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氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究 被引量：2
1
作者 陈道坤 许卓 +3 位作者 刘飞 邓少芝 许宁生 陈军 《真空电子技术》 2015年第1期4-7,共4页
冷阴极在X射线源中有重要应用。本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列。制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比。场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良... 冷阴极在X射线源中有重要应用。本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列。制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比。场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中。 展开更多
关键词 氧化钨纳米线 热氧化制备 场发射特性
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从二维到三维的场致电子发射:电动力学与量子力学相结合的一个例子
2
作者 李志兵 《大学物理》 北大核心 2010年第7期1-3,共3页
讨论电场使电子从纳米厚度的金属片经过量子隧穿进入真空的过程.忽略金属片的厚度,通过共形变换,使得真空电势和电子波函数满足简单的边界条件,从而得到严格的电势分布和近似的电子波函数解,给出发射电流密度空间分布的表达式.
关键词 场致电子发射 量子隧穿 共形变换
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图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究
3
作者 刘飞 郭同义 +5 位作者 李力 李立方 甘海波 陈军 邓少芝 许宁生 《真空电子技术》 2012年第3期4-7,22,共5页
氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关注。但是在氧化钨纳米结构研究发展的过程中,出现了一些技术难题,比如制备温度高(>800℃),制备的氧化... 氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关注。但是在氧化钨纳米结构研究发展的过程中,出现了一些技术难题,比如制备温度高(>800℃),制备的氧化钨通常混合多种化学相而导致物性不均匀等,所以束缚了氧化钨纳米线在场发射领域的快速发展。本文采用磁控溅射技术结合化学气相沉积技术在500℃下分别实现了高纯相的WO2和WO3纳米线阵列的定域生长。场发射特性研究结果表明:所制备的WO3纳米线阵列的开启电场低至0.65MV/m,阈值电场约为2.9MV/m,最大电流密度达到18.3A/cm2;WO2纳米线阵列的开启电场低至0.8MV/m,阈值电场为2.46MV/m,最大电流密度达到12.1mA/cm2。这表明在低温下制备的氧化钨纳米线阵列在场致电子发射领域具有非常广阔的应用前景。 展开更多
关键词 氧化钨纳米线 低温制备工艺 场发射特性
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