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题名串联IGBT的一种新型单信号驱动电路
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作者
李国光
梁伟
曹传林
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机构
长春理工大学
山东淄博鲁泰集团
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出处
《电子世界》
2020年第1期133-134,共2页
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文摘
单个IGBT的耐压水平有限,通常通过串联使用来提高耐压值。在IGBT的串联使用中,各个IGBT的集电极和发射极两端电压不均衡是需要解决的关键性问题。针对IGBT串联中以往各种均压驱动技术,本文提出了一种串联IGBT均压驱动的新思路,使用单一信号驱动串联IGBT的设计方法,其电路结构简单可靠,均压效果理想,导通关断延时基本取决有IGBT器件本身。通过Multisim软件进行了仿真,验证了可行性。1引言功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)为电压控制型器,其具有输入阻抗高、驱动功率小、导通电阻小、开关损耗低的特点,已经广泛应用于电力电子和高压变频等领域。然而单个IGBT器件的耐压值有限,IGBT串联使用可以提高其耐压值,是现今最常用的方法。在IGBT的串联使用中,各个IGBT的集电极和发射极两端电压不均衡是IGBT串联使用中的关键性问题。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
导通电阻
MULTISIM软件
耐压水平
输入阻抗
耐压值
IGBT串联
驱动功率
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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