3
作者
吕永积
刘光诒
+1 位作者
邵佑军
施化芬
《科学技术与工程》
2002年第1期59-60,共2页
为了开发用于真空微电子平板摄像管 Vacuum Microelectronics FlatPanel Camera Tube(VME FPC)的高灵敏度 CdSe 多层光导靶面,改建了一台精确控制 CdSe 材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空热蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空...
为了开发用于真空微电子平板摄像管 Vacuum Microelectronics FlatPanel Camera Tube(VME FPC)的高灵敏度 CdSe 多层光导靶面,改建了一台精确控制 CdSe 材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空热蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热后处理组成的系列新处理工艺,制造出了新的高性能的 CdSe多层光导靶。
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关键词
真空热预处理VHPT
非真空热后处理NHAT
平板摄像管
摄像特性
淀积参数
CdSe多层光导靶面
热处理工艺
下载PDF
职称材料
题名
平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式
被引量：
3
1
作者
陈博贤
刘光诒
夏善红
吕永积
倪建新
机构
无锡中策电子有限公司
中国
科
学
院
电子学
研究所
传感技术国家重点实验室
广电总局
广
科
院
光电
研究所
出处
《真空电子技术》
2001年第3期7-10,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.69871029
No.69971011)
文摘
从泊松（Ｐｏｉｓｓｏｎ）方程出发，推导出了平行平面形真空微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式，并列举了此关系式的有关应用。
关键词
平行平面形真空微电子二极管
二分之三次方关系式
真空电子器件
Keywords
Plane parallel vacuum microelectronics diode
Effect of the space charge
Three-halves power equations
Average anode current density
Normalized potential coefficient
Normalized current density coefficient
分类号
TN111 [电子电信—物理电子学]
TN31
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职称材料
题名
靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响
被引量：
2
2
作者
吕永积
邵佑军
刘光诒
施化芬
机构
广电总局
广
科
院
光电
研究所
中国
科
学
院
电子学
研究所
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002年第4期265-269,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 (69971 0 1 1 )
文摘
为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料 ,改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备 ,开发了由真空热预处理 ,非真空热后处理二种处理新工艺 ,制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶。使CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级 ,而清晰度 (分辨率 )保持不变。
关键词
靶面淀积参数
真空微电子平板摄像管
真空热预处理
非真空热处理
CDSE
硒化镉
多层光导靶
Keywords
vacuum microelectronics flat panel camera tube
vacuum heat pretreatment
non vacuum heat after treatment
分类号
TN142 [电子电信—物理电子学]
TN105
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职称材料
题名
用于平板摄像的CdSe靶面淀积参数对摄像特性的影响
3
作者
吕永积
刘光诒
邵佑军
施化芬
机构
广电总局
广
科
光电
研究所
中国
科
学
院
电子学
研究所
出处
《科学技术与工程》
2002年第1期59-60,共2页
基金
国家自然科学基金(69971011)资助
文摘
为了开发用于真空微电子平板摄像管 Vacuum Microelectronics FlatPanel Camera Tube(VME FPC)的高灵敏度 CdSe 多层光导靶面,改建了一台精确控制 CdSe 材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空热蒸镀设备,开发了由真空热预处理,非真空热后处理组成的系列新处理工艺,制造出了新的高性能的 CdSe多层光导靶。
关键词
真空热预处理VHPT
非真空热后处理NHAT
平板摄像管
摄像特性
淀积参数
CdSe多层光导靶面
热处理工艺
Keywords
vacuum microelectronics
flat panel camera tube
vacuum heat pre treatment
non vacuum heat after
treatment
分类号
TN142 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平行平面形真空微电子二极管中的二分之三次方关系式
陈博贤
刘光诒
夏善红
吕永积
倪建新
《真空电子技术》
2001
3
下载PDF
职称材料
2
靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响
吕永积
邵佑军
刘光诒
施化芬
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2002
2
下载PDF
职称材料
3
用于平板摄像的CdSe靶面淀积参数对摄像特性的影响
吕永积
刘光诒
邵佑军
施化芬
《科学技术与工程》
2002
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
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