目的探究脑皮质内皮屏障抗原(EBA)及血管内皮生长因子(VEGF)在放射性血脑屏障损害条件下的动态变化规律,为临床提供参考。方法使用随机数字表法将48只清洁级雄性SD大鼠分为对照组和放射性脑损伤后7、14和28 d 4组,每组12只。采用X线电...目的探究脑皮质内皮屏障抗原(EBA)及血管内皮生长因子(VEGF)在放射性血脑屏障损害条件下的动态变化规律,为临床提供参考。方法使用随机数字表法将48只清洁级雄性SD大鼠分为对照组和放射性脑损伤后7、14和28 d 4组,每组12只。采用X线电子计算机断层扫描设备制备大鼠放射性脑损伤模型。大鼠按照3 m L/kg的剂量尾静脉注射3%伊文思蓝(EB),开颅并暴露脑皮质血管,放于微循环显微镜下观察EB渗出情况,并借助微循环显微成像系统评估血脑屏障通透性;使用免疫组化染色的方法来检测各组大鼠脑皮质EBA和VEGF的表达。结果与对照组相比,损伤组大鼠脑皮质微血管EB外渗量和VEGF的表达水平于伤后7、14、28 d均有不同程度升高(均P<0.05),从伤后7 d至28 d逐渐降低,损伤各亚组之间差异均有统计学意义(均P<0.05),二者呈正相关(r=0.898,P<0.001);EBA表达水平于伤后各个时间点均下降(均P<0.05),从伤后7 d至28 d逐渐升高,损伤各亚组之间差异均有统计学意义(均P<0.05),与EB外渗量呈负相关(r=-0.866,P<0.001)。结论大鼠放射性脑损伤后血脑屏障通透性增加与EBA表达减少、VEGF表达增加具有重要关联性。展开更多
文摘目的探究脑皮质内皮屏障抗原(EBA)及血管内皮生长因子(VEGF)在放射性血脑屏障损害条件下的动态变化规律,为临床提供参考。方法使用随机数字表法将48只清洁级雄性SD大鼠分为对照组和放射性脑损伤后7、14和28 d 4组,每组12只。采用X线电子计算机断层扫描设备制备大鼠放射性脑损伤模型。大鼠按照3 m L/kg的剂量尾静脉注射3%伊文思蓝(EB),开颅并暴露脑皮质血管,放于微循环显微镜下观察EB渗出情况,并借助微循环显微成像系统评估血脑屏障通透性;使用免疫组化染色的方法来检测各组大鼠脑皮质EBA和VEGF的表达。结果与对照组相比,损伤组大鼠脑皮质微血管EB外渗量和VEGF的表达水平于伤后7、14、28 d均有不同程度升高(均P<0.05),从伤后7 d至28 d逐渐降低,损伤各亚组之间差异均有统计学意义(均P<0.05),二者呈正相关(r=0.898,P<0.001);EBA表达水平于伤后各个时间点均下降(均P<0.05),从伤后7 d至28 d逐渐升高,损伤各亚组之间差异均有统计学意义(均P<0.05),与EB外渗量呈负相关(r=-0.866,P<0.001)。结论大鼠放射性脑损伤后血脑屏障通透性增加与EBA表达减少、VEGF表达增加具有重要关联性。
