适宜的抛光工艺参数对Si片表面平整度TTV、TIR、STIR等参数起到至关重要的作用。介绍了化学机械抛光(CMP)有效实现Si片全局和局部平坦化的方法和设施,指出并说明CMP是一种化学作用和机械作用相结合的技术,给出了其影响因素。利用DOE(des...适宜的抛光工艺参数对Si片表面平整度TTV、TIR、STIR等参数起到至关重要的作用。介绍了化学机械抛光(CMP)有效实现Si片全局和局部平坦化的方法和设施,指出并说明CMP是一种化学作用和机械作用相结合的技术,给出了其影响因素。利用DOE(design of experiment)实验方法,结合实际生产条件,获得并验证了最优化的生产工艺参数,改善了Si片表面平整度。展开更多
文摘适宜的抛光工艺参数对Si片表面平整度TTV、TIR、STIR等参数起到至关重要的作用。介绍了化学机械抛光(CMP)有效实现Si片全局和局部平坦化的方法和设施,指出并说明CMP是一种化学作用和机械作用相结合的技术,给出了其影响因素。利用DOE(design of experiment)实验方法,结合实际生产条件,获得并验证了最优化的生产工艺参数,改善了Si片表面平整度。
