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玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路
被引量：
5
1
作者
吴春亚
孟志国
+6 位作者
李娟
马海英
赵淑云
刘建平
熊绍珍
郭海成
王文
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1349-1352,共4页
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工...
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUCpoly-SiTFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品.
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关键词
金属诱导单一方向横向晶化
多晶硅薄膜晶体管
显示驱动电路
全集成显示
下载PDF
职称材料
用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜
被引量：
2
2
作者
刘召军
孟志国
+3 位作者
赵淑云
郭海成
吴春亚
熊绍珍
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期2775-2782,共8页
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内...
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.
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关键词
自缓释
金属诱导横向晶化
多晶硅薄膜
低温制备与退火
原文传递
题名
玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路
被引量：
5
1
作者
吴春亚
孟志国
李娟
马海英
赵淑云
刘建平
熊绍珍
郭海成
王文
机构
南开大学
信息学
院
光电子
薄膜
器件
与
技术
研究所
香港科技
大学
电机
电子
工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1349-1352,共4页
基金
国家自然科学基金(No:60437030)
国家"863"平板显示专项(No:2004AA303570)
国家出国留学人员回国基金和香港RGC的资助
文摘
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUCpoly-SiTFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品.
关键词
金属诱导单一方向横向晶化
多晶硅薄膜晶体管
显示驱动电路
全集成显示
Keywords
metal induced unilateral crystallization poly-Si TFF
display driver circuit
display system on panel
分类号
TN325 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜
被引量：
2
2
作者
刘召军
孟志国
赵淑云
郭海成
吴春亚
熊绍珍
机构
南开大学
信息学
院
光电子
薄膜
器件
与
技术
研究所
香港科技
大学
电子
及计算机工程系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期2775-2782,共8页
基金
国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030)
天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助的课题~~
文摘
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.
关键词
自缓释
金属诱导横向晶化
多晶硅薄膜
低温制备与退火
Keywords
tardily self-release
metal induced lateral crystallization
poly-silicon thin film
low temperature preparation and annealing treatment
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路
吴春亚
孟志国
李娟
马海英
赵淑云
刘建平
熊绍珍
郭海成
王文
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
5
下载PDF
职称材料
2
用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜
刘召军
孟志国
赵淑云
郭海成
吴春亚
熊绍珍
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
原文传递
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