国产装备发展机遇在哪里。国内唯一IC前道工艺装备的上市公司北方华创科技集团股份有限公司高级副总裁、首席策略官张国铭做了题为"智能化时代,国产装备的发展机遇"的演讲。在演讲中,他分析了在智能化时代,泛半导体产业带来...国产装备发展机遇在哪里。国内唯一IC前道工艺装备的上市公司北方华创科技集团股份有限公司高级副总裁、首席策略官张国铭做了题为"智能化时代,国产装备的发展机遇"的演讲。在演讲中,他分析了在智能化时代,泛半导体产业带来的发展新机遇。随着新应用领域的快速发展,半导体市场潜力进一步提升,从而带动高端装备的需求大幅增加。他认为在More Than Moore发展路线上,国产装备大有可为。展开更多
提出了基于第一性原理的密度泛函理论框架下的广义梯度近似投影缀加波赝势法,在结构优化的基础上采用平板模型计算了GaAs(110)表面单一吸附0.5 ML Cs元素、单一吸附0.5 ML O元素及0.5 ML Cs、0.5 ML O共吸附系统的特定吸附位、吸附系统...提出了基于第一性原理的密度泛函理论框架下的广义梯度近似投影缀加波赝势法,在结构优化的基础上采用平板模型计算了GaAs(110)表面单一吸附0.5 ML Cs元素、单一吸附0.5 ML O元素及0.5 ML Cs、0.5 ML O共吸附系统的特定吸附位、吸附系统总能及吸附系统的电子结构。吸附系统总能的计算结果对比及电子结构图表明:当Cs、O元素吸附量在GaAs(110)表面达到Θ=1 ML时,它们并非各自在表面形成局域畴形态的竞争性共化学吸附,而是将在表面形成混合均匀相的协同共化学吸附。采用偶极子校正进一步计算三种吸附系统的功函数分别是4.423 e V、5.749 e V、4.377 e V,从而得出GaAs光电阴极制备过程中提高并保持光电阴极发射性能的方法及机理。展开更多
文摘国产装备发展机遇在哪里。国内唯一IC前道工艺装备的上市公司北方华创科技集团股份有限公司高级副总裁、首席策略官张国铭做了题为"智能化时代,国产装备的发展机遇"的演讲。在演讲中,他分析了在智能化时代,泛半导体产业带来的发展新机遇。随着新应用领域的快速发展,半导体市场潜力进一步提升,从而带动高端装备的需求大幅增加。他认为在More Than Moore发展路线上,国产装备大有可为。
文摘提出了基于第一性原理的密度泛函理论框架下的广义梯度近似投影缀加波赝势法,在结构优化的基础上采用平板模型计算了GaAs(110)表面单一吸附0.5 ML Cs元素、单一吸附0.5 ML O元素及0.5 ML Cs、0.5 ML O共吸附系统的特定吸附位、吸附系统总能及吸附系统的电子结构。吸附系统总能的计算结果对比及电子结构图表明:当Cs、O元素吸附量在GaAs(110)表面达到Θ=1 ML时,它们并非各自在表面形成局域畴形态的竞争性共化学吸附,而是将在表面形成混合均匀相的协同共化学吸附。采用偶极子校正进一步计算三种吸附系统的功函数分别是4.423 e V、5.749 e V、4.377 e V,从而得出GaAs光电阴极制备过程中提高并保持光电阴极发射性能的方法及机理。
