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用作超大规模集成电路低k材料的有机薄膜
被引量：
9
1
作者
王鹏飞
张卫
+1 位作者
王季陶
李伟
《微电子技术》
2000年第1期31-36,共6页
详细介绍了几种可用于超大规模集成电路的低介电常数有机薄膜材料 ,比如聚酰亚胺类有机薄膜、聚对二甲苯类有机薄膜和聚烯链类有机薄膜。比较了这几种薄膜之间的特性和制备工艺 ,并就薄膜的结构和制备方法对性能的影响做了进一步的探讨。
关键词
低K材料
集成电路
VLSI
有机薄膜
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职称材料
ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术
被引量：
9
2
作者
王鹏飞
丁士进
+2 位作者
张卫
王季陶
李伟
《微细加工技术》
2001年第1期30-36,共7页
综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺 ,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。
关键词
互连延迟
低介电常数材料
化学气相淀积
集成电路
ULSI
下载PDF
职称材料
低k介质对CMOS芯片动态功耗的影响
被引量：
5
3
作者
王鹏飞
丁士进
+2 位作者
张卫
王季陶
李伟
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》
北大核心
2001年第3期317-321,共5页
利用CMOS电路动态功耗模型,对采用不同介电常数绝缘介质的CMOS集成电路进行模拟,研究了不同特征尺寸集成电路中低介电常数绝缘介质薄膜对电路动态功耗的影响。发现集成电路特征尺寸越小,电路功耗-延迟积与金属互连长度的线性关系越好。...
利用CMOS电路动态功耗模型,对采用不同介电常数绝缘介质的CMOS集成电路进行模拟,研究了不同特征尺寸集成电路中低介电常数绝缘介质薄膜对电路动态功耗的影响。发现集成电路特征尺寸越小,电路功耗-延迟积与金属互连长度的线性关系越好。并且随绝缘介质介电常数降低,电路动态功耗的两个部分:状态翻转功耗与直通短路功耗,都有明显的降低。因此在ULSI中采用低介电常数绝缘介质是降低电路功耗的一种十分有效的途径。
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关键词
低介电常数绝缘介质
互连延迟
动态功耗
CMOS芯片
集成电路
对管例相器单元电路
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职称材料
低介电常数含氟氧化硅薄膜的红外光谱分析
被引量：
1
4
作者
王鹏飞
丁士进
+3 位作者
张卫
张剑云
王季陶
李伟
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期477-482,共6页
用等离子体化学气相淀积 (PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜 (Si OF薄膜 )。通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR)分析 ,研究了氟掺入后薄膜结构的变化 ,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响。研究表明氟掺入后改变了 Si- O键上的电荷分...
用等离子体化学气相淀积 (PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜 (Si OF薄膜 )。通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR)分析 ,研究了氟掺入后薄膜结构的变化 ,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响。研究表明氟掺入后改变了 Si- O键上的电荷分布 ,降低了薄膜中 Si- O键的极性 ,导致 Si- O键伸缩振动吸收峰发生蓝移。同时氟的掺入抑制了强极性 Si- OH键的形成。这些变化有利于薄膜中离子极化和偶极子转向极化的降低 ,因而使薄膜介电常数减小。对 Si- F吸收峰的高斯拟合表明 ,在氟含量较高时 ,薄膜中掺入的氟一部分会以 Si F2 结构存在。由于 Si F2 结构稳定性较差 ,易与水汽发生作用 ,因而高氟掺杂的 Si OF薄膜易吸水 。
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关键词
红外光谱
介电常数
含氟氧化硅薄膜
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职称材料
题名
用作超大规模集成电路低k材料的有机薄膜
被引量：
9
1
作者
王鹏飞
张卫
王季陶
李伟
机构
复旦大学电子工程系
台湾
集成电路
公司
出处
《微电子技术》
2000年第1期31-36,共6页
文摘
详细介绍了几种可用于超大规模集成电路的低介电常数有机薄膜材料 ,比如聚酰亚胺类有机薄膜、聚对二甲苯类有机薄膜和聚烯链类有机薄膜。比较了这几种薄膜之间的特性和制备工艺 ,并就薄膜的结构和制备方法对性能的影响做了进一步的探讨。
关键词
低K材料
集成电路
VLSI
有机薄膜
Keywords
Low k Dielectric Material,Polyimide,CVD
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术
被引量：
9
2
作者
王鹏飞
丁士进
张卫
王季陶
李伟
机构
复旦大学电子工程系
台湾
集成电路
公司
出处
《微细加工技术》
2001年第1期30-36,共7页
基金
国家自然科学基金!资助项目 (6 9776 0 2 6 )
文摘
综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺 ,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。
关键词
互连延迟
低介电常数材料
化学气相淀积
集成电路
ULSI
Keywords
Interconnection delay
Low dielectric constant material
Chemical vapor deposition
分类号
TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
低k介质对CMOS芯片动态功耗的影响
被引量：
5
3
作者
王鹏飞
丁士进
张卫
王季陶
李伟
机构
复旦大学电子工程系
台湾
集成电路
制造
公司
出处
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》
北大核心
2001年第3期317-321,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:69776026)
文摘
利用CMOS电路动态功耗模型,对采用不同介电常数绝缘介质的CMOS集成电路进行模拟,研究了不同特征尺寸集成电路中低介电常数绝缘介质薄膜对电路动态功耗的影响。发现集成电路特征尺寸越小,电路功耗-延迟积与金属互连长度的线性关系越好。并且随绝缘介质介电常数降低,电路动态功耗的两个部分:状态翻转功耗与直通短路功耗,都有明显的降低。因此在ULSI中采用低介电常数绝缘介质是降低电路功耗的一种十分有效的途径。
关键词
低介电常数绝缘介质
互连延迟
动态功耗
CMOS芯片
集成电路
对管例相器单元电路
分类号
TN432.01 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
低介电常数含氟氧化硅薄膜的红外光谱分析
被引量：
1
4
作者
王鹏飞
丁士进
张卫
张剑云
王季陶
李伟
机构
复旦大学电子工程系
台湾
集成电路
制造
公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期477-482,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目 (6 9776 0 2 6 )
文摘
用等离子体化学气相淀积 (PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜 (Si OF薄膜 )。通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR)分析 ,研究了氟掺入后薄膜结构的变化 ,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响。研究表明氟掺入后改变了 Si- O键上的电荷分布 ,降低了薄膜中 Si- O键的极性 ,导致 Si- O键伸缩振动吸收峰发生蓝移。同时氟的掺入抑制了强极性 Si- OH键的形成。这些变化有利于薄膜中离子极化和偶极子转向极化的降低 ,因而使薄膜介电常数减小。对 Si- F吸收峰的高斯拟合表明 ,在氟含量较高时 ,薄膜中掺入的氟一部分会以 Si F2 结构存在。由于 Si F2 结构稳定性较差 ,易与水汽发生作用 ,因而高氟掺杂的 Si OF薄膜易吸水 。
关键词
红外光谱
介电常数
含氟氧化硅薄膜
Keywords
FTIR spectrum
PECVD
dielectric constant
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
O433.4 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用作超大规模集成电路低k材料的有机薄膜
王鹏飞
张卫
王季陶
李伟
《微电子技术》
2000
9
下载PDF
职称材料
2
ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术
王鹏飞
丁士进
张卫
王季陶
李伟
《微细加工技术》
2001
9
下载PDF
职称材料
3
低k介质对CMOS芯片动态功耗的影响
王鹏飞
丁士进
张卫
王季陶
李伟
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》
北大核心
2001
5
下载PDF
职称材料
4
低介电常数含氟氧化硅薄膜的红外光谱分析
王鹏飞
丁士进
张卫
张剑云
王季陶
李伟
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
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