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碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响
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作者 徐彭寿 徐世红 +4 位作者 朱警生 刘先明 麻茂生 张裕恒 许振嘉 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期436-441,共6页
用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值... 用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ．碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥｖ改变的主要原因． 展开更多
关键词 碱金属 半导体异质结 能带偏移
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铯对GaAs（100）表面氧化的催化作用
2
作者 徐彭寿 徐世红 +4 位作者 刘先明 朱警生 麻茂生 张裕恒 许振嘉 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1994年第5期455-460,共6页
我们用ＸＰＳ、ＵＰＳ及功函数的测量研究了氧在Ｃｓ复盖的及清洁的ＧａＡｓ（１００）表面的吸附行为．实验结果证明，在０．６ＭＬ的Ｃｓ复盖度下，碱金属Ｃｓ可以使衬底的氧化大大增强．在氧吸附初期（＜１Ｌ），氧优先吸附在碱金属... 我们用ＸＰＳ、ＵＰＳ及功函数的测量研究了氧在Ｃｓ复盖的及清洁的ＧａＡｓ（１００）表面的吸附行为．实验结果证明，在０．６ＭＬ的Ｃｓ复盖度下，碱金属Ｃｓ可以使衬底的氧化大大增强．在氧吸附初期（＜１Ｌ），氧优先吸附在碱金属复盖层以下或碱金属原子之间的Ａｓ原子位置上．随氧的暴露量的增加，氧吸附在Ｇａ和Ａｓ的位置上．此时，Ｇａ和Ａｓ独立地被氧化形成Ｇａ_２Ｏ_３和Ａｓ_２Ｏ_３。 展开更多
关键词 铯 镓砷半导体 氧化 催化
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Rb／InP（100）界面的电子能谱研究
3
作者 徐彭寿 徐世红 +4 位作者 刘先明 朱警生 麻茂生 张裕恒 许振嘉 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期324-328,共5页
用光电子能谱技术（ＸＰＳ和ＵＰＳ）研究了Ｒｂ／ＩｎＰ（１００）的界面形成和电子结构．实验结果表明，当Ｒｂ淀积到ＩｎＰ（１００）表面时，它首先表现为物理吸附，形成突变界面．随Ｒｂ复盖量的增加，Ｒｂ向ＩｎＰ体内扩散，Ｒｂ... 用光电子能谱技术（ＸＰＳ和ＵＰＳ）研究了Ｒｂ／ＩｎＰ（１００）的界面形成和电子结构．实验结果表明，当Ｒｂ淀积到ＩｎＰ（１００）表面时，它首先表现为物理吸附，形成突变界面．随Ｒｂ复盖量的增加，Ｒｂ向ＩｎＰ体内扩散，Ｒｂ－Ｉｎ之间发生置换反应．此时Ｒｂ－Ｐ形成化学健．退火后，Ｒｂ一部分脱附，一部分向体内扩散．同时，Ｉｎ和Ｐ也向外扩散．在较高的温度下，更多的Ｉｎ向外偏析． 展开更多
关键词 碱金属 半导体 界面 光电子能谱
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碱金属Rb在InP（100）表面的催化氧化作用
4
作者 徐彭寿 徐世红 +4 位作者 朱警生 刘先明 麻茂生 张裕恒 许振嘉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期296-302,共7页
我们用ＸＰＳ和ＵＰＳ研究了氧在Ｒｂ复盖的和清洁的ＩｎＰ（１００）表面的吸附行为．实验结果表明，碱金属可以使衬底的氧化能力大大增加．在氧的暴露量低于１Ｌ时，氧主要吸附在碱金属原子之间的ＩｎＰ衬底上，且位于Ｒｂ原子层之下... 我们用ＸＰＳ和ＵＰＳ研究了氧在Ｒｂ复盖的和清洁的ＩｎＰ（１００）表面的吸附行为．实验结果表明，碱金属可以使衬底的氧化能力大大增加．在氧的暴露量低于１Ｌ时，氧主要吸附在碱金属原子之间的ＩｎＰ衬底上，且位于Ｒｂ原子层之下．当氧暴露量增加时，氧主要还是吸附在Ｒｂ覆盖层下面，这时衬底开始氧化．在清洁表面，氧主要吸附在Ｉｎ原子上．样品退火后，Ｒｂ部分脱附，同时，衬底的氧化物相（ＩｎＰＯ４）含量增加． 展开更多
关键词 磷化铟 铷 催化氧化 碱金属 半导体表面
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