InAsP/InGaP应变补偿量子阱的研究进展 被引量：2

1

作者 王新强 杜国同 +3 位作者 殷景志 李明涛 安海岩 杨树人 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 2000年第2期212-215,共4页

本文概述了近年来 In As P/ In Ga P应变补偿量子阱的研究与进展 ,从材料结构、界面质量、器件、存在问题及应用前景等方面对其进行了较为详细的叙述。界面质量的研究表明 ,In P薄层的引入有助于改善界面的质量 ,提高器件的性能 ,不失... 本文概述了近年来 In As P/ In Ga P应变补偿量子阱的研究与进展 ,从材料结构、界面质量、器件、存在问题及应用前景等方面对其进行了较为详细的叙述。界面质量的研究表明 ,In P薄层的引入有助于改善界面的质量 ,提高器件的性能 ,不失为继续研究的方向。 展开更多

关键词 应变补偿 量子阱 InAsP/InGaP

原文传递

绝缘介质Al_2O_3薄膜的数字化生长技术

2

作者 赵方海 刘扬 +1 位作者 郑伟 马力 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第S1期167-169,共3页

采用ＣＶＤ技术实现了Ａｌ２Ｏ３薄膜的数字化生长，实验结果表明这种生长方法具有生长温度低、层厚可控等特点，生长出的薄膜每周期生长厚度约为１．１９。

关键词 Al₂O₃薄膜 数字化 生长技术 绝缘介质 生长速率 生长厚度 衬底温度 原子层外延 国家重点实验室 光电子学

下载PDF 职称材料

一个检测半导体激光器质量的有效方法 被引量：6

3

作者 石家纬 金恩顺 +5 位作者 李红岩 李正庭 郭树旭 高鼎三 余金中 郭良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期595-600,共6页

对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．

关键词 半导体激光器 质量检测 INGAASP INP 激光器

下载PDF 职称材料

高频大功率InGaAsP/InP SPB-BC激光器 被引量：3

4

作者 张佰君 衣茂斌 +3 位作者 李德辉 申智渊 苗忠礼 高鼎三 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期385-390,共6页

在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光器结构模型进行了理论分析。采用p-InP衬底,最大输出功率为80mW。500μm腔长激光器,它的调制带宽可以达到6... 在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光器结构模型进行了理论分析。采用p-InP衬底,最大输出功率为80mW。500μm腔长激光器,它的调制带宽可以达到6.0GHz。 展开更多

关键词 质子轰击 调制带宽 寄生电容 半导体激光器

原文传递

1．3μm　InGaAsP／InP超辐射发光二极管的低频光、电噪声研究 被引量：3

5

作者 马东阁 石家纬 +3 位作者 金恩顺 刘明大 李淑文 高鼎三 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期785-790,共6页

给出了研制的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明．超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性．其噪声大小与... 给出了研制的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明．超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性．其噪声大小与器件材料质量、结构参数及工作条件密切相关。 展开更多

关键词 发光二极管 光噪声 电噪声 INGAASP/INP

原文传递

GaAs高速动态分频器在片测试研究 被引量：2

6

作者 孙伟 田小建 +4 位作者 孙建国 贾刚 衣茂斌 马振昌 王国全 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期141-144,共4页

本文研制出多触头微波探针，建立了微波探针在片检测系统．针对ＧａＡｓ高速集成电路──动态分频器电路芯片进行了在片测试和筛选．

关键词 分频器 GAAS 在片测试 测试

下载PDF 职称材料

迅速发展的LCVD技术 被引量：1

7

作者 王庆亚 张玉书 《激光技术》 CAS CSCD 1994年第3期161-167,共7页

本文简要回顾了近十年来激光ＣＶＤ（ＬＣＶＤ）技术的发展概况及其在金属、电介质和半导体薄膜生长方面的应用情况。阐明了这种新发展起来的成膜技术不仅因其生长的低温化能够给器件带来优良的电学特性，同时也可利用其高精度的膜厚控... 本文简要回顾了近十年来激光ＣＶＤ（ＬＣＶＤ）技术的发展概况及其在金属、电介质和半导体薄膜生长方面的应用情况。阐明了这种新发展起来的成膜技术不仅因其生长的低温化能够给器件带来优良的电学特性，同时也可利用其高精度的膜厚控制特性获得新结构的材料和器件。作者还对该技术的广泛的应用前景予以展望和肯定。 展开更多

关键词 LCVD 半导体膜 激光技术

下载PDF 职称材料

用相位模板法制备紫外光写入光纤布拉格光栅的研究

8

作者 谢世钟 曾定利 +3 位作者 周炳琨 张玉书 王庆亚 张健 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第7期24-26,共3页

利用相位模板，在２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光器光束的照射下，在国产高掺锗单模光纤中制作出了中心波长为１５４７ｎｍ，峰值反射率约为１０％，带宽为０．６４ｎｍ的折射率调制光纤布拉格光栅。

关键词 光纤 布拉格光栅 相位模板

下载PDF 职称材料

砷化镓共面波导内部微波信号的电光取样检测

9

作者 贾刚 衣茂斌 +5 位作者 孙伟 曹杰 孙建国 王佳生 秦莉 高鼎三 《电子科学学刊》 EI CSCD 1995年第2期197-200,共4页

本文报道了共轴反射式电光取样系统。该系统时间分辨率不低于20ps,空间分辨率不低于3μm。用它检测了砷化镓共面波导内部的微波信号。这套系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部特性的在片检测。

关键词 电光取样 集成电路 共面波导 在线检测

下载PDF 职称材料

InP/InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析

10

作者 陈维友 刘式墉 《光电子技术》 CAS 1993年第4期55-58,共4页

本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用... 本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。 展开更多

关键词 发光二极管 优化设计 CAD 波导区

下载PDF 职称材料

InAs／InP量子点的喇曼散射谱

11

作者 王新强 李致峰 等 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第Z01期325-328,共4页

对LP－MOCVD生长InAs量子点进行了背散射几何配置下的拉曼散射分析和比较，发现InAs量子点的LO模和TO模与体材料相比发生了较大程度的蓝移。考虑应变和限制效应的理论计算结果与实验吻合较好。加入GaAs薄张应变层的InAs量子点的LO模和T... 对LP－MOCVD生长InAs量子点进行了背散射几何配置下的拉曼散射分析和比较，发现InAs量子点的LO模和TO模与体材料相比发生了较大程度的蓝移。考虑应变和限制效应的理论计算结果与实验吻合较好。加入GaAs薄张应变层的InAs量子点的LO模和TO模发生了更大程度的蓝移，同时无InP盖层的样品观察到应变的部分释放。 展开更多

关键词 量子点 喇曼散射 应变 砷化锢 LP-MOCVD LO模 TD模 蓝移

下载PDF 职称材料

InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器

12

作者 刘颖 杜国同 +9 位作者 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世呜 高洪海 高俊华 王洪杰 康学军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期218-220,共3页

报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。

关键词 INGAAS 量子阱 面发射 激光器

下载PDF 职称材料

计算机控制竞赛强化训练系统

13

作者 张大明 杨明 +2 位作者 阎大卫 李巍 衣茂斌 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1998年第4期39-40,共2页

建立计算机控制竞赛强化训练系统．概述该系统的构成和工作原理及工作的软件，给出使用该系统对短道速滑运动员进行夏训强化训练的应用实例．结果表明，系统对信号传送的时间误差小于０．０１ｓ．

关键词 计算机控制 强化训练 训练设备 田径 运动竞赛

下载PDF 职称材料