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邻域参数动态变化的局部线性嵌入 被引量:35
1
作者 文贵华 江丽君 文军 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第7期1666-1673,共8页
局部线性嵌入是最有竞争力的非线性降维方法,有较强的表达能力和计算优势.但它们都采用全局一致的邻城大小,只适用于均匀分布的流形,无法处理现实中大量存在的非均匀分布流形.为此,提出一种邻域大小动态确定的新局部线性嵌入方法.它采用... 局部线性嵌入是最有竞争力的非线性降维方法,有较强的表达能力和计算优势.但它们都采用全局一致的邻城大小,只适用于均匀分布的流形,无法处理现实中大量存在的非均匀分布流形.为此,提出一种邻域大小动态确定的新局部线性嵌入方法.它采用Hessian局部线性嵌入的概念框架,但用每个点的局部邻域估计此邻域内任意点之间的近似测地距离,然后根据近似测地距离与欧氏距离之间的关系动态确定该点的邻域大小,并以此邻域大小构造新的局部邻域.算法几何意义清晰,在观察数据稀疏和数据带噪音等情况下,都比现有算法有更强的鲁棒性.标准数据集上的实验结果验证了所提方法的有效性. 展开更多
关键词 流形学习 Hessian局部线性嵌入 邻域大小 降维
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添加物对SrTiO_3基高压电容器陶瓷的改性作用 被引量:11
2
作者 张庆秋 李耀霖 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期65-69,共5页
本文研究了Bi2O3·nTiO2、Pb2+、Mn2+和Zn2+对SrTiO3基高压电容器陶瓷的改性作用,获得了2B4组的高压电容器瓷料,其性能指标如下:ε20℃=2000±100   tgδ≤50×10-4   ρv>1011Ω·cmΔε/ε20℃<±10%... 本文研究了Bi2O3·nTiO2、Pb2+、Mn2+和Zn2+对SrTiO3基高压电容器陶瓷的改性作用,获得了2B4组的高压电容器瓷料,其性能指标如下:ε20℃=2000±100   tgδ≤50×10-4   ρv>1011Ω·cmΔε/ε20℃<±10%Ts=1200±10℃Eb> 展开更多
关键词 介电性能 高压电容器 陶瓷 钛酸锶 改性 添加物
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BNT-BT和BNT-BKT基无铅压电陶瓷研究进展 被引量:13
3
作者 陈志武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期14-18,共5页
综述了Bi0.5Na0.5 TiO3-BaTiO3系和Bi0.5Na0.5TiO3-Bi0.5K0.5TiO3系无铅压电陶瓷的最新研究进展。总结了各种添加剂对这两种无铅压电陶瓷体系压电性能的影响机理和规律,介绍了当前以各种工艺对其微观结构和压电性能进行改进的研究成... 综述了Bi0.5Na0.5 TiO3-BaTiO3系和Bi0.5Na0.5TiO3-Bi0.5K0.5TiO3系无铅压电陶瓷的最新研究进展。总结了各种添加剂对这两种无铅压电陶瓷体系压电性能的影响机理和规律,介绍了当前以各种工艺对其微观结构和压电性能进行改进的研究成果,并展望了这两种无铅压电陶瓷体系的发展趋势。 展开更多
关键词 钛酸铋钠-钛酸钡 钛酸铋钠-钛酸铋钾 无铅 压电陶瓷
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压电变压器的研究进展 被引量:7
4
作者 黄耀庭 凌志远 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期7-10,共4页
压电变压器是一种很有发展前景的固体电子器件,有高转换效率、高能量密度、结构简单、体积小、无电磁噪声及不可燃烧等特点。介绍了压电变压器的结构、工作原理、制造方法,综述了国内外压电变压器陶瓷材料、结构设计、理论模型和应用研... 压电变压器是一种很有发展前景的固体电子器件,有高转换效率、高能量密度、结构简单、体积小、无电磁噪声及不可燃烧等特点。介绍了压电变压器的结构、工作原理、制造方法,综述了国内外压电变压器陶瓷材料、结构设计、理论模型和应用研究的进展情况,并对压电变压器未来的发展趋势作了展望。 展开更多
关键词 压电陶瓷 压电变压器 研究进展
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铁电薄膜材料及其相关问题研究进展 被引量:4
5
作者 陈志武 卢振亚 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期83-86,共4页
铁电薄膜材料是目前国际上研究的热点之一。综述了铁电薄膜及其制备技术研究的新进展,介绍铁电薄膜材料的性能及应用,并重点分析了铁电薄膜不同制备技术的优缺点,指出了目前关于铁电薄膜研究中的一些重要问题。
关键词 铁电薄膜材料 研究进展 相关 制备技术 优缺点
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Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3基无铅压电陶瓷设计与制备研究的新进展 被引量:5
6
作者 陈志武 卢振亚 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1514-1521,共8页
综述了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷体系研究的最新进展,介绍了BNT基无铅压电陶瓷的设计方法及其制备技术。用自洽场离散变分法(self-consultcharge–discretevariation-Xα,SCC–DV-Xα)等计算方法可为设计新型BNT基陶瓷提供重... 综述了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷体系研究的最新进展,介绍了BNT基无铅压电陶瓷的设计方法及其制备技术。用自洽场离散变分法(self-consultcharge–discretevariation-Xα,SCC–DV-Xα)等计算方法可为设计新型BNT基陶瓷提供重要的理论指导。用湿化学法,包括:溶胶–凝胶法、柠檬酸盐法、水热法等,可以合成BNT基纳米粉体,该类方法制备的BNT基粉体具有良好烧结活性,利于致密化烧结,使材料电性能得到改善。用模板晶粒生长技术可获得晶粒生长定向程度很高的BNT基压电陶瓷材料,进而提高材料在特定方向的压电性能。 展开更多
关键词 钛酸铋钠 无铅压电陶瓷 设计 晶粒定向 综述
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低温烧结0.5CaTiO_3-0.5CaTiSiO_5高频介质陶瓷 被引量:4
7
作者 黄雯雯 凌志远 +2 位作者 欧瑞江 何新华 张庆秋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期14-16,共3页
对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究.实验结果表明:添加质量分数为5%~10% 2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,εr = 58~76... 对添加2ZnO-B2O3玻璃实现0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 高频介质材料900℃下低温烧结进行了系统研究.实验结果表明:添加质量分数为5%~10% 2ZnO-B2O3玻璃可使体积密度达到0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5理论密度的97%以上,且介电性能优异,εr = 58~76,tgδ≤ 3.3×10-4,αε= (329~472)×10-6/℃,ρν≥ 1012 Ω?cm.利用XRD、SEM和介电测量技术分析材料的晶相组成、显微结构和介电特性发现:材料由三种晶相组成,分别是单斜型CaTiSiO5、正交型CaTiO3以及一个新相,新相的生成可能是在液相烧结后期2ZnO-B2O3 玻璃在晶界处结晶而形成,低温烧结0.5CaTiO3-0.5CaTiSiO5 介质材料的介电性能很好地遵循李氏对数混合法则. 展开更多
关键词 高频介质陶瓷 玻璃 低温烧结 介电性能
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基于相对流形的局部线性嵌入 被引量:5
8
作者 文贵华 陆庭辉 +1 位作者 江丽君 文军 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第9期2376-2386,共11页
局部线性嵌入算法极大地依赖于邻域是否真实地反映了流形的内在结构,现有方法构造的邻域结构是拓扑不稳定的,对噪音和稀疏数据敏感.根据认知的相对性规律提出了相对变换,并用其构造了相对空间和相对流形.相对变换可以提高数据之间的可... 局部线性嵌入算法极大地依赖于邻域是否真实地反映了流形的内在结构,现有方法构造的邻域结构是拓扑不稳定的,对噪音和稀疏数据敏感.根据认知的相对性规律提出了相对变换,并用其构造了相对空间和相对流形.相对变换可以提高数据之间的可区分性,并能抑制噪音和数据稀疏的影响.在构造的相对空间和相对流形上确定数据点的邻域能够更真实地反映流形的内在结构,由此提出了增强的局部线性嵌入算法,明显地提高了性能,特别是基于流形的方法还同时提高了速度.标准数据集上的实验结果验证了该方法的有效性. 展开更多
关键词 局部线性嵌入 相对变换 相对流形 邻域图
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低电阻率、大升阻比BaTiO_3基PTCR陶瓷材料 被引量:3
9
作者 毛翠萍 陈亿裕 +1 位作者 韩晓东 江涛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期35-37,共3页
研究了Sb2O3和Ta2O5双施主掺杂对低电阻率的BaTiO3陶瓷PTC特性的影响。在Sb2O3和Ta2O5的摩尔分数分别为0.1%和0.01%时,得到了室温电阻率为4.59 Ω·cm,升阻比为3.4的优质PTCR陶瓷材料。通过XRD 、SEM显微结构分析;复阻抗测试,估计... 研究了Sb2O3和Ta2O5双施主掺杂对低电阻率的BaTiO3陶瓷PTC特性的影响。在Sb2O3和Ta2O5的摩尔分数分别为0.1%和0.01%时,得到了室温电阻率为4.59 Ω·cm,升阻比为3.4的优质PTCR陶瓷材料。通过XRD 、SEM显微结构分析;复阻抗测试,估计晶粒和晶界电阻值,探讨了Sb2O3和Ta2O5的作用机制。 展开更多
关键词 双施主掺杂 PTC特性 电阻率 升阻比
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液相施主及高钙添加对PTC材料性能的影响 被引量:4
10
作者 孙宏全 陈亿裕 毛翠萍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期48-51,共4页
采用液相施主掺杂和高钙添加相结合的方法,制得性能优良,适合程控电话交换机防雷击、防过流用的耐强电限流器件的PTC材料。在液相施主Y(NO3)3的添加量(摩尔分数)为0.4%,CaCO3添加量(摩尔分数)为15%时,得到了室温电阻率为140?·cm,... 采用液相施主掺杂和高钙添加相结合的方法,制得性能优良,适合程控电话交换机防雷击、防过流用的耐强电限流器件的PTC材料。在液相施主Y(NO3)3的添加量(摩尔分数)为0.4%,CaCO3添加量(摩尔分数)为15%时,得到了室温电阻率为140?·cm,居里点tC为74℃,阻温系数α为13.9%℃–1,升阻比lg(ρmax/ρmin)为7.2,耐压强度Vb≥260V/mm的PTC材料。 展开更多
关键词 电子技术 PTC材料 耐强电 液相施主掺杂 高钙添加
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PTC陶瓷限流元件耐流性能研究 被引量:2
11
作者 陈亿裕 夏继红 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1996年第6期33-36,共4页
研究程控电话交换机过流保护用PTC陶瓷限流元件经受大的工频电流冲击的能力与材料电阻率、居里温度及温度系数等参数的关系。
关键词 PTC陶瓷 限流元件 耐流性能 温度系数
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低电阻率高居里点PTCR材料的研究 被引量:1
12
作者 胡毅 陈亿裕 苏卫彦 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期61-63,共3页
为了获得适合低压特种变压器、手机等用过流过热保护作用的高居里点、低电阻率的PTCR材料,在采用传统的电子陶瓷制造工艺的基础上,通过液相施主掺杂及对改性剂配方优化的方法进行了研究。当液相掺杂Sb3+的添加量为0.1%时(摩尔分数),获... 为了获得适合低压特种变压器、手机等用过流过热保护作用的高居里点、低电阻率的PTCR材料,在采用传统的电子陶瓷制造工艺的基础上,通过液相施主掺杂及对改性剂配方优化的方法进行了研究。当液相掺杂Sb3+的添加量为0.1%时(摩尔分数),获得了居里点tC为150℃、ρv为4.7?.cm、升阻比lg(ρmax/ρmin)为3.3的PTC材料。通过电性能测试、SEM显微结构分析和复阻抗测试,探讨了作用机理。 展开更多
关键词 电子技术 FTCR材料 低电阻率 液相掺杂 高居里点
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局部测地距离估计的Hessian局部线性嵌入 被引量:2
13
作者 文贵华 江丽君 文军 《智能系统学报》 2008年第5期429-435,共7页
为处理极度弯曲的数据流形,提出了基于局部测地距离估计的Hessian局部线性嵌入算法.算法采用Hessian局部线性嵌入(HLLE)的概念框架,采用局部估计的测地距离而不是欧氏距离来确定每个点的邻域,从而减少数据流形弯曲对邻域选择的影响.算... 为处理极度弯曲的数据流形,提出了基于局部测地距离估计的Hessian局部线性嵌入算法.算法采用Hessian局部线性嵌入(HLLE)的概念框架,采用局部估计的测地距离而不是欧氏距离来确定每个点的邻域,从而减少数据流形弯曲对邻域选择的影响.算法可认为是全局和局部方法的综合,在性能上不仅比HLLE显著提高,有更强的鲁棒性,而且时间增加不明显.标准数据集上的实验结果验证了所提方法的有效性. 展开更多
关键词 流形学习 Hessian变换 局部线性嵌入 测地距离
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铁电陶瓷材料在交变电场作用下的电疲劳研究
14
作者 陈志武 张颖 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1109-1113,共5页
研究了PLZT铁电陶瓷的电疲劳特性。结果表明:在加上极化电场以后,相对于未疲劳试样,电疲劳试样中沿着电场方向翻转的电畴较少,沿偏离电场方向的电畴较多。SEM分析表明疲劳前样品的断裂模式主要为穿晶断裂,而疲劳后主要为沿晶断裂。利用... 研究了PLZT铁电陶瓷的电疲劳特性。结果表明:在加上极化电场以后,相对于未疲劳试样,电疲劳试样中沿着电场方向翻转的电畴较少,沿偏离电场方向的电畴较多。SEM分析表明疲劳前样品的断裂模式主要为穿晶断裂,而疲劳后主要为沿晶断裂。利用原位XRD分析得出样品在交流电场下由90o畴变导致的畴变应变高达0.1%,这种反复高畴变应变造成的沿晶微裂纹是造成疲劳试样电畴沿电场方向翻转减少的主要原因,并最终导致了铁电陶瓷的电疲劳。 展开更多
关键词 铁电陶瓷 电疲劳 电畴取向 微裂纹
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SrTiO_3基中高压电容器瓷料的合成条件研究
15
作者 张庆秋 凌志远 何新华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2001年第5期12-15,共4页
在文献 [6]的基础上 ,进行了详细的合成条件研究 ,结果表明 ,2B4 -2 0 0 0组SrTiO3 基中高压电容器瓷料可采用工艺流程较短 ,能耗较低的一次预烧合成工艺制备。其主要性能指标达到 :ε(2 0℃ ) ≥2 0 0 0   tgδ 4 0× 1 0 -4 ... 在文献 [6]的基础上 ,进行了详细的合成条件研究 ,结果表明 ,2B4 -2 0 0 0组SrTiO3 基中高压电容器瓷料可采用工艺流程较短 ,能耗较低的一次预烧合成工艺制备。其主要性能指标达到 :ε(2 0℃ ) ≥2 0 0 0   tgδ 4 0× 1 0 -4    ρv≥1 0 12 Ω·cmΔε/ε2 0°c<± 1 0 %   Eb> 展开更多
关键词 合成条件 介电性能 SrTiO3基 中高压电容器 瓷料 陶瓷
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掺Sr改性Bi_(0.5)(Na_(0.8)K_(0.2))_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷的微观结构和性能研究
16
作者 陈志武 卢振亚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期456-459,共4页
采用传统的陶瓷工艺制备了Sr掺杂Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3无铅压电陶瓷(化学式为[Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5]1-xSrxTiO3,x=0-0.1),研究了Sr掺杂对陶瓷样品的微观结构、压电以及介电性能的影响。X射线衍射结果表明:当掺杂量较小时(x=0,0.02),... 采用传统的陶瓷工艺制备了Sr掺杂Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3无铅压电陶瓷(化学式为[Bi0.5(Na0.8K0.2)0.5]1-xSrxTiO3,x=0-0.1),研究了Sr掺杂对陶瓷样品的微观结构、压电以及介电性能的影响。X射线衍射结果表明:当掺杂量较小时(x=0,0.02),样品为四方相;随着掺杂量的增加(x=0.04-0.1),样品逐渐转变为三方相。压电与介电性能测试结果表明:样品的压电常数d33和机电耦合系数kp开始时都随着x的增加而逐渐增大,并分别在x=0.06和x=0.04时达到最大值,其后随着x的增加都逐渐减小;样品的介电常数εT33/ε0则随x的增加而几乎线性增加。在x=0.06时,样品的d33=178pC/N,kp=31%,εT33/ε0=850。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 压电性能 介电性能 微观结构
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基于树型编码的矩形布局算法
17
作者 江丽君 《计算机时代》 2003年第8期34-35,共2页
优化布局的目的是根据给定待排零件对板材进行最优切割使得板材的利用率尽可能地高。本文提出一种基于遗传算法的矩形件排样布局算法,该算法直接采用布局树(二叉树)作为种群编码,并重新定义了相关的适应值函数、重组和变异等遗传算子。... 优化布局的目的是根据给定待排零件对板材进行最优切割使得板材的利用率尽可能地高。本文提出一种基于遗传算法的矩形件排样布局算法,该算法直接采用布局树(二叉树)作为种群编码,并重新定义了相关的适应值函数、重组和变异等遗传算子。实验和应用表明算法是成功的。 展开更多
关键词 矩形布局算法 树型编码 数据结构 布局树 C语言
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(Ni_(0.8)Zn_(0.2))O石盐相对(Ni_(0.4)Zn_(0.6))Fe_2O_4尖晶石铁氧体电磁性能的影响 被引量:1
18
作者 王科 凌志远 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1151-1155,共5页
测量并比较了掺有不同量(Ni0.8Zn0.2)O石盐相添加物(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4尖晶石铁氧体的电磁特性.发现(1-x)(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4+x(Ni0.8Zn0.2)O铁氧体磁导率频谱在x=0.05时出现可以用Johnson和Visser磁路模型... 测量并比较了掺有不同量(Ni0.8Zn0.2)O石盐相添加物(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4尖晶石铁氧体的电磁特性.发现(1-x)(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4+x(Ni0.8Zn0.2)O铁氧体磁导率频谱在x=0.05时出现可以用Johnson和Visser磁路模型合理解释的异常突变.将这一现象结合X射线衍射、体积密度、直流电阻率、磁导率温谱的实验数据进行分析,我们得出以下结论:当x≤0.05时,铁氧体为单一尖晶石相,尖晶石晶格中少量氧缺位的存在促进了晶粒的生长,提高了瓷体的致密度;当x>0.05时,铁氧体为尖晶石和石盐石两相混合物,在晶界处非磁性石盐相y<0.8(NiyZn1-y)O的存在阻碍了尖晶石晶粒的生长,降低了瓷体的致密化程度. 展开更多
关键词 石盐相 尖晶石相 铁氧体 微观结构 电磁性能
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(1-x)(Ni_(0.4)Zn_(0.6))Fe_2O_4+x(Ni_(0.8)Zn_(0.2))O铁氧体的微观结构与电磁特性 被引量:1
19
作者 凌志远 王科 张庆秋 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2001年第5期5-9,共5页
对 ( 1 - x) ( Ni0 .4 Zn0 .6) Fe2 O4 + x( Ni0 .8Zn0 .2 ) O铁氧体的 X射线衍射、体积密度、直流体电阻率、磁导率温度谱和频率谱等测试数据进行比较分析发现 :当 x≤ 0 .0 5时 ,铁氧体为单纯的尖晶石相 ,尖晶石晶格中少量氧缺位存在... 对 ( 1 - x) ( Ni0 .4 Zn0 .6) Fe2 O4 + x( Ni0 .8Zn0 .2 ) O铁氧体的 X射线衍射、体积密度、直流体电阻率、磁导率温度谱和频率谱等测试数据进行比较分析发现 :当 x≤ 0 .0 5时 ,铁氧体为单纯的尖晶石相 ,尖晶石晶格中少量氧缺位存在有利于促进晶粒的生长 ,提高铁氧体初始磁导率和致密度 ;当 x>0 .0 5时 ,铁氧体为尖晶石和石盐石两相复合体 ,非磁性石盐石相 ( Niy Zn1- y)O( y<0 .8)在晶界处的存在极大地减缓了晶粒的生长速度 ,促进了晶粒细化 。 展开更多
关键词 石盐石相 尖晶石相 微观结构 电磁特性 (1-x)(Ni0.4Zn0.6)Fe2O4+x(Ni0.8Zn0.2)O铁氧体 温度稳定性
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片式无源温度补偿衰减器——原理、设计、制作、应用及发展趋势
20
作者 廖进福 凌志远 +1 位作者 沓世我 付振晓 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第8期9-18,共10页
无源温度补偿衰减器主要用于稳定射频微波放大器的增益随温度的变化。本文对该类器件的原理、设计、制作、应用及发展趋势等各方面做了系统的介绍。相对于其他补偿方案,使用此类器件具有设计简单、成本低、性能优异等特点。无源温补衰... 无源温度补偿衰减器主要用于稳定射频微波放大器的增益随温度的变化。本文对该类器件的原理、设计、制作、应用及发展趋势等各方面做了系统的介绍。相对于其他补偿方案,使用此类器件具有设计简单、成本低、性能优异等特点。无源温补衰减器的核心设计在于选取正温度系数(PTC)和负温度系数(NTC)热敏电阻的阻值及其温度系数,以使衰减量随温度接近线性变化而保持特征阻抗基本不变。目前,此类器件主要采用厚膜工艺制作,其关键材料为系列化的热敏电阻浆料。薄膜化是器件未来发展的重要方向,而其中NTC热敏电阻的薄膜化仍面临重大的技术挑战,需要解决材料性能及其系列化等难题。 展开更多
关键词 温度补偿 衰减量 温度系数 热敏电阻 厚膜工艺 薄膜化
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