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超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器
被引量：
10
1
作者
陈琛
孙可旭
+2 位作者
冯建宇
奚剑雄
何乐年
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期1669-1675,共7页
为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低...
为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低频主极点放置在第一级输出,将缓冲器输出极点和LDO输出极点作为次极点构成极点-极点追踪,达到无片外电容LDO稳定性和瞬态响应的要求.芯片采用GSMC公司的130nm CMOC工艺模型设计并经流片测试.测试结果表明:在1.6~4V输入电压下,输出1.5V电压,最大输出电流为1.5mA时静态电流小于881nA.测试结果验证了设计要求.
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关键词
低压差线性稳压器
超低功耗
无片外电容
嵌套密勒补偿(NMC)
阻抗衰减缓冲器
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职称材料
题名
超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器
被引量：
10
1
作者
陈琛
孙可旭
冯建宇
奚剑雄
何乐年
机构
浙江
大学
超大规模集成电路设计研究所
南
卫理公会
大学
电子
工程系
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期1669-1675,共7页
基金
浙江省重点科技计划资助项目(2014C31054)
文摘
为了减小无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的功耗并提高稳定性,提出带有阻抗衰减缓冲器的LDO.该LDO主环路采用三级运放结构,具有动态偏置并联反馈结构和摆率增强电路的缓冲器作为中间级,驱动PMOS功率管.使用嵌套密勒补偿方式(NMC),将低频主极点放置在第一级输出,将缓冲器输出极点和LDO输出极点作为次极点构成极点-极点追踪,达到无片外电容LDO稳定性和瞬态响应的要求.芯片采用GSMC公司的130nm CMOC工艺模型设计并经流片测试.测试结果表明:在1.6~4V输入电压下,输出1.5V电压,最大输出电流为1.5mA时静态电流小于881nA.测试结果验证了设计要求.
关键词
低压差线性稳压器
超低功耗
无片外电容
嵌套密勒补偿(NMC)
阻抗衰减缓冲器
Keywords
low-dropout regulator
ultra low power
no off-chip capacitor
nested Miller compensation（NMC）
impedance attenuation buffer
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN86
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超低功耗无片外电容的低压差线性稳压器
陈琛
孙可旭
冯建宇
奚剑雄
何乐年
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
10
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职称材料
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