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退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响 被引量：10
1
作者 王金忠 杜国同 +6 位作者 王新强 闫玮 马燕 姜秀英 杨树人 高鼎三 Chang R P H 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期178-180,共3页
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明 :分段退火样品在 380nm附近出现了... 生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明 :分段退火样品在 380nm附近出现了单一激子发射峰 ,而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ5和Γ6两激子发射峰 ,同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现。 展开更多
关键词 等离子体金属有机物化学汽相淀积 光致发光光谱 ZNO 氧化锌 薄膜 结构 发光特性 退火
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生长温度对ZnO薄膜结构的影响 被引量：1
2
作者 王金忠 王新强 +6 位作者 闫玮 殷宗友 马燕 姜秀英 杨树人 高鼎三 杜国同 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第2期115-118,共4页
在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数。当生... 在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数。当生长温度为520oC时,ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低。当温度为550oC时,可生长出O:Zn为49.99:50:01的近本征ZnO薄膜。 展开更多
关键词 生长温度 XRD SEM 化学计量比 氧化锌薄膜
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等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究 被引量：1
3
作者 王金忠 王新强 +8 位作者 王剑刚 姜秀英 杨树人 杜国同 高鼎三 LIU Xiang CAO Hui XU Junying CHANG R P H 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期502-503,共2页
用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石 (α Al2 O3)上生长了ZnO薄膜 ,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值 ,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量 ,其结果是 :退火薄膜的电子浓度低达 10 15/cm3 量级... 用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石 (α Al2 O3)上生长了ZnO薄膜 ,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值 ,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量 ,其结果是 :退火薄膜的电子浓度低达 10 15/cm3 量级、激光阈值降低近 30倍、X光衍射峰半高宽是 0 .2 9°、在 388nm附近的光致发光谱峰半高宽为 0 .32nm。 展开更多
关键词 等离子体辅助MOCVD X光衍射 光致发光 激光阈值 氧化锌薄膜 退火
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LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管
4
作者 刘宝林 黄美纯 +8 位作者 陈朝 陈丽容 陈龙海 杨树人 陈伯军 王本忠 范爱英 李正庭 刘式墉 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期348-351,共4页
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μ... 采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。 展开更多
关键词 半导体器件 半导体工艺 光电二极管
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高功率阵列半导体激光器的光纤耦合输出 被引量：13
5
作者 薄报学 曲轶 +3 位作者 高欣 王玲 宋晓伟 高鼎三 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期468-470,共3页
采用柱透镜对 10单元阵列半导体激光器的输出光束进行了有效收集和预准直及与多模光纤之间的耦合实验。激光器采用 80 8nm波长、15 0 μm条宽的发射单元 ,周期为 10 0 0 μm,与 2 0 0 μm芯径平端光纤阵列的耦合效率高达 75 % ,光纤输... 采用柱透镜对 10单元阵列半导体激光器的输出光束进行了有效收集和预准直及与多模光纤之间的耦合实验。激光器采用 80 8nm波长、15 0 μm条宽的发射单元 ,周期为 10 0 0 μm,与 2 0 0 μm芯径平端光纤阵列的耦合效率高达 75 % ,光纤输出功率 7.5 W。分析了影响耦合效率的主要因素。 展开更多
关键词 高功率阵列 光纤耦合 半导体激光器
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