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绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究 被引量：2
1
作者 林海波 徐晓轩 +3 位作者 吴宏滨 王斌 俞钢 张存洲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期469-472,共4页
为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性... 为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/A l电极结构PLED s器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。 展开更多
关键词 聚合物发光二极管 P-PPV LIF 金属-半导体界面
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一种新型共轭聚合物发光二极管老化的拉曼光谱研究 被引量：3
2
作者 林海波 徐晓轩 +4 位作者 吴宏滨 武中臣 俞钢 许京军 张存洲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期701-703,共3页
通过显微共焦拉曼光谱 ,对一种以新型的共轭聚合物半导体材料 3,4 (2 乙基己氧基 )苯基 1,3 丙二醇酯 (poly(2 (4 Ethylhexyl) phenyl 1,4 phenylenevinylene) (P PPV) )为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)器件进行了老化研究 ,无... 通过显微共焦拉曼光谱 ,对一种以新型的共轭聚合物半导体材料 3,4 (2 乙基己氧基 )苯基 1,3 丙二醇酯 (poly(2 (4 Ethylhexyl) phenyl 1,4 phenylenevinylene) (P PPV) )为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)器件进行了老化研究 ,无论是光致发光光谱还是拉曼光谱都提供证据说明造成器件老化的原因主要是发光层的聚合物的主链结构 ,即聚合物的共轭结构被破坏 ,这对提高以P PPV作为发光层的PLEDs器件的性能提出有用信息。 展开更多
关键词 共轭聚合物 发光二极管 器件老化 拉曼光谱 共轭结构 电致发光
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金属氟化物对聚合物发光二极管发光性能的提高 被引量：3
3
作者 林海波 吴宏滨 +4 位作者 徐晓轩 王斌 于肇贤 俞钢 张存洲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期546-550,共5页
在以聚合物发光材料MEH PPV为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的金属氟化物,发光器件的发光性能有所提高,而且绝缘层的厚度会影响器件性能提高的最终效果。特别是具有LiF/Al的双层电极的发光... 在以聚合物发光材料MEH PPV为发光层的聚合物发光二极管(PLEDs)的金属阴极与聚合物发光层之间插入一层绝缘的金属氟化物,发光器件的发光性能有所提高,而且绝缘层的厚度会影响器件性能提高的最终效果。特别是具有LiF/Al的双层电极的发光器件,其发光特性与工作性能优良,但稳定性较差的Ba(Ca)/Al电极结构器件的发光特性具有可比性。初步分析表明绝缘层的插入造成了发光聚合物层与金属电极界面的能带发生弯曲,降低了发光器件中少数载流子电子的注入势垒,提高了发光器件中少数载流子电子的注入效率。从而最终导致了发光器件的开启电压、发光强度、外量子效率及电流效率等发光性能指标的显著提高。 展开更多
关键词 聚合物发光二极管 MEH-PPV 阴极 氟化锂
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新型共轭聚合物PFO-BT15发光二极管的电老化研究 被引量：2
4
作者 秦哲 许伟 +5 位作者 林海波 王斌 孙秀峰 徐晓轩 俞钢 张存洲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1741-1744,共4页
PFO-BT15是一种电致发光中心波长为550 nm的新型共轭高分子聚合物材料,将其制成发光二极管器件,结构为ITO玻璃/聚合物PEDOT(120nm)/有机聚合物PFO-BT15(80nm)/Ba(4nm)/Al(200nm),用环氧树脂对阴极侧进行了封装,以减少氧气和水分的进入,... PFO-BT15是一种电致发光中心波长为550 nm的新型共轭高分子聚合物材料,将其制成发光二极管器件,结构为ITO玻璃/聚合物PEDOT(120nm)/有机聚合物PFO-BT15(80nm)/Ba(4nm)/Al(200nm),用环氧树脂对阴极侧进行了封装,以减少氧气和水分的进入,从而影响器件的发光性能。在室温环境下对同样的器件进行不同电流密度的电老化处理,记录器件的电流电压曲线,再对老化的样品做电致发光和喇曼光谱测试。实验发现:一方面,通过器件恒定电流的大小影响器件的电压变化速度;另一方面,器件经过一定长时间的电老化,电致发光中心波长变化较小。通过啦曼光谱的测试,推断是因为PEDOT阳极的破损导致了器件的最终发光失败,而器件发光层材料的结构保持相对稳定,说明这种结构的聚合物有着相对稳定的光电性能,对于提高材料发光的稳定性提供了有价值的信息,有助于其他高效发光材料的合成以及稳定性的提高。 展开更多
关键词 共轭聚合物 电老化 电致发光 喇曼光谱
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苯端基十二硅烷齐聚物薄膜的液晶自组装性 被引量：1
5
作者 彭俊彪 朱召胜 +5 位作者 高维先 曹镛 Okumoto H Minami N Yatabe T Ichino Y 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第3期157-162,共6页
通过毛细现象制备苯端基十二硅烷齐聚物 (PhMS1 2 )薄膜 ,发现该薄膜在室温下具有分子链垂直于衬底的层状结构排列方式。极化偏光显微镜照片显示PhMS1 2薄膜具有均匀畴区 ,平均线度达到几百微米。极化吸收光谱证明畴区内这种有序的分子... 通过毛细现象制备苯端基十二硅烷齐聚物 (PhMS1 2 )薄膜 ,发现该薄膜在室温下具有分子链垂直于衬底的层状结构排列方式。极化偏光显微镜照片显示PhMS1 2薄膜具有均匀畴区 ,平均线度达到几百微米。极化吸收光谱证明畴区内这种有序的分子排列导致分子面取向具有相同趋势 ,差热分析证明PhMS1 2在 1 2 6～ 1 3 3℃之间呈现液晶性 ,进一步分析表明这种高温状态呈现的液晶性使分子产生有序排列 ,这种有序排列能够从液晶态保持到晶态。 展开更多
关键词 苯端基十二硅烷齐聚物薄膜 自组装性 液晶性 多层结构
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有机电致发光材料研究进展 被引量：12
6
作者 黄剑 曹镛 《化工新型材料》 CAS CSCD 2001年第9期10-15,共6页
本文综述了有机电致发光材料的研究进展 ,重点介绍了聚合物电致发光材料的研究 。
关键词 有机电致发光材料 聚合物 有机半导体激光 研究进展
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化学沉淀法用于多种形貌ZnS纳米晶的可控合成 被引量：6
7
作者 刘金成 於黄忠 +2 位作者 覃东欢 彭俊彪 曹镛 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1003-1007,共5页
以辛基酚聚氧乙烯醚(OP-10)为表面活性剂,二甲基甲酰胺(DMF)/水为溶剂,用沉淀法制备了纳米球、纳米棒、纳米片等多种形貌可控的ZnS纳米晶,并且用透射电子显微镜、X射线衍射、紫外吸收、荧光光谱对其进行了表征,并且分析了其形貌转变机理.
关键词 硫化锌 形貌 纳米晶
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新型含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与光电性能 被引量：1
8
作者 曹蔚 董海星 +2 位作者 黄飞 申慧琳 曹镛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期547-552,共6页
采用Suzuk i偶合反应成功地合成了一系列在主链上具有不同含量苯并噻二唑单元的聚咔唑和含胺基芴的衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BTDZ);通过对所得聚合物的季铵盐化后处理得... 采用Suzuk i偶合反应成功地合成了一系列在主链上具有不同含量苯并噻二唑单元的聚咔唑和含胺基芴的衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BTDZ);通过对所得聚合物的季铵盐化后处理得到了其相应的聚电解质衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-(双(3-(′N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNB r-BTDZ)。通过对它们的电致发光性能的研究,发现所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件具有和用钡/铝作阴极的器件相近的发光性能,说明这类聚合物具有良好的电子注入性能。不同比例的2,1,3-苯并噻二唑(BTDZ)的引入使聚合物中发生有效的能量转移,调节了聚合物的发光颜色;同时也提高了聚合物的器件性能。其中聚合物PCzN-BTDZ1在器件结构为ITO/PEDOT/PVK/Polym er/BaA l时的效率达0.99%,高于PCzN在相同器件结构时的效率(0.14%)。 展开更多
关键词 共轭聚电解质 电致发光 咔唑 芴
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含苯并硒二唑聚咔唑/芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与性能研究 被引量：1
9
作者 曹蔚 董海星 +2 位作者 黄飞 申慧琳 曹镛 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第6期566-572,共7页
采用Suzuki偶合反应合成了一系列新型的咔唑、芴和2,1,3-苯并硒二唑的共聚物——聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并硒二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BSeD)及其相应的聚电解质衍生物——聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1... 采用Suzuki偶合反应合成了一系列新型的咔唑、芴和2,1,3-苯并硒二唑的共聚物——聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并硒二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BSeD)及其相应的聚电解质衍生物——聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并硒二唑-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNBr-BSeD).在聚咔唑和芴中引入不同比例的2,1,3-苯并硒二唑(BSeD)单元,引起了由咔唑和芴链段向窄带隙苯并硒二唑(BSeD)单元有效的能量转移.通过对聚合物电致发光性能的研究,发现用聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)或聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚乙烯咔唑(PEDOT/PVK)作为空穴传输层时,器件的性能相差不大,表明咔唑的引入较明显的改善了聚合物的空穴注入性能.而且几乎所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件和用钡/铝作阴极的器件具有相近的发光性能,表明这类聚合物具有良好的电子注入性能. 展开更多
关键词 共轭聚电解质 电致发光 咔唑 芴 能量转移
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双层绝缘层材料的有机薄膜晶体管的制备及其结构性能研究
10
作者 吕文 《广州化工》 CAS 2005年第3期28-30,共3页
研究制备了包含双层绝缘栅的聚合物薄膜场效应晶体管(PTFT),采用介电常数比较高的Ta2O5和介电常数较低的聚丙烯腈(PAN)作为双层绝缘层,MEM-PPV作为有源层,并对器件做了晶体管电学特性方面的分析,测试结果表明器件具有较高的开关电流比... 研究制备了包含双层绝缘栅的聚合物薄膜场效应晶体管(PTFT),采用介电常数比较高的Ta2O5和介电常数较低的聚丙烯腈(PAN)作为双层绝缘层,MEM-PPV作为有源层,并对器件做了晶体管电学特性方面的分析,测试结果表明器件具有较高的开关电流比和较高的迁移率,器件的场迁移率为2.0×10-2cm2/Vs,开关电流比超过103,比绝缘层为单层Ta2O5的晶体管器件的迁移率高了4倍,开关电流比高了一个数量级。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 绝缘层 场效应迁移率
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