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不同比例MoS_2、MoSe_2合金的泵浦探测信号对比
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作者 张宇导 邱俊 +2 位作者 张芷铭 李伶俐 葛韶峰 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期365-368,共4页
近年来,单层Ⅵ族过渡金属氧族化合物成为探索半导体中新奇物理性质的理想研究平台.这些单层直接带隙半导体材料因为多方面独特的性质,引起了人们的广泛关注.本文利用泵浦探测(pump-probe)技术对二硒化钼(MoSe_2)和二硫化钼(MoS_2)的二... 近年来,单层Ⅵ族过渡金属氧族化合物成为探索半导体中新奇物理性质的理想研究平台.这些单层直接带隙半导体材料因为多方面独特的性质,引起了人们的广泛关注.本文利用泵浦探测(pump-probe)技术对二硒化钼(MoSe_2)和二硫化钼(MoS_2)的二维合金材料的载流子动力学特性进行了研究.实验结果表明,载流子的弛豫过程会随着混合物MoS_xSe_(2-x)的配置比例发生显著变化.文中对这一结果进行了初步分析,讨论了掺杂对材料载流子散射的影响.因此,可以通过调节MoSe_2和MoS_2混合比例来调控载流子的弛豫时间. 展开更多
关键词 飞秒激光 泵浦探测 二维合金材料 二硫化钼
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MoS_xSe_(2-x)混合成分二维半导体块材的生长制备与表征
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作者 邱俊 祝祖送 +1 位作者 张宇导 葛韶峰 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期369-372,共4页
针对混合成分二维半导体的研究需求,利用高温箱式炉进行各组分多晶的合成,并在高温三温区管式炉中,利用四氯化碲(TeCl_4)作为输运剂,采用气相输运法(chemical vapor transport,CVT)生长出MoS_xSe_(2-x)混合成分二维半导体块材.将所生长... 针对混合成分二维半导体的研究需求,利用高温箱式炉进行各组分多晶的合成,并在高温三温区管式炉中,利用四氯化碲(TeCl_4)作为输运剂,采用气相输运法(chemical vapor transport,CVT)生长出MoS_xSe_(2-x)混合成分二维半导体块材.将所生长出的块材利用机械剥离法进行剥离,并对剥离出的单层二维材料进行了光致发光(photoluminescence,PL)谱线检测,测得其混合成分对材料特征谱线的影响.结果表明:混合成分材料的光致发光谱线由其组成各组分的谱线叠加而成,并且叠加时近似按混合成分比例代数叠加. 展开更多
关键词 混合成分二维半导体 气相输运法 混合成分比例 特征谱线
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化学气相沉积单层VIB族过渡金属硫化物的研究进展
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作者 祝祖送 朱德权 +3 位作者 邱俊 易明芳 张杰 闻军 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期1175-1183,共9页
2004年以来,石墨烯因其优异的光学、电学性质而被广泛地研究,但由于其零带隙的特性极大地限制了它的应用前景。单层的VIB族过渡金属硫化物(TMDs)拥有类似石墨烯的晶体结构及可控的能带结构,是一类理想的二维直接带隙半导体材料,不仅可... 2004年以来,石墨烯因其优异的光学、电学性质而被广泛地研究,但由于其零带隙的特性极大地限制了它的应用前景。单层的VIB族过渡金属硫化物(TMDs)拥有类似石墨烯的晶体结构及可控的能带结构,是一类理想的二维直接带隙半导体材料,不仅可用于探索如谷极化等一些基础和前沿的物理问题,也可以广泛应用于纳米器件、光电子学和光催化的研究。近年来,化学气相沉积(CVD)技术作为一种相较于传统化学合成或物理剥离更加有效的制备方法被引入此类材料的生长,能够合成出拥有大面积连续的、厚薄均匀和较高晶体质量的单层TMDs。基于此,重点介绍了利用CVD技术生长单层TMDs所取得的进展,讨论了各工艺条件(如反应温度、载流气体、衬底、前驱物与衬底之间的距离等)对单层TMDs的生长及性质的影响。最后,探讨了利用CVD技术实现调控单层TMDs的尺寸、覆盖度和层厚均匀性的途径和方法。 展开更多
关键词 过渡金属硫化物 化学气相沉积 畴区尺寸 覆盖度 可控生长
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