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金刚石-铜薄膜复合材料
被引量:
6
1
作者
董占民
КопаньВ.С.
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期375-376,共2页
用CVD法合成了金刚石-铜的复合材料。实验证明,合成金刚石-铜复合材料相对厚度的合适范围h/H=5~7。复合材料的热传导系数随合成温度T0的增高而增大。在T0=1243K时α≤700W·M-1·K-1。
关键词
金刚石
铜
复合材料
热导系数
下载PDF
职称材料
金刚石-铜复合薄膜热沉基底
被引量:
2
2
作者
董占民
КопанъB.C.
谢志刚
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第9期823-826,共4页
本文介绍用CVD法在铜的基底上合成金刚石薄膜,并获得金刚石-铜复合材料的方法,测量了金钢石-铜复合薄膜电阻与温度的关系.得到了类金刚石薄膜的能隙宽度为0.7~2.5eV,多晶金刚石薄膜的禁带宽度为2.6~3.1eV。
关键词
CVD法
铜
金刚石薄膜
合成
下载PDF
职称材料
题名
金刚石-铜薄膜复合材料
被引量:
6
1
作者
董占民
КопаньВ.С.
机构
清华
大学物理
系
基辅
大学物理
系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期375-376,共2页
文摘
用CVD法合成了金刚石-铜的复合材料。实验证明,合成金刚石-铜复合材料相对厚度的合适范围h/H=5~7。复合材料的热传导系数随合成温度T0的增高而增大。在T0=1243K时α≤700W·M-1·K-1。
关键词
金刚石
铜
复合材料
热导系数
Keywords
diamond
copper
composite material
thermal conductivity
分类号
TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
金刚石-铜复合薄膜热沉基底
被引量:
2
2
作者
董占民
КопанъB.C.
谢志刚
机构
清华
大学物理
系
基辅
大学物理
系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第9期823-826,共4页
文摘
本文介绍用CVD法在铜的基底上合成金刚石薄膜,并获得金刚石-铜复合材料的方法,测量了金钢石-铜复合薄膜电阻与温度的关系.得到了类金刚石薄膜的能隙宽度为0.7~2.5eV,多晶金刚石薄膜的禁带宽度为2.6~3.1eV。
关键词
CVD法
铜
金刚石薄膜
合成
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
金刚石-铜薄膜复合材料
董占民
КопаньВ.С.
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
6
下载PDF
职称材料
2
金刚石-铜复合薄膜热沉基底
董占民
КопанъB.C.
谢志刚
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
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职称材料
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