报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在低温(2—5K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.PL直...报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在低温(2—5K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中,掺杂样品的发光强度和主发光峰能量都显示了一个光学Shubinkov-de Hass(SdH)振荡.这些特征及另外的吸收光谱测量结果都表明,在掺杂样品中已经形成了一个高浓度的二维电子气;它具有type-ⅡQW所特有的带电激子的特征.展开更多
文摘报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在低温(2—5K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field).在平行于QW生长方向的强磁场中,掺杂样品的发光强度和主发光峰能量都显示了一个光学Shubinkov-de Hass(SdH)振荡.这些特征及另外的吸收光谱测量结果都表明,在掺杂样品中已经形成了一个高浓度的二维电子气;它具有type-ⅡQW所特有的带电激子的特征.
