期刊文献+
共找到16篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
先进领域的信息安全技术在企业中实际应用 被引量:2
1
作者 陈俊清 《网络安全技术与应用》 2014年第9期101-101,103,共2页
随着互联网时代的到来,企业上网已经成为一种发展趋势。信息安全技术在提高信息交流的网络化和开放化为人们的生活以及生产带来便利的同时,也带来了许多安全隐患。因此,本文针对先进领域的信息安全技术在企业中实际应用进行分析讨论,并... 随着互联网时代的到来,企业上网已经成为一种发展趋势。信息安全技术在提高信息交流的网络化和开放化为人们的生活以及生产带来便利的同时,也带来了许多安全隐患。因此,本文针对先进领域的信息安全技术在企业中实际应用进行分析讨论,并为解决这些安全隐患提出相应的解决措施,仅供参考。 展开更多
关键词 先进领域 信息安全技术 企业 实际应用
原文传递
直拉法硅单晶中晶转对杂质含量的影响 被引量:1
2
作者 杨凤艳 《大陆桥视野》 2016年第14期112-113,共2页
单晶硅是半导体器件、集成电路以及太阳能电池片的重要原材料,对信息技术的发展及新能源光伏行业的发展有着至关重要的影响。直拉法是单晶硅生产制备的重要方法之一,其生长过程涉及到传热、传质等物理过程,同时涉及到化学反应等化学... 单晶硅是半导体器件、集成电路以及太阳能电池片的重要原材料,对信息技术的发展及新能源光伏行业的发展有着至关重要的影响。直拉法是单晶硅生产制备的重要方法之一,其生长过程涉及到传热、传质等物理过程,同时涉及到化学反应等化学过程。其中生长过程中的晶转、埚转直接影响晶体生长过程中的温度分布、熔体对流,最终影响单晶中的杂质分布及电阻率分布等。本文以晶转、埚转为研究对象,分析其变化与单晶杂质、电阻率等品质的关系,以通过工艺调整,控制单晶品质。 展开更多
关键词 单晶硅 晶转 埚转 温度分布 熔体对流
下载PDF
石油污染盐碱土壤生物修复模式研究
3
作者 王静兰 汪志荣 冀大选 《安徽农业科学》 CAS 2017年第21期49-53,69,共6页
[目的]寻找适宜的石油污染盐碱土壤的野外生物修复模式。[方法]以实验室前期保存和新筛选的石油降解细菌菌群为基础,制备固体菌肥,首先在室内条件下研究C∶N∶P、菌肥施入量对降解率的影响,并将菌肥施入量、植物种类、土壤翻耕对野外土... [目的]寻找适宜的石油污染盐碱土壤的野外生物修复模式。[方法]以实验室前期保存和新筛选的石油降解细菌菌群为基础,制备固体菌肥,首先在室内条件下研究C∶N∶P、菌肥施入量对降解率的影响,并将菌肥施入量、植物种类、土壤翻耕对野外土壤污染修复效果的影响进行试验研究。[结果]菌肥的降解特性决定了石油污染物的降解效率,无效的菌肥在室内外试验中都会削减石油污染物的修复效果;在适宜的土壤C∶N∶P条件下,新鲜菌肥的施入量增加,可有效提高石油污染物的降解率。足够的菌肥施入量能够在短期内(10~20 d)发挥高效降解作用。在野外修复模式研究中,翻耕对扰动盐碱土壤的石油污染修复作用有限,土著优势植物碱蓬比苜蓿更适于植物-微生物的联合修复。[结论]在野外条件下,适宜的盐碱土壤石油污染修复模式为碱蓬+10%新鲜菌肥+不翻耕+营养(C∶N∶P=100∶5∶3)。 展开更多
关键词 盐碱土壤 石油污染 固体菌肥 石油降解率 生物修复模式
下载PDF
真实型管理者对双重压力下的员工工作投入的影响
4
作者 张启慧 邢希旺 周士祺 《中国管理信息化》 2018年第1期74-76,共3页
经济新常态下,已经被改革开放和利益至上理念灌输的企业面临着很多问题。其中,很大的来源是员工由于压力的增加,导致的工作懈怠,造成服务或者生产效率低下的问题。企业也在积极寻找一种领导模式改变这种现状,本文从组织行为学的角度切入... 经济新常态下,已经被改革开放和利益至上理念灌输的企业面临着很多问题。其中,很大的来源是员工由于压力的增加,导致的工作懈怠,造成服务或者生产效率低下的问题。企业也在积极寻找一种领导模式改变这种现状,本文从组织行为学的角度切入,考察真实型领导对员工工作投入的影响,探讨挑战性、阻碍性压力中介作用机制。 展开更多
关键词 真实型领导 挑战性压力源 阻碍性压力源 工作投入
下载PDF
大直径<110>晶向直拉硅单晶的热场设计及工艺优化
5
作者 李立伟 贺祥生 娄中士 《大陆桥视野》 2016年第14期106-106,107,共2页
目前所应用于各类半导体光电器件和高效太阳能电池的直拉硅单晶多为<111>及<100>晶向,但是特殊晶向的<110>硅单晶可制备出光电转换效率更高、材料成本更低的太阳能电池,但这种特殊晶向硅材料的制备存在着较大的困... 目前所应用于各类半导体光电器件和高效太阳能电池的直拉硅单晶多为<111>及<100>晶向,但是特殊晶向的<110>硅单晶可制备出光电转换效率更高、材料成本更低的太阳能电池,但这种特殊晶向硅材料的制备存在着较大的困难,本文通过数值模拟与实际试验相结合进行热系统设计及工艺的优化,开发出一套热场分布合理、工艺稳定的适合<110>直拉硅单晶生长的热场结构及工艺。 展开更多
关键词 <110> 直拉硅单晶 热场 大直径
下载PDF
无位错<110>直拉硅单晶的研究
6
作者 徐强 张雪囡 +3 位作者 孙晨光 王岩 王彦君 高树良 《中国科技期刊数据库 工业A》 2016年第9期31-32,共2页
本项目研究了直拉炉热场系统及拉晶工艺对拉制<110>无位错直拉硅单晶的影响。通过合理调整直拉炉热系统,大幅度提高拉晶速度、控制引晶直径和长度,采取控制放肩速度、增加单晶收尾长度及控制收尾单晶直径等技术手段成功拉制<11... 本项目研究了直拉炉热场系统及拉晶工艺对拉制<110>无位错直拉硅单晶的影响。通过合理调整直拉炉热系统,大幅度提高拉晶速度、控制引晶直径和长度,采取控制放肩速度、增加单晶收尾长度及控制收尾单晶直径等技术手段成功拉制<110>无位错单晶。本项目研制的硅单晶适用于半导体和太阳能光电器件的制造,采用<110>晶向硅单晶制备的超薄—高效太阳能电池可获取较高的输电效率大大降低了材料成本。 展开更多
关键词 直拉硅单晶 无位错 <110> 太阳能电池
下载PDF
科技型小微企业人力资源管理存在的问题及对策研究
7
作者 杨洁 张妍 《时代经贸》 2014年第4期151-152,共2页
科技型小微企业是我国技术创新的载体和经济增长的重要推动力量,它是今后高科技大型技术企业的基础,是国家未来发展的重点。本文针对近年来科技型小微企业普遍面临的人力资源管理问题,提出了相应的解决对策。期望能够促进科技型小微... 科技型小微企业是我国技术创新的载体和经济增长的重要推动力量,它是今后高科技大型技术企业的基础,是国家未来发展的重点。本文针对近年来科技型小微企业普遍面临的人力资源管理问题,提出了相应的解决对策。期望能够促进科技型小微企业的快速发展,社会的和谐稳定。 展开更多
关键词 科技型小微企业 人力资源管理 问题 对策
下载PDF
高压硅堆反向漏电流IR1的改善
8
作者 李仕权 《大陆桥视野》 2016年第18期115-116,共2页
高压硅堆在使用过程中要求反向漏电尽可能小,我公司经过大量分析研究,找到了影响漏电的关键因素,制作高压硅堆的原材料硅片和扩散源的品质直接影响了产品漏电的大小.通过试验对比验证,使用国产质量较好硅片(用美国ASIMI多晶材料生产的硅... 高压硅堆在使用过程中要求反向漏电尽可能小,我公司经过大量分析研究,找到了影响漏电的关键因素,制作高压硅堆的原材料硅片和扩散源的品质直接影响了产品漏电的大小.通过试验对比验证,使用国产质量较好硅片(用美国ASIMI多晶材料生产的硅片)和高纯度硼源,解决了漏电大的问题,并应用于生产,提高了品质. 展开更多
关键词 高压硅堆 反向漏电 高纯度 硼源 硅片
下载PDF
气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术
9
《中国集成电路》 2008年第4期18-19,共2页
环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶,设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺,该工艺技术是具有自主知识产权的技术创新成果.2007年8月22日获国家知识产权局授予的生产发明专利,专利号ZL200610013497.6。环... 环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶,设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺,该工艺技术是具有自主知识产权的技术创新成果.2007年8月22日获国家知识产权局授予的生产发明专利,专利号ZL200610013497.6。环欧公刊的气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术获得2007年半导体创新产品和技术奖。 展开更多
关键词 区熔硅单晶 生产技术 气相掺杂 国家知识产权局 技术创新成果 自主知识产权 生长工艺 发明专利
下载PDF
集团信息化发展与研究
10
作者 陈俊清 《电脑知识与技术》 2014年第9X期6575-6576,共2页
该文从集团的角度对集团信息化状况进行了详细的分析,在论述信息化发展的基础上,对集团信息化发展的趋势及方向进行了详细的研究,并结和具体的例子对集团信息化的发展进行展望。
关键词 集团 信息化 发展 研究
下载PDF
探讨电子科学技术中的半导体材料发展趋势 被引量:10
11
作者 霍翔 《科技创新与应用》 2016年第30期145-145,共1页
现阶段我国经济发展进程向前推进的速度是相对来说比较稳定的,并且当今我国所处的时代是一个知识经济的时代,电子科学技术作为一种创新型的技术在我国各个领域中都得到了较为广泛的应用,它在现阶段我国新兴技术产业发展进程向前推进的... 现阶段我国经济发展进程向前推进的速度是相对来说比较稳定的,并且当今我国所处的时代是一个知识经济的时代,电子科学技术作为一种创新型的技术在我国各个领域中都得到了较为广泛的应用,它在现阶段我国新兴技术产业发展进程向前推进的过程中所起到的作用是相对来说比较重要的,半导体材料在电子科学技术发展进程向前推进的过程中所起到的作用是十分重要的,它在我国电子工业产业选择发展走向的过程中起到了决定性作用。从第一代的半导体材料硅、锗等具有鲜明代表性的半导体材料一直到现阶段电子科学技术发展进程向前推进的过程中所使用到的碳化硅、氧化锌等第三代的半导体材料,现阶段我国电子科学技术行业中所需要使用到的半导体材料发展进程向前推进的过程中都是在朝着高集成度、低尺寸以及禁带宽度更宽的方向发展的,作者根据实际工作经验对现阶段我国半导体材料的发展趋势进行分析,以便于能够在我国电子科学技术行业发展进程向前推进的过程中起到一定程度的促进性作用。 展开更多
关键词 电子科学技术 半导体材料 特征尺寸 发展 趋势
下载PDF
锂组分对纯铌酸锂晶体光折变性能的影响研究 被引量:1
12
作者 师丽红 阎文博 刘建伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1333-1337,1343,共6页
本文研究了低光强下锂组分对纯铌酸锂晶体的可见光折变、紫外光致吸收及紫外光折变性能的影响,发现了光折变中心种类和数量随晶体组分的渐变行为。在组分较低的同成分晶体中,大量本征缺陷形成Q极化子,因而在可见光波段表现出较弱的光生... 本文研究了低光强下锂组分对纯铌酸锂晶体的可见光折变、紫外光致吸收及紫外光折变性能的影响,发现了光折变中心种类和数量随晶体组分的渐变行为。在组分较低的同成分晶体中,大量本征缺陷形成Q极化子,因而在可见光波段表现出较弱的光生伏打效应;在组分较高的近化学计量比铌酸锂晶体中,双极化子是主要光折变中心,从而引起较高的光生伏打电场。而纯铌酸锂晶体的紫外光致吸收以及紫外光折变性能则具有相似的组分依赖关系。它们随组分的增加过程可分为两个不同的阶段:当组分小于49.70 mol%时,随组分增加缓慢升高,而当组分高于49.70 mol%时,随组分突然猛增并迅速升高。上述实验结果也可采用本征缺陷由Q极化子主导向双极化子主导的渐变过程进行解释。 展开更多
关键词 铌酸锂 全息存储 光生伏打 光致吸收
下载PDF
浅谈半导体材料的发展现状
13
作者 涂颂昊 《大陆桥视野》 2016年第18期135-136,共2页
社会经济的飞速发展使得半导体材料得到新的发展空间,半导体材料经历了从第一代到第二代的转变,如今又在新的时代背景下借助科学技术的进步向着第三代半导体材料的方向前进.半导体材料实现了高密的大规模集成电路的使用,因此半导体材料... 社会经济的飞速发展使得半导体材料得到新的发展空间,半导体材料经历了从第一代到第二代的转变,如今又在新的时代背景下借助科学技术的进步向着第三代半导体材料的方向前进.半导体材料实现了高密的大规模集成电路的使用,因此半导体材料,确切的说应该是第三代半导体材料是在新的信息化时代背景下实现数字化生活的关键推动力. 展开更多
关键词 半导体材料 发展 现状
下载PDF
直拉法单晶硅生长的数值模拟和控制参数优化
14
作者 王林 《中国科技期刊数据库 工业A》 2016年第11期166-166,共1页
现代工业的重要原材料单晶硅,历史悠久,影响着信息技术的发展, IC 集成度的不断提高,对单晶硅的质量要求越来越高,提供直径更大、质量更好的单晶硅,是对半导体硅行业一个巨大的考验。但是,对于单晶硅的生长,通常都是通过实验的研究而完... 现代工业的重要原材料单晶硅,历史悠久,影响着信息技术的发展, IC 集成度的不断提高,对单晶硅的质量要求越来越高,提供直径更大、质量更好的单晶硅,是对半导体硅行业一个巨大的考验。但是,对于单晶硅的生长,通常都是通过实验的研究而完成的,同时也会出现一个问题,那就是成本大,数值模拟可以避免这个问题,并迅速发展。 展开更多
关键词 直拉法单晶硅生长 数值模拟 控制参数优化
下载PDF
半导体可靠性技术现状及展望
15
作者 袁建昆 《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》 2016年第8期327-327,共1页
在新时代,我国电子信息设备进入较高的发展阶段,因此,半导体的使用技术也得到迅猛发展,多种多样的原材料、工艺手法及先进的设计方式也随之不断出现,这就使得半导体的各类器件和电路带出现不同可靠性的难题。本文主要叙述了半导体有关... 在新时代,我国电子信息设备进入较高的发展阶段,因此,半导体的使用技术也得到迅猛发展,多种多样的原材料、工艺手法及先进的设计方式也随之不断出现,这就使得半导体的各类器件和电路带出现不同可靠性的难题。本文主要叙述了半导体有关可靠性方面的技术现状及主要的研究内容,同时还论述了此技术在在发达国家的研究现状,分析了新型半导体可靠性技术的作用及优势,以便开创我国半导体产品的发展前景,提高半导体产品的含量和可靠性。 展开更多
关键词 半导体 可靠性技术 现状及展望
下载PDF
区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的研究
16
作者 徐强 张雪囡 +3 位作者 孙晨光 王岩 王彦君 高树良 《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 2016年第9期281-281,共1页
本文通过试验研究了下轴转速、正反转时间比、偏心度三个方面因素对于区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的影响。试验结果表明:随着下轴转速的不断增加,单晶径向电阻率分布偏差呈先降低后升高的趋势;正反转时间比增加,单晶径向电阻率... 本文通过试验研究了下轴转速、正反转时间比、偏心度三个方面因素对于区熔气相掺杂硅单晶径向电阻率均匀性的影响。试验结果表明:随着下轴转速的不断增加,单晶径向电阻率分布偏差呈先降低后升高的趋势;正反转时间比增加,单晶径向电阻率分布得到明显改善,正反转角度进一步增加,径向电阻率分布偏差又有升高的趋势;随偏心度增加,单晶边缘与中心点电阻率趋于一致,单晶径向电阻率不均匀性明显减小。 展开更多
关键词 区熔 气相掺杂 电阻率均匀性 硅单晶 径向电阻率不均匀性
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部