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电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜
被引量：
1
1
作者
姚立勇
敖建平
+5 位作者
汤勇
曾海峰
钟福回
黄云翔
毕金莲
高守帅
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期1528-1532,共5页
在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSe_x(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理...
在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSe_x(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理。通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分。综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe_2相很薄。实验发现较低SnSe_x(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经工艺优化得到效率为7.6%的CZTSe太阳电池。
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关键词
CZTSe
电沉积
低硒压硒化
金属预制层
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职称材料
LCOS接口专用集成电路的设计
被引量：
4
2
作者
宋丹娜
代永平
刘艳艳
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期670-674,共5页
根据LCOS显示以及各种输入视频信号的特点,总结了LCOS接口电路的功能特点。以场序彩色显示LCOS接口控制电路的设计实现为例,详细介绍了接口专用集成电路的设计方法。
关键词
LCOS接口电路
场序彩色
ASIC
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职称材料
氨水浓度对化学水浴法制备CdS缓冲层及CZTSe电池性能的影响
3
作者
葛阳
孙顶
+6 位作者
张力
张晓丹
许盛之
张德坤
王奉友
魏长春
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CSCD
北大核心
2015年第12期3401-3405,3410,共6页
主要研究了化学水浴法沉积CdS薄膜中氨水浓度对薄膜材料特性的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计(UV-Vis)等测试手段对制备的CdS薄膜的结构和光学特性进行了分析。结果表明:不同的氨水浓度条件下均得到立方相...
主要研究了化学水浴法沉积CdS薄膜中氨水浓度对薄膜材料特性的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计(UV-Vis)等测试手段对制备的CdS薄膜的结构和光学特性进行了分析。结果表明:不同的氨水浓度条件下均得到立方相CdS薄膜,薄膜沿(111)面择优取向生长。随着氨水浓度增加时CdS薄膜表面逐渐变得致密光滑,CdS薄膜的透过率增强和带隙变宽。在氨水浓度为0.10 mol/L时制备出材料特性最佳的CdS薄膜,其表面紧凑致密无针孔,颗粒大小均匀,将其应用于CZTSe薄膜太阳电池中的缓冲层材料,得到光电转化效率为3.12%的CZTSe薄膜太阳电池(该电池未经任何后硒化处理工艺)。
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关键词
化学水浴法
氨水浓度
CZTSe太阳电池
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职称材料
题名
电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜
被引量：
1
1
作者
姚立勇
敖建平
汤勇
曾海峰
钟福回
黄云翔
毕金莲
高守帅
机构
南开大学
光电子
薄膜
器件
与
技术
研究所
天津市
光电子
薄膜
器件
与
技术
重点
实验室
光电
信息技术
科学
教育部
重点
实验室
华南理工
大学
机械
与
汽车工程学院表面功能结构先进制造广东普通高校
重点
实验室
广东省阳江
市
汉能工业有限公司
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第6期1528-1532,共5页
基金
广东省科技计划(2012A032300009)
文摘
在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSe_x(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSe_x(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理。通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分。综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe_2相很薄。实验发现较低SnSe_x(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经工艺优化得到效率为7.6%的CZTSe太阳电池。
关键词
CZTSe
电沉积
低硒压硒化
金属预制层
Keywords
CZTSe
electrodeposition
selenylation in low selenium pressure
metal layer
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
LCOS接口专用集成电路的设计
被引量：
4
2
作者
宋丹娜
代永平
刘艳艳
机构
南开大学
光电子
薄膜
器件
与
技术
研究所
；
天津市
光电子
薄膜
器件
与
技术
重点
实验室
；
光电
信息技术
科学
教育部
重点
实验室
(
南开大学
)
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期670-674,共5页
基金
天津市自然科学基金资助项目(No.033600711)
天津市科委攻关项目(No.033187011)
文摘
根据LCOS显示以及各种输入视频信号的特点,总结了LCOS接口电路的功能特点。以场序彩色显示LCOS接口控制电路的设计实现为例,详细介绍了接口专用集成电路的设计方法。
关键词
LCOS接口电路
场序彩色
ASIC
Keywords
LCOS
interface circuit
field-sequential-colorization-display
ASIC
分类号
TP331 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN27 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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职称材料
题名
氨水浓度对化学水浴法制备CdS缓冲层及CZTSe电池性能的影响
3
作者
葛阳
孙顶
张力
张晓丹
许盛之
张德坤
王奉友
魏长春
赵颖
机构
南开大学
光电子
薄膜
器件
与
技术
研究所
天津市
光电子
薄膜
器件
与
技术
重点
实验室
光电
信息技术
科学
教育部
重点
实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CSCD
北大核心
2015年第12期3401-3405,3410,共6页
基金
教育部博士点基金(20120031110039)
文摘
主要研究了化学水浴法沉积CdS薄膜中氨水浓度对薄膜材料特性的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计(UV-Vis)等测试手段对制备的CdS薄膜的结构和光学特性进行了分析。结果表明:不同的氨水浓度条件下均得到立方相CdS薄膜,薄膜沿(111)面择优取向生长。随着氨水浓度增加时CdS薄膜表面逐渐变得致密光滑,CdS薄膜的透过率增强和带隙变宽。在氨水浓度为0.10 mol/L时制备出材料特性最佳的CdS薄膜,其表面紧凑致密无针孔,颗粒大小均匀,将其应用于CZTSe薄膜太阳电池中的缓冲层材料,得到光电转化效率为3.12%的CZTSe薄膜太阳电池(该电池未经任何后硒化处理工艺)。
关键词
化学水浴法
氨水浓度
CZTSe太阳电池
Keywords
chemical bath deposition
ammonia concentration
CZTSe solar cell
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TM914.4 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜
姚立勇
敖建平
汤勇
曾海峰
钟福回
黄云翔
毕金莲
高守帅
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
下载PDF
职称材料
2
LCOS接口专用集成电路的设计
宋丹娜
代永平
刘艳艳
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
下载PDF
职称材料
3
氨水浓度对化学水浴法制备CdS缓冲层及CZTSe电池性能的影响
葛阳
孙顶
张力
张晓丹
许盛之
张德坤
王奉友
魏长春
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
已选择
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