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反射式血氧饱和度检测方法的研究 被引量：8
1
作者 廖国杰 张志强 +2 位作者 高博 牟玲 魏蔚 《光散射学报》 北大核心 2009年第3期274-278,共5页
近红外光谱技术可实现组织中血氧代谢的实时无损伤在体测量,在生物医学领域得到了广泛应用。本文利用红光、红外光双光束对指尖进行了基于反射式原理的血氧饱和度(SPO2)检测。通过改变入射光的强度,并在距入射光1.5cm处采集其反射信号,... 近红外光谱技术可实现组织中血氧代谢的实时无损伤在体测量,在生物医学领域得到了广泛应用。本文利用红光、红外光双光束对指尖进行了基于反射式原理的血氧饱和度(SPO2)检测。通过改变入射光的强度,并在距入射光1.5cm处采集其反射信号,观察光强变化对光学体积描记(PPG)信号的影响。实验表明在入射光强不同时,光到达生物组织层次不同,所得信号幅度、信噪比都不同。以此提出改变光强法来检测组织不同层次的血氧饱和度。 展开更多
关键词 近红外光 反射式 血氧饱和度 不同层次
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环境温度对HfO_(2)铁电存储器的质子辐照效应影响研究
2
作者 朱旭昊 袁亦辉 +6 位作者 黄铭敏 马瑶 毕津顺 许高博 龚敏 杨治美 李芸 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期330-337,共8页
基于HfO_(2)的铁电随机存取存储器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快,易于小型化,抗干扰能力强等优势,在航天航空领域有广袤的发展空间。然而,FeRAM在太空环境下的抗辐照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)/... 基于HfO_(2)的铁电随机存取存储器(FeRAM)具有功耗低、存取速度快,易于小型化,抗干扰能力强等优势,在航天航空领域有广袤的发展空间。然而,FeRAM在太空环境下的抗辐照性能尚未得到全面的研究。研究了W/TiN/Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)/TiN铁电存储器在常温和高温环境下经5 MeV质子辐照后的电学特性和铁电畴结构变化。通过电学和压电响应力显微镜(PFM)手段表征发现,在常温质子辐照后,电容器的介电常数(ε_(r))和剩余极化强度(P_(r))值均增大,器件的铁电性能提升,常温高注量质子辐照有利于存储器在太空环境中工作,但随着辐照时环境温度升高,HZO存储器的铁电性能下降,漏电流增大,铁电存储器的各项性能明显退化。 展开更多
关键词 HfO_(2) 铁电存储器 质子辐照 温度
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基于RISC-V的多路光电容积脉搏波监测系统 被引量：1
3
作者 岳文韬 张政 +2 位作者 高博 龚敏 彭玲 《电子技术应用》 2023年第3期37-41,共5页
针对光电容积脉搏波(Photoplethysm ographic,PPG),基于RISC-V内核设计了一款多通道、实时PPG监测系统。该系统使用RISC-V架构的E203 IP作为低功耗内核,通过ICB总线挂接模拟前端和蓝牙控制模块。AFE4400模拟前端控制模块控制背靠背LED... 针对光电容积脉搏波(Photoplethysm ographic,PPG),基于RISC-V内核设计了一款多通道、实时PPG监测系统。该系统使用RISC-V架构的E203 IP作为低功耗内核,通过ICB总线挂接模拟前端和蓝牙控制模块。AFE4400模拟前端控制模块控制背靠背LED实现两路PPG信号采集,复用该模块分时处理来实现多路采集。蓝牙控制模块挂接到E203实现了通过蓝牙外设下达系统控制指令,之后上传PPG波至终端。该系统通过FPGA验证了22位双通道PPG信号物联网终端应用。 展开更多
关键词 光电容积脉搏波 RISC-V 串行外设接口总线 硬件设计语言建模 蓝牙
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一种高精度低功耗温度传感器电路 被引量：2
4
作者 何希然 刘晨旭 +4 位作者 张仁辉 李泽宏 高博 马跃 龚敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期906-914,共9页
基于脉冲宽度可调(PWM)信号调制技术,设计了一种温度传感器电路,并对电路整体性能进行了仿真。所设计的温度传感器电路利用带隙基准电路实现了温度采样功能,采用PWM信号调制技术,在一次测温周期中输出一定数量的脉冲信号。为了减小测温... 基于脉冲宽度可调(PWM)信号调制技术,设计了一种温度传感器电路,并对电路整体性能进行了仿真。所设计的温度传感器电路利用带隙基准电路实现了温度采样功能,采用PWM信号调制技术,在一次测温周期中输出一定数量的脉冲信号。为了减小测温误差,电路中引入斩波技术,较低平均功耗(152μW)下将电路失调电压减小了两个数量级,提高了系统的测温精度;数据转换过程中,采用带有零极点优化技术的高阶多位量化sigma-delta信号处理技术,在低过采样率(16)条件下具有足够的信噪比(79.4 dB),功耗和精度取得了较好的折中。该电路功耗低、精度高,适于各类物联网(IoT)应用。 展开更多
关键词 温度传感器 斩波技术 sigma-delta信号处理 脉冲宽度可调(PWM) 高精度
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SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究 被引量：2
5
作者 唐常钦 王多为 +2 位作者 龚敏 马瑶 杨治美 《电子与封装》 2021年第8期77-83,共7页
研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFE... 研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显,经室温退火后,器件性能有一定恢复。器件静态特性随温度的变化规律不易受γ辐照影响,辐照前后其阈值电压的温度系数均约为-2.71 mV/K,表明该器件阈值电压具有较好的温度稳定性。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 伽马辐照 总剂量效应 静态特性 室温退火 温度特性
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SiC功率器件辐照诱生缺陷实验研究进展
6
作者 杨治美 高旭 +3 位作者 李芸 黄铭敏 马瑶 龚敏 《电子与封装》 2022年第5期1-9,共9页
第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生... 第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效。简要介绍了SiC功率器件辐照效应发展历程和辐照效应,梳理轻离(粒)子辐照诱生缺陷与敏感参数退化的实验规律,分析总结重离子辐照SiC功率器件中一些关键技术问题,特别是不同温度辐照诱生缺陷形成机理的异同,为今后深入开展SiC肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)的辐照诱生缺陷、器件性能退化研究及SiC相关器件的材料抗辐照性能的改善和结构优化提供实验数据和理论依据。 展开更多
关键词 碳化硅 辐照诱生缺陷 深能级缺陷 电学性能 重离子辐照
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齐纳二极管电子辐照特性研究 被引量：1
7
作者 明思汀 王多为 +5 位作者 唐常钦 马瑶 李芸 杨治美 黄铭敏 龚敏 《电子与封装》 2020年第5期60-65,共6页
研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击... 研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。 展开更多
关键词 齐纳二极管 电子辐照 直流特性 动态响应
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一种具有死区控制功能的自举电荷泵设计
8
作者 何希然 蒋越飞 +2 位作者 李泽宏 高博 龚敏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1187-1195,共9页
智能功率集成电路(SPICs)已成为工业自动化、汽车电子、电机系统等领域的关键产品。智能高侧功率开关作为智能功率集成电路的代表性产品,具有复用性高、可靠性强和可集成化等优点,其通常集成电荷泵实现功率管的栅极电压抬升以减小导通... 智能功率集成电路(SPICs)已成为工业自动化、汽车电子、电机系统等领域的关键产品。智能高侧功率开关作为智能功率集成电路的代表性产品,具有复用性高、可靠性强和可集成化等优点,其通常集成电荷泵实现功率管的栅极电压抬升以减小导通损耗。针对传统自举电荷泵使用电阻对自举管的栅电容充电而导致额外功率损耗的问题,设计了一种具有死区控制功能的自举电荷泵。将传统自举电荷泵中的电阻更换为P-LDMOS,并结合低功耗的高侧浮动电源轨电路和死区控制电路进行合理的死区控制,从而在实现电压自举泵升和高侧驱动功能的同时,显著降低了自举电荷泵在工作过程中使用电阻造成的额外功率损耗。基于0.18μm BCD工艺,使用Virtuoso进行电路的设计与仿真,仿真结果表明,该电路可使外置高侧功率管实现自举上电并具备100%占空比的高侧栅极驱动,P-LDMOS的平均功耗为1.8 mW,在相同的工作条件下,其相较于传统的电阻结构降低了约90%。 展开更多
关键词 智能功率集成电路 自举电荷泵 高侧驱动 浮动电源轨 死区控制
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