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蓝宝石/石墨烯衬底上蓝光LED外延生长及光电性能
被引量:
1
1
作者
林易展
熊飞兵
+5 位作者
李森林
董雪振
高默然
丘金金
周凯旋
李明明
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期603-612,共10页
对在蓝宝石/石墨烯衬底上生长LED(Light-emitting diodes)外延的方法及其对光电性能的改善进行了探究。研究结果表明,蓝宝石/石墨烯衬底具有更低的位错密度,螺位错和刃位错比传统样品分别减少了15.3%和70.8%。拉曼测试也表明蓝宝石/石...
对在蓝宝石/石墨烯衬底上生长LED(Light-emitting diodes)外延的方法及其对光电性能的改善进行了探究。研究结果表明,蓝宝石/石墨烯衬底具有更低的位错密度,螺位错和刃位错比传统样品分别减少了15.3%和70.8%。拉曼测试也表明蓝宝石/石墨烯样品受到的压应力小于传统样品。元素分析结果表明,有源区量子阱生长情况较好,In和Ga元素均匀地分布在量子阱中,未发生相互扩散的情况。光电性能测试结果发现,无论是在工作电流还是饱和电流下,蓝宝石/石墨烯样品的LOP(Light output power)都大于传统样品,工作电流和饱和电流下LOP分别增加了18.4%和36.7%,并且效率下降较传统样品有所改善,相较于传统样品效率下降减少了9.9%。从变温测试结果可以得到,蓝宝石/石墨烯样品也表现出较低的热阻、结温和较小的波长偏移,其平均热阻比传统样品低了5.14℃/W。结果表明,在蓝宝石/石墨烯衬底上外延生长的样品对器件的光电性能和散热性能等都有较大的提升。
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关键词
蓝宝石/石墨烯
晶体质量
效率下降
散热性能
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职称材料
CMP工艺参数对AlGaInP基LED衬底转移的影响
2
作者
王嘉伟
许英朝
+3 位作者
杨凯
鹿晨东
范浩爽
陆逸
《激光杂志》
CAS
北大核心
2024年第3期224-229,共6页
以GaP/Al2O3/SiO2引导式出光结构作为芯片键合层,通过化学机械抛光工艺减少AlGaInP基Mini-LED衬底转移过程中出现的外延层空洞,提高芯片制备工艺良率。以材料去除速率和表面粗糙度作为技术评价指标,基于单因素实验结果对抛光压力、抛光...
以GaP/Al2O3/SiO2引导式出光结构作为芯片键合层,通过化学机械抛光工艺减少AlGaInP基Mini-LED衬底转移过程中出现的外延层空洞,提高芯片制备工艺良率。以材料去除速率和表面粗糙度作为技术评价指标,基于单因素实验结果对抛光压力、抛光头转速、抛光盘转速、抛光液流速四个影响化学机械抛光工艺的因素展开L9(34)的正交实验,实验结果表明:在抛光头转速75 r/min、抛光盘转速80 r/min、抛光压力8 kPa、抛光液流速100 mL/min条件下,材料去除速率为83.12 nm/min,表面粗糙度最低为0.477 nm,采用优化后的工艺条件能够获得高质量的GaAs键合表面,有效减少外延空洞,提高制备良率。
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关键词
化学机械抛光工艺
ALGAINP
正交试验
表面粗糙度
良率
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职称材料
金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响
3
作者
刘智超
林海峰
郭贵田
《厦门理工学院学报》
2024年第1期23-28,共6页
为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯...
为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400~800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。
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关键词
倒装LED芯片
光电性能
金属反射层
Ag/TiW溅射功率
Ar气体流量
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职称材料
价值增值、风险防范下半导体企业预算布局体系研究
被引量:
1
4
作者
赖文河
《财会学习》
2022年第22期61-63,共3页
随着我国经济体系的现代化转型,半导体行业成为我国市场经济以及产业经济不可或缺的组成部分。半导体企业的业务经营过程中面临着较大的成本控制压力、供应链管理压力以及资金流动性管理压力,因此具有价值增值、风险防范属性的预算布局...
随着我国经济体系的现代化转型,半导体行业成为我国市场经济以及产业经济不可或缺的组成部分。半导体企业的业务经营过程中面临着较大的成本控制压力、供应链管理压力以及资金流动性管理压力,因此具有价值增值、风险防范属性的预算布局体系成为半导体企业优化业财融合效益以及缩小成本控制风险的核心内容。半导体企业需要从全面预算管理着手,落实预算执行、资金预结算管理、往来账款管理以及预算收支管理等业财控制工作,以提高成本费用管理效益,实现可持续发展。本文首先分析了半导体企业开展预算管理工作的宏观行业背景,其次剖析了价值增值、风险防范下预算布局体系对于半导体企业可持续发展的作用,最后从预算结构以及风险监控的角度提出半导体企业完善预算布局体系的策略建议,以期优化半导体企业预决算管理的综合效益。
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关键词
价值增值
风险防范
半导企业
预算布局
预算管理
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职称材料
题名
蓝宝石/石墨烯衬底上蓝光LED外延生长及光电性能
被引量:
1
1
作者
林易展
熊飞兵
李森林
董雪振
高默然
丘金金
周凯旋
李明明
机构
厦门
理工学院
厦门
士兰明
镓
化合物
半导体
有限公司
北京石墨烯研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期603-612,共10页
基金
福建省自然科学基金(2020J01297)。
文摘
对在蓝宝石/石墨烯衬底上生长LED(Light-emitting diodes)外延的方法及其对光电性能的改善进行了探究。研究结果表明,蓝宝石/石墨烯衬底具有更低的位错密度,螺位错和刃位错比传统样品分别减少了15.3%和70.8%。拉曼测试也表明蓝宝石/石墨烯样品受到的压应力小于传统样品。元素分析结果表明,有源区量子阱生长情况较好,In和Ga元素均匀地分布在量子阱中,未发生相互扩散的情况。光电性能测试结果发现,无论是在工作电流还是饱和电流下,蓝宝石/石墨烯样品的LOP(Light output power)都大于传统样品,工作电流和饱和电流下LOP分别增加了18.4%和36.7%,并且效率下降较传统样品有所改善,相较于传统样品效率下降减少了9.9%。从变温测试结果可以得到,蓝宝石/石墨烯样品也表现出较低的热阻、结温和较小的波长偏移,其平均热阻比传统样品低了5.14℃/W。结果表明,在蓝宝石/石墨烯衬底上外延生长的样品对器件的光电性能和散热性能等都有较大的提升。
关键词
蓝宝石/石墨烯
晶体质量
效率下降
散热性能
Keywords
sapphire/grapheme
crystal quality
efficiency drop
thermal characteristics
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CMP工艺参数对AlGaInP基LED衬底转移的影响
2
作者
王嘉伟
许英朝
杨凯
鹿晨东
范浩爽
陆逸
机构
厦门
理工学院光电与通信工程学院
厦门
理工学院光电技术与器件福建省重点实验室
厦门
士兰明
镓
化合物
半导体
有限公司
出处
《激光杂志》
CAS
北大核心
2024年第3期224-229,共6页
基金
福建省自然科学基金面上项目(No.2019J01876)
厦门市科技计划重大项目(No.3502ZCQ20191002)。
文摘
以GaP/Al2O3/SiO2引导式出光结构作为芯片键合层,通过化学机械抛光工艺减少AlGaInP基Mini-LED衬底转移过程中出现的外延层空洞,提高芯片制备工艺良率。以材料去除速率和表面粗糙度作为技术评价指标,基于单因素实验结果对抛光压力、抛光头转速、抛光盘转速、抛光液流速四个影响化学机械抛光工艺的因素展开L9(34)的正交实验,实验结果表明:在抛光头转速75 r/min、抛光盘转速80 r/min、抛光压力8 kPa、抛光液流速100 mL/min条件下,材料去除速率为83.12 nm/min,表面粗糙度最低为0.477 nm,采用优化后的工艺条件能够获得高质量的GaAs键合表面,有效减少外延空洞,提高制备良率。
关键词
化学机械抛光工艺
ALGAINP
正交试验
表面粗糙度
良率
Keywords
chemical mechanical polishing
AlGaInP
orthogonal experiment
roughness of surface
yield rate
分类号
TN209.11 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响
3
作者
刘智超
林海峰
郭贵田
机构
福建省光电技术与器件重点实验室
厦门
士兰明
镓
化合物
半导体
有限公司
出处
《厦门理工学院学报》
2024年第1期23-28,共6页
基金
福建省自然科学基金项目(2022J011274)。
文摘
为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400~800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。
关键词
倒装LED芯片
光电性能
金属反射层
Ag/TiW溅射功率
Ar气体流量
Keywords
flip LED chip
photoelectric performance
metal reflector layer
Ag/TiW sputtering power
Ar gas
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
价值增值、风险防范下半导体企业预算布局体系研究
被引量:
1
4
作者
赖文河
机构
厦门
士兰明
镓
化合物
半导体
有限公司
出处
《财会学习》
2022年第22期61-63,共3页
文摘
随着我国经济体系的现代化转型,半导体行业成为我国市场经济以及产业经济不可或缺的组成部分。半导体企业的业务经营过程中面临着较大的成本控制压力、供应链管理压力以及资金流动性管理压力,因此具有价值增值、风险防范属性的预算布局体系成为半导体企业优化业财融合效益以及缩小成本控制风险的核心内容。半导体企业需要从全面预算管理着手,落实预算执行、资金预结算管理、往来账款管理以及预算收支管理等业财控制工作,以提高成本费用管理效益,实现可持续发展。本文首先分析了半导体企业开展预算管理工作的宏观行业背景,其次剖析了价值增值、风险防范下预算布局体系对于半导体企业可持续发展的作用,最后从预算结构以及风险监控的角度提出半导体企业完善预算布局体系的策略建议,以期优化半导体企业预决算管理的综合效益。
关键词
价值增值
风险防范
半导企业
预算布局
预算管理
分类号
F426.63 [经济管理—产业经济]
F406.7
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
蓝宝石/石墨烯衬底上蓝光LED外延生长及光电性能
林易展
熊飞兵
李森林
董雪振
高默然
丘金金
周凯旋
李明明
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
下载PDF
职称材料
2
CMP工艺参数对AlGaInP基LED衬底转移的影响
王嘉伟
许英朝
杨凯
鹿晨东
范浩爽
陆逸
《激光杂志》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
3
金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响
刘智超
林海峰
郭贵田
《厦门理工学院学报》
2024
0
下载PDF
职称材料
4
价值增值、风险防范下半导体企业预算布局体系研究
赖文河
《财会学习》
2022
1
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职称材料
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