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Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展
1
作者
孙序文
《光通信研究》
1987年第2期45-49,共5页
本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ_c的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ_c降低的机理。
关键词
欧姆接触
半导体表面
比接触电阻
溅射清洗
肖特基势垒
金属-半导体接触
化合物半导体
下载PDF
职称材料
题名
Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展
1
作者
孙序文
机构
山东
农业
机械化
学院
物理
教研室
出处
《光通信研究》
1987年第2期45-49,共5页
文摘
本文介绍一种解释欧姆接触的比接触电阻ρ_c的新模型。并从理论上分析了利用RF溅射清洗半导体表面可使ρ_c降低的机理。
关键词
欧姆接触
半导体表面
比接触电阻
溅射清洗
肖特基势垒
金属-半导体接触
化合物半导体
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
Ⅲ—V族化合物半导体欧姆接触研究的进展
孙序文
《光通信研究》
1987
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