周期性梯度富硅SiN_x薄膜的微结构与发光特性 被引量：1

1

作者 陈小波 杨雯 +2 位作者 段良飞 张力元 杨培志 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1270-1274,共5页

采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiNx薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiNx薄膜(单层薄膜)。采用Raman光谱、掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光... 采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiNx薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiNx薄膜(单层薄膜)。采用Raman光谱、掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和光致发光(PL)光谱分析了薄膜的结构特性、键合特性和发光特性。Raman光谱、GIXRD和TEM结果表明,梯度薄膜和单层薄膜中的硅量子点晶化率分别为41.7%和39.2%;梯度薄膜的硅量子点密度是单层薄膜的5.4倍。FTIR光谱结果显示两种薄膜均为富硅氮化硅薄膜,梯度薄膜的硅含量小于单层薄膜。PL光谱结果表明梯度薄膜中的辐射复合缺陷少于单层薄膜。 展开更多

关键词 Si量子点 氮化硅薄膜 快速光热退火 光致发光

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Sb2Te3量子点的制备、结构及红外性质研究 被引量：4

2

作者 梁晶 周亮亮 +2 位作者 李斌 李学铭 唐利斌 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期11-16,共6页

碲化锑(Sb2Te3)是一种新型二维层状材料,采用"自上而下"的超声剥离法,以碲化锑粉末为原料,以N-甲基吡咯烷酮(NMP)为分散剂,首次成功制备出碲化锑量子点(Sb2Te3QDs),并采用多种手段(SEM,TEM,AFM,XPS,XRD等)对所制备Sb2Te3QDs... 碲化锑(Sb2Te3)是一种新型二维层状材料,采用"自上而下"的超声剥离法,以碲化锑粉末为原料,以N-甲基吡咯烷酮(NMP)为分散剂,首次成功制备出碲化锑量子点(Sb2Te3QDs),并采用多种手段(SEM,TEM,AFM,XPS,XRD等)对所制备Sb2Te3QDs的形貌和结构进行了表征,同时还采用UV-Vis、PL及PLE探究了Sb2Te3QDs的光学性质。研究表明:所制备的Sb2Te3QDs平均粒径为2.3 nm,平均高度为1.9 nm,颗粒大小均匀、具有良好的分散性,PL与PLE峰位有明显的红移现象,研究还发现Sb2Te3QDs在红外波段有明显的吸收与光致发光。研究表明:超声剥离法制备Sb2Te3QDs是切实可行的,该量子点的PL与PLE对波长具有依赖性,其在红外波段的特性表明:它有望成为一种新型的红外探测材料。 展开更多

关键词 超声剥离法 碲化锑 量子点 红外性质

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MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜 被引量：3

3

作者 郝瑞亭 申兰先 +5 位作者 邓书康 杨培志 涂洁磊 廖华 徐应强 牛智川 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期734-736,共3页

利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(HallEffect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究。发现直接生长... 利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(HallEffect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好。 展开更多

关键词 GASB GAAS 分子束外延(MBE)

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退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响 被引量：3

4

作者 赵其琛 郝瑞亭 +4 位作者 刘思佳 杨敏 陆熠磊 刘欣星 常发冉 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第9期311-315,共5页

利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,当退火温度为400℃时,CZTS薄膜中含有Cu_2S及SnS等多种二次... 利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,当退火温度为400℃时,CZTS薄膜中含有Cu_2S及SnS等多种二次相;随着退火温度的升高,二次相的种类逐渐减少,当退火温度为550℃时,薄膜的表面平整致密,二次相种类最少;然而,当退火温度为600℃时,薄膜表面变得粗糙,二次相种类增多。 展开更多

关键词 激光技术 铜锌锡硫 二元硫化物靶 磁控溅射 退火

原文传递

N型硅——高效太阳电池的希望 被引量：3

5

作者 邵俊刚 廖华 +3 位作者 黄小龙 陈义 李雷 李承晴 《太阳能》 2010年第5期27-30,共4页

全面阐述了N型硅片作为太阳电池基片的优点和缺点,并介绍了目前几种主要N型硅太阳电池的结构。

关键词 N型硅片 少数载流子 高效太阳电池

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二硫化铼量子点的制备及其光致发光性质研究 被引量：2

6

作者 周亮亮 梁晶 +2 位作者 李学铭 唐利斌 杨培志 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2019年第2期20-24,共5页

采用液相超声法首次成功制备出二硫化铼量子点(ReS_2 QDs),表面形貌、物相组分和光学性能测试发现:ReS_2 QDs平均粒径为2.7 nm,呈现六方晶系圆形结构并具有斯托克斯(Stokes)位移效应,表现出比体材料更优异的光学性能.

关键词 二维材料 量子点 光致发光 斯托克斯位移

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GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面（英文） 被引量：2

7

作者 郝瑞亭 任洋 +4 位作者 刘思佳 郭杰 王国伟 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期135-138,共4页

系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生... 系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1. 展开更多

关键词 低缺陷 锑化镓 原子力显微镜 V/III比

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基于布拉格反射器的空间用四结砷化镓太阳电池抗辐照性能研究 被引量：2

8

作者 颜平远 涂洁磊 +3 位作者 张炜楠 徐晓壮 宋冠宇 孙晓宇 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2019年第5期6-10,共5页

利用理论计算确定适用于空间四结砷化镓太阳电池的布拉格反射器(DBR),同时借助Macleod软件对引入四结太阳电池的DBR结构进行模拟,并对比分析引入DBR结构的四结太阳电池在1MeV高能电子辐照前后的电学性能.结果表明,模拟得到由15对Al0.1Ga... 利用理论计算确定适用于空间四结砷化镓太阳电池的布拉格反射器(DBR),同时借助Macleod软件对引入四结太阳电池的DBR结构进行模拟,并对比分析引入DBR结构的四结太阳电池在1MeV高能电子辐照前后的电学性能.结果表明,模拟得到由15对Al0.1Ga0.9As/Al0.9Ga0.1As材料组成的DBR在中心波长960nm处反射率最高且达到98.4%,高反射带宽165nm,与实验制备的引入该DBR结构的电池最高反射中心波长基本吻合.通过分析辐照前后电学性能,发现引入该DBR结构的电池辐照后各项电学性能衰减幅度小于未引入DBR结构的电池. 展开更多

关键词 布拉格反射器 四结太阳电池 抗辐照 电学性能

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Sn自溶剂含量对Al掺杂VIII型Sn基单晶笼合物电传输特性的影响 被引量：1

9

作者 申兰先 李德聪 +2 位作者 刘虹霞 刘祖明 邓书康 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2810-2814,共5页

通过Sn自熔剂法制备了Al掺杂VIII型Sn基单晶笼合物Ba8Ga10Al6Snx（x=40,50,60;Sn40,Sn50,Sn60）,并研究Ba8Ga10Al6Snx单晶笼合物的结构和电传输特性对自熔剂Sn初始含量的依赖性。结果表明,Al的实际含量随Sn自熔剂含量的增加而基本保持不... 通过Sn自熔剂法制备了Al掺杂VIII型Sn基单晶笼合物Ba8Ga10Al6Snx（x=40,50,60;Sn40,Sn50,Sn60）,并研究Ba8Ga10Al6Snx单晶笼合物的结构和电传输特性对自熔剂Sn初始含量的依赖性。结果表明,Al的实际含量随Sn自熔剂含量的增加而基本保持不变,说明Sn的起始含量对Al在该笼合物中固溶度的影响较小;室温下Sn60样品的载流子浓度较高,这可能是因Al在笼合物Ga8Ga16Sn30中的占位不同而导致费米能级附近能带色散关系发生变化所引起;另一方面,在300~600 K的温度范围内,获得较高功率因子的是Sn初始含量为50的样品,在488 K处获得最大值1.82×10-3W·m-1·K-2;获得较低功率因子的是Sn初始含量为40的样品,而功率因子较低主要是由于该样品电导率较低。 展开更多

关键词 VIII型笼合物 Sn基笼合物 电传输特性

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从Ⅰ-Ⅴ特性曲线分析太阳电池烧结工艺条件 被引量：1

10

作者 曹志伟 廖华 +3 位作者 邵俊刚 黄小龙 樊农艳 张志华 《太阳能》 2010年第7期41-43,共3页

通过对太阳电池的I-V特性曲线进行检测分析,得出太阳电池的串、并联电阻与电极烧结的各个温度段的温度密切相关,并联电阻受高温区温度和烧结时间(带速)的影响。通过对烧结工艺的优化调整,获得了较好性能的太阳电池,得到了烧结工艺调整... 通过对太阳电池的I-V特性曲线进行检测分析,得出太阳电池的串、并联电阻与电极烧结的各个温度段的温度密切相关,并联电阻受高温区温度和烧结时间(带速)的影响。通过对烧结工艺的优化调整,获得了较好性能的太阳电池,得到了烧结工艺调整优化的方法。 展开更多

关键词 太阳电池 串联电阻 并联电阻 烧结工艺条件

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固化光强和单体浓度对聚合物稳定液晶器件电光性能的影响

11

作者 张家维 张洋 +1 位作者 李明 姚朝晖 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2019年第2期31-34,共4页

采用聚合引发相分离法(polymerization-induced phase separation,PIPS)制备了聚合物稳定液晶(PSLC)器件,利用光谱仪研究了聚合过程中不同的固化光强和单体浓度对PSLC器件电光特性的影响.结果表明,固化光强和单体浓度对PSLC器件的电光... 采用聚合引发相分离法(polymerization-induced phase separation,PIPS)制备了聚合物稳定液晶(PSLC)器件,利用光谱仪研究了聚合过程中不同的固化光强和单体浓度对PSLC器件电光特性的影响.结果表明,固化光强和单体浓度对PSLC器件的电光性能均有重要影响.在一定范围内,光强过小,光聚合不充分,造成阈值电压降低;光强增大,阈值电压会变高.单体浓度过低,形成的聚合物网络不稳固,导致异常的电光性能;单体浓度过大会导致阈值电压过高. 展开更多

关键词 聚合物稳定液晶 电光性能 固化光强 单体浓度

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几种新型钙钛矿太阳电池的概述

12

作者 施光辉 刘小娇 +3 位作者 涂晔 钱福丽 廖华 胡志华 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2015年第5期16-22,共7页

基于钙钛矿太阳电池巨大的发展潜力,简要的概述了钙钛矿太阳电池的发展历程,并阐述其基本工作原理;同时总结了AZO基底钙钛矿太阳电池和三种基于钙钛矿与硅薄膜相结合的新型钙钛矿电池结构:钙钛矿硅薄膜复合太阳电池、新型双面钙钛矿太... 基于钙钛矿太阳电池巨大的发展潜力,简要的概述了钙钛矿太阳电池的发展历程,并阐述其基本工作原理;同时总结了AZO基底钙钛矿太阳电池和三种基于钙钛矿与硅薄膜相结合的新型钙钛矿电池结构:钙钛矿硅薄膜复合太阳电池、新型双面钙钛矿太阳电池和硅基钙钛矿叠层太阳电池.最后,展望了未来开发新型钙钛矿太阳电池的努力方向及其发展前景,为进一步研究钙钛矿太阳电池提供一定的参考. 展开更多

关键词 钙钛矿结构 新型太阳电池 硅薄膜 光伏

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紫茎泽兰产氢产甲烷联合发酵的研究 被引量：13

13

作者 尹芳 胡觉 +4 位作者 张无敌 李建昌 徐锐 陈玉保 刘士清 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第36期3469-3476,共8页

以脱毒预处理的紫茎泽兰为原料,调节发酵体系的pH,可实现紫茎泽兰产氢产甲烷联合发酵.pH为4.7~5.5的情况下先产氢后调至中性产甲烷,对比实验为pH6.5~7.5的情况下先产甲烷后调节至酸产氢.实验结果表明：先产氢后产甲烷实验的TS和VS原料... 以脱毒预处理的紫茎泽兰为原料,调节发酵体系的pH,可实现紫茎泽兰产氢产甲烷联合发酵.pH为4.7~5.5的情况下先产氢后调至中性产甲烷,对比实验为pH6.5~7.5的情况下先产甲烷后调节至酸产氢.实验结果表明：先产氢后产甲烷实验的TS和VS原料利用率均高于先产甲烷后产氢实验,且纤维素、半纤维素和木质素利用率也高出32.60%,45.80%和50.26%;紫茎泽兰产氢阶段终点可根据实验组、对照组产气趋势是否趋于一致来进行判断;先产氢后产甲烷实验的产甲烷速率比先产甲烷后产氢实验高出18.85%,有效缩短了发酵周期;先产氢后产甲烷实验实现了能源利用效率的68.54%,而先产甲烷后产氢实验只实现了能源利用效率的15.35%.实验得出,与先产甲烷后产氢发酵、单独产甲烷发酵、单独产氢发酵相比,紫茎泽兰联合产氢产甲烷发酵是理想的紫茎泽兰利用途径之一. 展开更多

关键词 紫茎泽兰 产氢产甲烷发酵 原料利用率 能源利用效率

原文传递

RF磁控溅射制备N掺杂Cu_2O薄膜及光学特性研究 被引量：8

14

作者 自兴发 杨雯 +2 位作者 杨培志 段良飞 张力元 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1727-1731,共5页

利用射频(RF)磁控溅射沉积技术,采用Cu2O陶瓷靶作为溅射靶,在N2和Ar气的混合气氛下制备了Cu2O薄膜。通过改变衬底温度和N2流量,研究了RF磁控溅射沉积法对Cu2O薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度为... 利用射频(RF)磁控溅射沉积技术,采用Cu2O陶瓷靶作为溅射靶,在N2和Ar气的混合气氛下制备了Cu2O薄膜。通过改变衬底温度和N2流量,研究了RF磁控溅射沉积法对Cu2O薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度为300℃时,低N2流量(<12sccm)下沉积的薄膜结构为Cu2O和CuO的混合相,N2流量增大至12sccm时薄膜结构转变为单相的Cu2O;不同N2流量下制备的薄膜均呈现三维的结核生长模式,其表面粗糙度的均方根(RMS)值依赖于N2流量,低N2流量下薄膜表面粗糙度的RMS值随N2流量的增大而增大,高N2流量下,RMS值随N2流量的增大而减小,并在一定N2流量范围内趋于稳定;不同N2流量下制备的薄膜均在475nm附近出现发光峰,峰的相对强度随N2流量的增加而减弱,峰位随N2流量的增加出现蓝移,薄膜的光学带隙Eg约为(2.61±0.03)eV。 展开更多

关键词 Cu2O薄膜 N2流量 衬底温度 光致发光(PL)谱

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