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不同波长激发下YLiF_4∶Er^(3+),Tm^(3+),Yb^(3+)的发光 被引量:6
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作者 赵谡玲 侯延冰 徐征 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期191-195,共5页
水热法合成了YL iF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为1%、1.5%和2%。当用355 nm光激发时,其发光为蓝色,峰值位于450 nm,对应于Tm3+的1D2→3F4跃迁。用378 nm激发时,发光为绿色,主要发光峰位于552 nm。980 nm光激... 水热法合成了YL iF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为1%、1.5%和2%。当用355 nm光激发时,其发光为蓝色,峰值位于450 nm,对应于Tm3+的1D2→3F4跃迁。用378 nm激发时,发光为绿色,主要发光峰位于552 nm。980 nm光激发时,发光为白色,发光峰分别位于665(651),552(543),484,450 nm处,并在648 nm处还观察到了一个发光峰,其中最强的发射为红光。YL iF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+的蓝光来源于Tm3+的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3+的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3+的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3+的4F9/2→4I15/2的跃迁。在上转换发光中,还探测到了紫外光359 nm的发射。监测665 nm得到的激发光谱不同于监测552 nm的激发光谱,在665 nm的激发光谱中出现了对应Tm3+的1G4能级的峰。在双对数曲线中,蓝光484 nm、绿光552 nm和红光665 nm的斜率分别为2.25、2.28和2.21,紫外光359 nm的斜率为2.85。因此在980 nm激发下,蓝光484 nm、绿光552 nm和红光665 nm都是双光子过程,紫外光359 nm的发射是三光子过程。 展开更多
关键词 上转换发光 YLiF4:Er^3+ TM^3+ YB^3+ 水热合成
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新型稀土铕配合物Eu(o-BBA)_3(phen)电致发光研究 被引量:4
2
作者 刘玲 徐征 +3 位作者 张福俊 娄志东 孙波 裴娟 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1199-1202,共4页
研究了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲咯啉-铕(Eu(o-BBA)3(phen))的电致发光特性。采用不同的电子传输层材料,制备了多种结构的有机电致发光器件及有机无机复合器件。比较了单层电致发光器件A:ITO/PVK∶Eu/Al与有机无机复合... 研究了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲咯啉-铕(Eu(o-BBA)3(phen))的电致发光特性。采用不同的电子传输层材料,制备了多种结构的有机电致发光器件及有机无机复合器件。比较了单层电致发光器件A:ITO/PVK∶Eu/Al与有机无机复合器件B:ITO/PVK∶Eu/ZnS/Al发光性能的不同。分析了采用无机半导体材料ZnS作为电子传输层的优点。研究结果表明采用无机的电子传输层,能有效地避免激基复合物的形成,提高器件的亮度同时保持稀土离子发光的色纯性。 展开更多
关键词 铕配合物 电致发光 有机无机复合
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YLiF_4:Er^(3+),Tm^(3+),Yb^(3+)中Tm^(3+)浓度对上转换发光的影响 被引量:5
3
作者 赵谡玲 侯延冰 +1 位作者 徐征 裴晓将 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期597-600,共4页
利用水热法合成了YLiF4:Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+和Yb3+的浓度保持固定不变,分别为1 mol%和1.5 mol%,Tm3+浓度变化范围是2 mol%~8 mol%。在这种共掺杂体系中,同时观察到了Er3+,Tm3+和Yb3+的吸收,且Tm3+的吸收随着其浓度的增强而增强。在... 利用水热法合成了YLiF4:Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+和Yb3+的浓度保持固定不变,分别为1 mol%和1.5 mol%,Tm3+浓度变化范围是2 mol%~8 mol%。在这种共掺杂体系中,同时观察到了Er3+,Tm3+和Yb3+的吸收,且Tm3+的吸收随着其浓度的增强而增强。在980 nm光的激发下,当Tm3+浓度很小时,这种材料的上转换发光为白光。其中蓝光主要来源于Tm3+的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3+的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3+的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3+的4F9/2→4I15/2的跃迁。并且这种上转换发光强度随着Tm3+浓度的增强而降低,但对应不同能级跃迁的发光强度降低的幅度不同,这是因为Er3+和Tm3+之间的相互作用。 展开更多
关键词 上转换发光 能量传递 YLiF4:Er^3+ Tm^3+ Yb^3+ 水热合成
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980nm激发下YLiF_4∶Er^(3+),Tm^(3+),Yb^(3+)中的能量传递过程 被引量:2
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作者 赵谡玲 徐征 裴晓将 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期129-133,共5页
利用水热法合成了YLiF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为2%、1.5%和2%。在这种共掺杂体系中,在980nm光的激发下,材料的上转换发光为白光,发光峰不仅分别位于665nm(651nm)、552nm(543)、484nm和450nm处,并在648nm... 利用水热法合成了YLiF4∶Er3+,Tm3+,Yb3+,其中Er3+、Yb3+和Tm3+的摩尔分数分别为2%、1.5%和2%。在这种共掺杂体系中,在980nm光的激发下,材料的上转换发光为白光,发光峰不仅分别位于665nm(651nm)、552nm(543)、484nm和450nm处,并在648nm处还观察到了一个发光峰,其中最强的发射为红光。蓝光主要来源于Tm3+的激发态1G4到基态3H6的跃迁,绿光来源于Er3+的4S3/2和2H11/2到基态4I15/2的跃迁,红光既来源于Tm3+的1G4→3F4的跃迁,也来源于Er3+的4F9/2→4I15/2的跃迁。不同发射对应的激发光谱略有不同,当用不同波长光激发时,得到的发光不同,由此证明了Tm3+和Er3+之间存在能量传递,并且这种能量传递增强了红光的发射,降低了绿光的发射。 展开更多
关键词 上转换发光 能量传递 YLiF4:Er^3+ Tm^3+.Yb^3+
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有机太阳能电池材料研究新进展 被引量:32
5
作者 张天慧 朴玲钰 +4 位作者 赵谡玲 徐征 杨磊 刘祥志 鞠思婷 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第2期260-272,共13页
介绍了有机太阳能电池研究的背景、基本原理、分类,并对有机太阳能电池材料进行了全面综述,包括小分子太阳能电池材料、大分子太阳能电池材料、D-A体系材料和有机无机杂化体系材料.
关键词 有机太阳能电池 小分子太阳能电池材料 大分子太阳能电池材料 D-A体系材料 有机无机杂化体系材料
原文传递
YBO_3:Eu^(3+)纳米晶发光特性 被引量:16
6
作者 罗文雄 黄世华 +1 位作者 由芳田 彭洪尚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1765-1769,共5页
用水热法制备了YBO3:Eu3+纳米材料,通过改变其反应条件对纳米颗粒的大小和形貌进行了控制,对其发射光谱进行分析并与体材料进行了比较.在纳米材料中,很大比例的稀土离子微观环境受到表面的影响.这种影响可能使稀土离子的Judd-Ofelt参数... 用水热法制备了YBO3:Eu3+纳米材料,通过改变其反应条件对纳米颗粒的大小和形貌进行了控制,对其发射光谱进行分析并与体材料进行了比较.在纳米材料中,很大比例的稀土离子微观环境受到表面的影响.这种影响可能使稀土离子的Judd-Ofelt参数Ω2增大,从而使Eu3+的5D0→7F2的发射加强,红色发光材料的色纯度提高. 展开更多
关键词 纳米微粒 表面效应 晶场参数 YBO3:Eu^3+
原文传递
单核/双壳结构CdSe/CdS/ZnS纳米晶的合成与发光性质 被引量:11
7
作者 唐爱伟 滕枫 +3 位作者 高银浩 梁春军 徐征 王永生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期234-238,共5页
以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成了单核/双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米晶。在内核CdSe和外壳ZnS之间的内壳CdS作为晶格匹配调节层,能够很好的改善核/壳界面处的性能,而且,最外层ZnS能够最大程度地使激子受限。用TEM和XPS对纳米晶进行... 以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中合成了单核/双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米晶。在内核CdSe和外壳ZnS之间的内壳CdS作为晶格匹配调节层,能够很好的改善核/壳界面处的性能,而且,最外层ZnS能够最大程度地使激子受限。用TEM和XPS对纳米晶进行了表征,并且用光致发光光谱和吸收光谱对不同核壳结构的纳米晶的发光性能进行了比较,结果表明单核/双壳结构的纳米晶具有更加优异的发光特性。 展开更多
关键词 单核/双壳 纳米晶 发光特性 表征
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ZBLAN∶Yb^(3+),Tm^(3+)双频共激发的上转换发光 被引量:14
8
作者 窦京涛 侯延冰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期85-88,共4页
首先测量了ZBLAN∶Yb3+,Tm3+分别在980nm和808nm激光激发下的400~600nm波段内的上转换发光光谱,在此基础上研究了980,808nm激光共激发下ZBLAN∶Yb3+,Tm3+的上转换发光特性。在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与... 首先测量了ZBLAN∶Yb3+,Tm3+分别在980nm和808nm激光激发下的400~600nm波段内的上转换发光光谱,在此基础上研究了980,808nm激光共激发下ZBLAN∶Yb3+,Tm3+的上转换发光特性。在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与泵浦激光输入功率的关系,由此绘制双对数曲线图,对上转换发光机制进行了分析。研究证明980nm激发为三光子过程、808nm激发为双光子过程,而980,808nm激光共同激发为共协过程。 展开更多
关键词 ZBLAN YB TM 上转换 双频共激发
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太阳能制氢技术研究进展 被引量:11
9
作者 黄金昭 徐征 +2 位作者 李海玲 亢国虎 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期947-954,共8页
利用太阳能制氢因其具有能够有效解决能源问题、形成可持续的能源体系以及减少温室气体及有害气体的排放等优点而得到了广泛的关注。介绍了基于传统概念上太阳能制氢技术的新方法、新工艺及新材料,分析了一些技术难点,最后论述了发展太... 利用太阳能制氢因其具有能够有效解决能源问题、形成可持续的能源体系以及减少温室气体及有害气体的排放等优点而得到了广泛的关注。介绍了基于传统概念上太阳能制氢技术的新方法、新工艺及新材料,分析了一些技术难点,最后论述了发展太阳能制氢技术的前景并指出了今后的研究方向。 展开更多
关键词 太阳能 光电化学 光催化
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稀土纳米发光材料的燃烧法制备及光谱性质 被引量:10
10
作者 常建军 黄世华 +4 位作者 彭洪尚 孟春霞 由芳田 吕少哲 孙聆东 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期231-234,共4页
用燃烧法制备了不同粒径的La2O3:Eu^3+纳米微粒,研究了影响La2O3:Eu件纳米微粒大小的实验条件,发现粒径大小随甘氨酸(Gly)与稀土离子比例的增大而减小。制备的纳米微粒由谢乐公式计算的粒径尺寸为12-28nm。测量了样品的高分辨光... 用燃烧法制备了不同粒径的La2O3:Eu^3+纳米微粒,研究了影响La2O3:Eu件纳米微粒大小的实验条件,发现粒径大小随甘氨酸(Gly)与稀土离子比例的增大而减小。制备的纳米微粒由谢乐公式计算的粒径尺寸为12-28nm。测量了样品的高分辨光谱。运用激光选择激发,研究了光谱在不同发光中心上的变化,表面态对于这些变化起着主要作用。 展开更多
关键词 燃烧法 稀土 纳米材料 LA2O3 EU^3+ 激光选择激发
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水热法制备二氧化钛纳米管-石墨烯复合光催化剂及其光催化性能 被引量:13
11
作者 陈越 何大伟 +1 位作者 王永生 杨冰洋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期177-182,共6页
采用水热法制备了二氧化钛纳米管-石墨烯的复合光催化剂。利用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对复合材料进行了表征与分析,并对其光催化性能进行了测试。结果显示,同纯二氧化钛纳米管相比,二氧化钛纳米管-石墨烯的光催化... 采用水热法制备了二氧化钛纳米管-石墨烯的复合光催化剂。利用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对复合材料进行了表征与分析,并对其光催化性能进行了测试。结果显示,同纯二氧化钛纳米管相比,二氧化钛纳米管-石墨烯的光催化性能较高。石墨烯与二氧化钛纳米管复合,充当电子受体,载流子迁移率得到提高,从而提升了光催化性能。 展开更多
关键词 光催化 石墨烯 二氧化钛纳米管 水热法
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Dy^(3+)掺杂的硅酸盐荧光粉发光光谱的研究 被引量:10
12
作者 周鑫荣 何大伟 王永生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期28-31,共4页
本文研究了M2SiO4∶Dy3+(M=Ca,Sr,Ba)样品的结构和发光特性。结果表明:Ca2SiO4属单斜晶系,Sr2SiO4和Ba2SiO4属正交晶系,且晶体结构随着Dy3+的掺入并不发生改变。M2SiO4∶Dy3+在325 nm、350 nm、365 nm和386nm附近有比较强烈的吸收峰,分... 本文研究了M2SiO4∶Dy3+(M=Ca,Sr,Ba)样品的结构和发光特性。结果表明:Ca2SiO4属单斜晶系,Sr2SiO4和Ba2SiO4属正交晶系,且晶体结构随着Dy3+的掺入并不发生改变。M2SiO4∶Dy3+在325 nm、350 nm、365 nm和386nm附近有比较强烈的吸收峰,分别对应Dy3+的6H15/2→6P3/2,6H15/2→6P7/2,6H15/2→6P5/2,6H15/2→4M21/2的跃迁。在386 nm光激发下,样品在480 nm、492 nm及574 nm处有较强的发射峰。改变样品中碱土金属阳离子的种类和含量,M2SiO4∶Dy3+黄光发射带和蓝光发射带的相对强度发生了较大的变化。 展开更多
关键词 荧光粉 Dy3+掺杂 发光特性 发射光谱
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一种新型稀土配合物Eu(TTA)_2(N-HPA)Phen的发光特性研究 被引量:7
13
作者 张妍斐 徐征 +3 位作者 吕玉光 张福俊 王勇 张敬畅 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期656-660,共5页
合成了一种新的含有3个配体的稀土配合物Eu(TTA)2(N-HPA)Phen(TTA=噻吩甲酰基三氟丙酮,N-HPA=N-苯基邻氨基苯甲酸,phen=邻菲咯啉)。将稀土配合物作为掺杂物与基质PVK按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜。通过荧光光谱,分析了薄膜的发光特... 合成了一种新的含有3个配体的稀土配合物Eu(TTA)2(N-HPA)Phen(TTA=噻吩甲酰基三氟丙酮,N-HPA=N-苯基邻氨基苯甲酸,phen=邻菲咯啉)。将稀土配合物作为掺杂物与基质PVK按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜。通过荧光光谱,分析了薄膜的发光特性,并将其应用于有机电致发光。研究了PVK和Eu(TTA)2(N-HPA)Phen之间的能量传递,并且制备了发光层为PVK∶Eu(TTA)2(N-HPA)Phen,结构为ITO/PVK∶Eu(TTA)2(N-HPA)Phen/BCP/Alq3/Al的多层器件,发现改变PVK和稀土配合物的掺杂比,可以不同程度地抑制PVK的发光,最终得到纯的Eu3+的红色发光。实验结果证明,在PVK∶Eu(TTA)2(N-HPA)Phen=5∶1的质量比下,从PVK到稀土配合物之间存在充分的能量传递。 展开更多
关键词 稀土配合物 能量传递 配体 电致发光
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有机电致发光器件的动态电学特性 被引量:11
14
作者 张秀龙 杨盛谊 +1 位作者 娄志东 侯延冰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1632-1636,共5页
利用交流阻抗谱技术,研究了有机发光二极管ITO/Alq3(90nm)/Al的载流子传导机理.根据器件对不同频率的响应曲线及其等效电路模型,该器件可看作是由并联的电阻Rp和电容Cp再与电阻Rs串联而成,并根据实验数据求出了Rp,Cp和Rs的数值.实验结... 利用交流阻抗谱技术,研究了有机发光二极管ITO/Alq3(90nm)/Al的载流子传导机理.根据器件对不同频率的响应曲线及其等效电路模型,该器件可看作是由并联的电阻Rp和电容Cp再与电阻Rs串联而成,并根据实验数据求出了Rp,Cp和Rs的数值.实验结果表明器件的载流子传输机理属于指数分布式的陷阱电荷限制电流,其介电弛豫时间随偏压的增加而逐渐减小. 展开更多
关键词 ALQ3 陷阱电荷限制电流 交流阻抗谱 有机发光二极管
原文传递
电子纸显示技术的应用与市场情况 被引量:9
15
作者 张卓 邵喜斌 +1 位作者 王刚 李文波 《光机电信息》 2009年第11期17-29,共13页
众多的电子纸显示技术为高画质的类纸显示提供了选择,并受到越来越多研究人员和产品制造商的关注。电子纸显示技术发展迅猛并已快速步入市场化,在电子阅读器、手机、公告牌、标签等方面得到了广泛应用。今年6月以来,两个月内就有至少7... 众多的电子纸显示技术为高画质的类纸显示提供了选择,并受到越来越多研究人员和产品制造商的关注。电子纸显示技术发展迅猛并已快速步入市场化,在电子阅读器、手机、公告牌、标签等方面得到了广泛应用。今年6月以来,两个月内就有至少7家公司推出了自己的电子阅读器。据预测,从2008年到2020年,电子纸的市场规模将从7000万美元增加到70亿美元,增长100倍,年复合增长率高达47%。电子纸显示技术的市场将上演一场争夺战。 展开更多
关键词 电子纸 显示 应用 市场
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MEH-PPV/CdSe纳米复合器件的光电导特性的研究 被引量:9
16
作者 唐爱伟 滕枫 +4 位作者 高银浩 靳辉 梁春军 徐征 王永生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2169-2172,共4页
以CdO和Se粉作为前驱物,在TOPO/TOP有机体系中制备了CdSe纳米晶,将其与聚合物MEH-PPV复合制备了复合光电导器件,研究了它的光电导特性,并将其与单层MEH-PPV光电导器件的特性进行了比较。结果发现纳米复合光电导器件的光电流响应光谱的2... 以CdO和Se粉作为前驱物,在TOPO/TOP有机体系中制备了CdSe纳米晶,将其与聚合物MEH-PPV复合制备了复合光电导器件,研究了它的光电导特性,并将其与单层MEH-PPV光电导器件的特性进行了比较。结果发现纳米复合光电导器件的光电流响应光谱的2个峰的位置基本上与MEH-PPV和CdSe纳米晶的吸收峰的位置相对应,这说明CdSe纳米晶和聚合物MEH-PPV的吸收对光电流都有贡献,主要是由于CdSe纳米晶和MEH-PPV界面处的激子离化和电荷转移造成的。而且复合器件的光电流较单层有所增强,且MEH-PPV器件光谱的响应范围更宽。 展开更多
关键词 光电导 MEH—PPV/CdSe 纳米复合器件
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一种新型共掺杂稀土配合物Gd_(0.5)Eu_(0.5)(TTA)_3Dipy的电致发光特性 被引量:6
17
作者 宋林 徐征 +5 位作者 赵谡玲 吕玉光 符雅丽 刘然 李远 张敬畅 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期264-268,共5页
制备了一类以α-噻吩甲酰基三氟丙酮(TTA)为第一配体、2,2′-联吡啶(Dipy)为第二配体的共掺杂铕钆配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy。用其作为发光层材料制作了电致发光器件:ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al。讨论并证明了Gd3+与Eu3+之... 制备了一类以α-噻吩甲酰基三氟丙酮(TTA)为第一配体、2,2′-联吡啶(Dipy)为第二配体的共掺杂铕钆配合物Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy。用其作为发光层材料制作了电致发光器件:ITO/PVK:Gd0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/PBD/Al。讨论并证明了Gd3+与Eu3+之间存在F rster能量传递。研究了铕钆配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱,发现两者之间存在着能量转移,说明Gd3+的加入抑制了PVK自身的本征发光,促进了PVK到Eu3+的能量传递,得到了单色性很好的红光。 展开更多
关键词 α-噻吩甲酰基三氟丙酮铕钆 电致发光 稀土
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薄膜晶体管研究进展 被引量:6
18
作者 许洪华 徐征 +3 位作者 黄金昭 袁广才 孙小斌 陈跃宁 《光子技术》 2006年第3期135-139,共5页
薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结... 薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展,并展望了薄膜晶体管的应用。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 液晶显示 ZNO薄膜
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PBD在稀土配合物与PVK混合体系电致发光中的作用 被引量:5
19
作者 徐登辉 邓振波 +3 位作者 徐颖 肖静 梁春军 王瑞芬 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1406-1410,共5页
研究了PBD以较低浓度与铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2.2H2O、PVK共掺杂体系的电致发光,制作了两类电致发光器件:ITO/PVK:Tb complex/PBD/LiF/Al,ITO/PVK:Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al。在共掺杂的发光层中铽配合物的电致发光来源于两个途径,... 研究了PBD以较低浓度与铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2.2H2O、PVK共掺杂体系的电致发光,制作了两类电致发光器件:ITO/PVK:Tb complex/PBD/LiF/Al,ITO/PVK:Tb complex:PBD/PBD/LiF/Al。在共掺杂的发光层中铽配合物的电致发光来源于两个途径,一个是由PVK到铽配合物的能量传递,另一个是电子和空穴在铽配合物上直接复合发光。改变PBD在发光层中的掺杂比例,制得一系列器件,通过对其光谱和亮度的研究,发现PBD在较低浓度掺杂时器件的稳定性和亮度随掺杂浓度的增加而降低。通过分析认为PBD的加入对给体(PVK)到受体(Tb complex)的能量传递效率影响较小,主要是由于PBD的加入使得电子和空穴在PVK链间的跳跃受到限制,使在由PVK、铽配合物和PBD三者掺杂组成的发光层中,注入的电子和空穴不能有效地在铽配合物上复合,这样就会减少激子在铽配合物上直接复合的概率,而造成器件的亮度和效率降低。 展开更多
关键词 电致发光 能量传递 激子
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红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiO_x非晶薄膜的过程 被引量:5
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作者 王申伟 衣立新 +2 位作者 苏梦蟾 陈恩光 王永生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期456-459,共4页
利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0<y≤4),Si6环以及无桥氧空位中心(NBOHC)缺陷等结... 利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜。傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带。研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0<y≤4),Si6环以及无桥氧空位中心(NBOHC)缺陷等结构,这几种结构对应的Si—O—Si键的伸缩振动吸收、非对称伸缩振动吸收以及O—Si—O键的振动吸收是导致薄膜的FTIR光谱出现3个吸收谱带的根本原因。 展开更多
关键词 SIOX 非晶薄膜 磁控溅射 红外吸收光谱
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