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850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器 被引量：2
1
作者 李忠辉 王玉霞 +3 位作者 王玲 高欣 王向武 张兴德 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期5-6,共2页
设计并制作了条宽 10 0 μm ,腔长 1mm的有源区无铝高功率SCH SQW激光器 ,室温连续输出功率达 1W ,阈值电流密度为 46 0A/cm2 ,外微分量子效率为 0 6 8W/A ,激射波长为 849nm(腔面未镀膜 )。
关键词 有源区 分别限制单量子阱 阈值电流 激射波长无铝高功率SCH-SQW激光器
原文传递
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
2
作者 李忠辉 张宝顺 +2 位作者 杨进华 张兴德 王向武 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期232-235,共4页
设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～7... 设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～78％，中心发射波长为(808±3)nm。 展开更多
关键词 LP-MOCVD INGAASP/GAAS 量子阱激光器
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