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量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究
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作者 刘兴权 万明芳 +3 位作者 陈效双 张波 陆卫 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期401-404,共4页
介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点的方法，并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性，从理论上给出量子点的尺寸分布，并结合多量子阱阱宽的涨落，分析了荧光峰的线型和展宽机制．
关键词 量子点 湿法腐蚀 荧光光谱 砷化镓 尺寸分布
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