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用于太阳电池吸收层CuInS_2薄膜的RF反应溅射制备及其表征
被引量：
2
1
作者
邵乐喜
张昆辉
黄惠良
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期123-126,共4页
该文报道采用射频反应溅射技术,以铜银合金为靶材、H2S为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS2薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射X-射线谱、X-射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品的结构形貌和组成成分等特性进行...
该文报道采用射频反应溅射技术,以铜银合金为靶材、H2S为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS2薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射X-射线谱、X-射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品的结构形貌和组成成分等特性进行了分析表征,研究了这些特性对沉积参数的依赖关系。通过对溅射功率、衬底温度和H2S流量等工艺参数的优化,获得了单一黄铜矿相结构且沿单一晶向(112)生长的高质量富铜薄膜,晶粒线度达400 nm,薄膜中成分的原子比[Cu+In]/[S]和[Cu]/[Cu+In]可分别接近于1和0.5,并对结果进行了简单讨论。该技术成本低廉、可靠性高,适合于高效太阳电池吸收层薄膜的高均匀度大面积沉积,具有规模化工业生产的推广价值。
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关键词
CulnS2薄膜
射频(RF)反应溅射
太阳电池
下载PDF
职称材料
低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究
2
作者
吴迪
徐永珍
+1 位作者
姜毅
刘会刚
《南开大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期52-57,共6页
首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Fr...
首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Frenkel效应是产生铝掺杂二氧化铪铁电材料晶体管漏电流的主要原因.
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关键词
铁电
铝掺杂二氧化铪
亚阈值摆幅
金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管
原文传递
题名
用于太阳电池吸收层CuInS_2薄膜的RF反应溅射制备及其表征
被引量：
2
1
作者
邵乐喜
张昆辉
黄惠良
机构
湛江师范学院信息科技学院
台湾
清华大学
电子
工程
研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期123-126,共4页
文摘
该文报道采用射频反应溅射技术,以铜银合金为靶材、H2S为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS2薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射X-射线谱、X-射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品的结构形貌和组成成分等特性进行了分析表征,研究了这些特性对沉积参数的依赖关系。通过对溅射功率、衬底温度和H2S流量等工艺参数的优化,获得了单一黄铜矿相结构且沿单一晶向(112)生长的高质量富铜薄膜,晶粒线度达400 nm,薄膜中成分的原子比[Cu+In]/[S]和[Cu]/[Cu+In]可分别接近于1和0.5,并对结果进行了简单讨论。该技术成本低廉、可靠性高,适合于高效太阳电池吸收层薄膜的高均匀度大面积沉积,具有规模化工业生产的推广价值。
关键词
CulnS2薄膜
射频(RF)反应溅射
太阳电池
Keywords
CuInS_2 thin films
RF reactive sputter
solar cells
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
下载PDF
职称材料
题名
低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究
2
作者
吴迪
徐永珍
姜毅
刘会刚
机构
南开
大学
电子
信息与光学
工程
学院
台湾
清华大学
电子
工程
研究所
出处
《南开大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期52-57,共6页
基金
Supported by Ministry of Science and Technology of Taiwan(MOST 105-2221-E-007-109)。
文摘
首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Frenkel效应是产生铝掺杂二氧化铪铁电材料晶体管漏电流的主要原因.
关键词
铁电
铝掺杂二氧化铪
亚阈值摆幅
金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管
Keywords
ferroelectric
Al-doped HfO_(2)
subthreshold swing
MFIS-FET
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于太阳电池吸收层CuInS_2薄膜的RF反应溅射制备及其表征
邵乐喜
张昆辉
黄惠良
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
下载PDF
职称材料
2
低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究
吴迪
徐永珍
姜毅
刘会刚
《南开大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
原文传递
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