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HMCM-41分子筛催化合成乙酸芳樟酯 被引量：14
1
作者 施志荣 李绍武 郑嗣华 《云南化工》 CAS 1998年第4期23-25,共3页
利用ＨＭＣＭ－４１中孔分子筛为催化剂，对芳樟醇与乙酐的反应进行了研究，对影响反应的诸因素进行了讨论，醇转化率为９９％，酯收率＞５０％。
关键词 HMCM-41 分子筛 乙酸芳樟酯 乙酰化反应 香料
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缺陷对混合稀土贮氢合金性能的影响 被引量：3
2
作者 王连邦 袁华堂 +3 位作者 林荫浓 周康 张允什 冯嘉帧 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1338-1342,共5页
贮氢合金是一种重要的功能材料.在多种贮氢合金中,AB_5型稀土系贮氢合金的应用最为广泛.本文用正电子湮没技术(PAT)对AB_5型混合稀土贮氢合金的缺陷进行了研究,并结合X射线衍射(XRD)测试、循环伏安(CV)测试以及合金容量的测定,对合金的... 贮氢合金是一种重要的功能材料.在多种贮氢合金中,AB_5型稀土系贮氢合金的应用最为广泛.本文用正电子湮没技术(PAT)对AB_5型混合稀土贮氢合金的缺陷进行了研究,并结合X射线衍射(XRD)测试、循环伏安(CV)测试以及合金容量的测定,对合金的结构及性能进行了研究.结果表明,合金微观缺陷的存在能大幅度提高合金的性能. 展开更多
关键词 正电子湮没 AB5型 稀土系 贮氢合金 缺陷
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萘及其衍生物荧光光谱的计算解析及同时测定 被引量：3
3
作者 唐波 何锡文 +2 位作者 沈含熙 栗风珍 高传喜 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1995年第8期805-811,共7页
本文研究了pH12条件下,萘、1-萘酚和2-萘酚的荧光、一阶导数荧光、同步荧光和一阶导数-同步荧光光谱.根据各谱性质,结合多波长线性回归、双峰倍增配平和峰值系数等不同计算手段,建立了6种新的同时测定混合物中萘、1-萘酚和2-萘酚的荧光... 本文研究了pH12条件下,萘、1-萘酚和2-萘酚的荧光、一阶导数荧光、同步荧光和一阶导数-同步荧光光谱.根据各谱性质,结合多波长线性回归、双峰倍增配平和峰值系数等不同计算手段,建立了6种新的同时测定混合物中萘、1-萘酚和2-萘酚的荧光分析方法. 展开更多
关键词 萘 萘酚 荧光光谱
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一水合硝酸三(2-苯并咪唑亚甲基)胺合钴(Ⅱ)配合物的合成及结构 被引量：1
4
作者 郭洪声 王瑾玲 +5 位作者 缪方明 王敏 霍建中 乔艳红 王洪根 姚心侃 《天津师大学报（自然科学版）》 1997年第3期32-35,共4页
超氧化物歧化酶是一种金属酶，它具有防御机体内氧自由基损害的功能．它的活性中心是以咪唑桥联的多核过渡金属配合物［１～３］．人工合成以含苯并咪唑化合物为配体的单核、同双核配合物，无论是在理论上还是在实际应用中都有极其重要... 超氧化物歧化酶是一种金属酶，它具有防御机体内氧自由基损害的功能．它的活性中心是以咪唑桥联的多核过渡金属配合物［１～３］．人工合成以含苯并咪唑化合物为配体的单核、同双核配合物，无论是在理论上还是在实际应用中都有极其重要的意义．本文以三（２－苯并咪唑亚甲基）胺为配体，合成了其钴（Ⅱ）的配合物，并进行了元素分析。 展开更多
关键词 苯并咪唑亚甲基 结构表征 合成 钴配合物
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2-萘胺-6,8-二磺酸合成研究
5
作者 刘福德 葛明 +1 位作者 郑嗣华 施志荣 《化学工业与工程》 CAS 1998年第2期50-53,共4页
本文以Ｇ盐为原料，采用低浓度氨水（１４％），在较低温度（１４０℃）和较低压力（１．４ＭＰａ）下，利用加压氨化反应合成了２－萘胺－６，８－二磺酸，产品转化率接近１００％。通过对反应影响因素的研究发现：氨比、反应温度、氨... 本文以Ｇ盐为原料，采用低浓度氨水（１４％），在较低温度（１４０℃）和较低压力（１．４ＭＰａ）下，利用加压氨化反应合成了２－萘胺－６，８－二磺酸，产品转化率接近１００％。通过对反应影响因素的研究发现：氨比、反应温度、氨水浓度、ＮａＨＳＯ３用量的提高，反应速率加快。 展开更多
关键词 G盐 萘胺 二磺酸 氨化
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无杂质空穴扩散诱导量子阱无序及在光集成中的应用
6
作者 王永晨 赵杰 《半导体杂志》 1997年第4期42-46,共5页
综述了近年来新发展的量子阱生长后置无序的无杂质空穴扩散诱导量子阱部分无序的工艺技术，量子阱部分无序的机理，并介绍了它在量子阱光电器件中的应用和使用该技术制出的光集成器件的最新结果。并对它的应用前景作了初步展望。
关键词 量子阱激光器 量子阱无序 光集成
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Si^＋,As^＋双离子注入半绝缘GaAs的研究 被引量：1
7
作者 王永晨 刘明成 +2 位作者 叶维祎 王玉芳 赵杰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第9期700-705,共6页
本文采用Ｓｉ＋和Ｓｉ＋、Ａｓ＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＋注入样品明显提高．Ｒａｍａｎ谱显示结构完整性好，并且... 本文采用Ｓｉ＋和Ｓｉ＋、Ａｓ＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＋注入样品明显提高．Ｒａｍａｎ谱显示结构完整性好，并且有好的载流子剖面分布．文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Ｓｉ＋、Ａｓ＋双注入的载流子浓度剖面分布． 展开更多
关键词 硅离子 砷离子 离子注入 砷化镓 半绝缘砷化镓
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