由于集成无源器件(IPD)工艺可与集成电路平面工艺兼容,IPD工艺设计的无源器件易集成到集成电路芯片中,有利于电子设备小型化和可靠性的提高。基于IPD工艺,采用等效电路取代14λ传输线的设计方法,分别设计了一个同相和一个反相3 d B射频...由于集成无源器件(IPD)工艺可与集成电路平面工艺兼容,IPD工艺设计的无源器件易集成到集成电路芯片中,有利于电子设备小型化和可靠性的提高。基于IPD工艺,采用等效电路取代14λ传输线的设计方法,分别设计了一个同相和一个反相3 d B射频功率分配器。同相功率分配器的实测结果显示插入损耗约为3.7 d B,隔离度约为25 d B,性能与威尔金森结构功率分配器接近,封装后的尺寸为1.6 mm×0.8 mm,小于威尔金森结构功率分配器。反相功率分配器仿真结果表明插入损耗小于4.2 d B,隔离度约为25 d B。该功率分配器可应用到移动通信终端。展开更多
文摘由于集成无源器件(IPD)工艺可与集成电路平面工艺兼容,IPD工艺设计的无源器件易集成到集成电路芯片中,有利于电子设备小型化和可靠性的提高。基于IPD工艺,采用等效电路取代14λ传输线的设计方法,分别设计了一个同相和一个反相3 d B射频功率分配器。同相功率分配器的实测结果显示插入损耗约为3.7 d B,隔离度约为25 d B,性能与威尔金森结构功率分配器接近,封装后的尺寸为1.6 mm×0.8 mm,小于威尔金森结构功率分配器。反相功率分配器仿真结果表明插入损耗小于4.2 d B,隔离度约为25 d B。该功率分配器可应用到移动通信终端。
