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MEVVA离子束技术的发展及应用 被引量：6
1
作者 吴先映 廖斌 +4 位作者 张旭 李强 彭建华 张荟星 张孝吉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期132-138,共7页
金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注... 金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况. 展开更多
关键词 MEVVA离子注入 磁过滤等离子体沉积 材料表面改性
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利用MATLAB研究多螺线管磁场分布 被引量：4
2
作者 王锴 廖斌 +3 位作者 吴先映 李璟 史学伟 于晶晶 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期565-570,共6页
利用Matlab软件对多螺线管磁场分布趋势及强度进行了研究,计算结果表明当各个螺线管通以同向电流时,各个螺线管相对几何中心处磁感线相互排斥,且磁场强度变小,当在4个螺线管几何对称中心轴正上方再放置一个螺线管时,各个螺线管产生的部... 利用Matlab软件对多螺线管磁场分布趋势及强度进行了研究,计算结果表明当各个螺线管通以同向电流时,各个螺线管相对几何中心处磁感线相互排斥,且磁场强度变小,当在4个螺线管几何对称中心轴正上方再放置一个螺线管时,各个螺线管产生的部分磁感线会沿着正上方放置的螺线管磁感线方向行走且当计算选取微元和步长越小结果越准确. 展开更多
关键词 螺线管 磁场分布解 MATLAB软件
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金属蒸汽真空弧(MEVVA)源产生的金属镍(Ni)等离子体的发射光谱诊断 被引量：1
3
作者 邓春凤 廖斌 +2 位作者 陈一鸣 肖云剑 吴先映 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期589-593,共5页
利用英国avantes公司生产的AvaSpec-2048FT-8-RM型光栅光谱仪对金属蒸汽真空弧(MEVVA)源产生的金属镍等离子体的发射光谱进行采集,并用"Plasus Specline"软件对采集到的数据进行分析,得到各条谱线所对应的元素及元素电荷态、... 利用英国avantes公司生产的AvaSpec-2048FT-8-RM型光栅光谱仪对金属蒸汽真空弧(MEVVA)源产生的金属镍等离子体的发射光谱进行采集,并用"Plasus Specline"软件对采集到的数据进行分析,得到各条谱线所对应的元素及元素电荷态、跃迁能级及其能量等信息.同时采用多谱线斜率法对镍等离子的电子温度进行计算,并利用电子温度对等离子体的电子密度进行计算,从而实现MEVVA源产生的金属镍等离子体的发射光谱诊断. 展开更多
关键词 MEVVA源 等离子体发射光谱诊断 电子温度 电子密度
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气体流速对FCVA技术制备nc-ZrC/a-C:H复合膜的影响
4
作者 李作文 黄鑫 +5 位作者 廖斌 曹望 周福增 伏开虎 周晗 张旭 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期609-613,共5页
采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,室温下通入C2H2在Si(100)与304不锈钢片上制备nc-ZrC/a-C:H复合薄膜.采用XRD、Raman、XPS、SEM-EDS研究了薄膜的成分及微观结构,利用纳米力学探针和摩擦磨损仪测试薄膜的硬度及摩擦磨损性能.主要讨论了... 采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,室温下通入C2H2在Si(100)与304不锈钢片上制备nc-ZrC/a-C:H复合薄膜.采用XRD、Raman、XPS、SEM-EDS研究了薄膜的成分及微观结构,利用纳米力学探针和摩擦磨损仪测试薄膜的硬度及摩擦磨损性能.主要讨论了不同C2H2气体流速对复合膜成分、结构及其性能的影响,研究结果表明:C2H2气体流速由20mL·min-1增加到70mL·min-1时,薄膜中的C原子分数逐渐升高;气体流速超过70mL·min-1后,C原子分数趋于平稳(约为75%).随着气体流速的增加,薄膜硬度呈现先增后减的趋势,当气体流速为40mL·min-1时(C原子分数约为65%),制备的薄膜综合机械性能达到最佳(硬度41.49GP,摩擦因数0.25). 展开更多
关键词 磁过滤阴极真空弧(FCVA) nc-ZrC/a-C:H 气体流速
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0.28 MeV Zn离子注入GaInP/GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究
5
作者 英敏菊 董西亮 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期384-386,共3页
对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离... 对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明在所选用的注量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038，说明在这样的注入条件下，注入区的结晶态仍然保持地比较好。在较高注量下应变达到饱和，应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。 展开更多
关键词 离子注入 晶格应变 X射线衍射光谱
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MEEVA源生成Ti金属等离子体粒子密度和电离度的原子发射光谱诊断
6
作者 邓春凤 李璟 +2 位作者 王锴 史学伟 吴先映 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期571-577,共7页
利用原子发射光谱对等离子体粒子密度进行诊断的Saha-Boltzmann方程法,并对其进行了改进.并结合多谱线斜率法,针对用英国avantes公司生产的AvaSpec-2048FT-8-RM型光栅光谱仪采集到的金属蒸汽真空弧(MEVVA)源生成的金属钛等离子体的发射... 利用原子发射光谱对等离子体粒子密度进行诊断的Saha-Boltzmann方程法,并对其进行了改进.并结合多谱线斜率法,针对用英国avantes公司生产的AvaSpec-2048FT-8-RM型光栅光谱仪采集到的金属蒸汽真空弧(MEVVA)源生成的金属钛等离子体的发射光谱,对其电子、离子温度,电子、原子、一价离子和二价离子密度,原子和一价离子电离度进行诊断;对MEVVA Ti等离子体的热力学状态进行了判断;从而实现MEVVA Ti等离子体的发射光谱诊断.此外,还对MEVVA Ti等离子体参数随离子源工作弧压的变化情况进行了讨论. 展开更多
关键词 MEVVA Ti等离子体 等离子体发射光谱诊断 Saha-Boltzmann方程法
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