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氮和锌离子注入GaAs_(1-x)P_x(x≈0.39)提高发光效率的研究
1
作者 李国辉 庄尉华 +1 位作者 李成基 周德明 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1980年第1期47-56,共10页
一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电... 一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电致发光。 展开更多
关键词 发光效率 x)P_x 发光二极管 半导体器件 电致发光 化合物半导体 发光强度 发光材料 等电子陷阱 退火温度
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RAPD分析氮离子注入甜菊种子后的幼苗基因组DNA变异 被引量：25
2
作者 丁亮 陈睦传 +5 位作者 沈明山 徐金森 蒋先志 陈亮 舒世珍 陆挺 《生物物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期798-803,共6页
应用ＲＡＰＤ 技术检测经低能氮离子注入甜菊纯系种子引起的幼苗基因组ＤＮＡ 变异。筛选出ＯＰＪ系列中的１５ 种引物对实验及对照基因组ＤＮＡ 进行了ＰＣＲ 扩增，共获扩增片段１０３ 条，分子量在０．３ － ３ｋｂ 之间，其中５ 种... 应用ＲＡＰＤ 技术检测经低能氮离子注入甜菊纯系种子引起的幼苗基因组ＤＮＡ 变异。筛选出ＯＰＪ系列中的１５ 种引物对实验及对照基因组ＤＮＡ 进行了ＰＣＲ 扩增，共获扩增片段１０３ 条，分子量在０．３ － ３ｋｂ 之间，其中５ 种引物ＯＰＪ－ １ ，７ ，９，１１ ，１２ 扩增出差异片段１２ 条。结果表明，低能氮离子注入甜菊种子可引起体内基因组ＤＮＡ 发生突变；ＲＡＰＤ 技术是检测基因组ＤＮＡ 发生诱变的一种简便、有效方法。本文同时探讨了离子强度和Ｔａｇ ＤＮＡ 聚合酶用量对甜菊ＲＡＰＤ 分析结果的影响，以及氮离子注入诱变效应的可能机制。 展开更多
关键词 甜菊 氮离子注入 RAPD 变异
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离子注入改善电接触微动磨损研究
3
作者 王二敏 王晓震 +2 位作者 何安莉 张通和 梁宏 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2000年第3期49-55,共7页
以AgCu10合金为对象 ,研究和探讨了离子注入提高电接触材料的抗氧化和抗磨损性能并改善电接触微动磨损的技术。试验结果表明 ,离子注入后的AgCu10合金大大减少了磨损颗粒的产生 ,降低了磨损过程中产生的金属转移 ,减轻了磨损颗粒的氧化... 以AgCu10合金为对象 ,研究和探讨了离子注入提高电接触材料的抗氧化和抗磨损性能并改善电接触微动磨损的技术。试验结果表明 ,离子注入后的AgCu10合金大大减少了磨损颗粒的产生 ,降低了磨损过程中产生的金属转移 ,减轻了磨损颗粒的氧化污染 ,从而提高合金表面耐磨损和抗腐蚀性能 。 展开更多
关键词 离子注入 电接触微动磨损 AGCU10合金表面处理
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