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钛酸钡铁电薄膜的常压MOCVD制备及其物理性质的研究被引量：3: 1; 作者曾建明王弘 +4 位作者王民尚淑霞王卓程建功林成鲁《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第2期129-135,共7页; 本文报道了用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰＭＯＣＶＤ）法在Ｓｉ衬底上制备高质量的钛酸钡铁电薄膜。钡的β二酮螯合物［Ｂａ（ＤＰＭ）２］和异丙氧基钛（ＴＩＰ）作为金属有机源，在衬底温度为７０００Ｃ时，在Ｓｉ（１００）衬... 展开更多; 关键词 MOCVD 铁电薄膜钛酸钡制备物理性质; 原文传递

集成铁电存储器──新型快速、抗辐照、非挥发性存储器件被引量：1: 2; 作者许华平郑立荣 +2 位作者陈逸清林成鲁邹世昌《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1996年第1期5-10,共6页; 本文介绍了铁电存储器的原理，对非挥发性铁电存储的研究和开发情况作了综述。并就制约着铁电集成器件真正商业化的若干铁电薄膜材料物理方面关键问题作了分析。首先提出了在铁电集成器件工艺中还存在着综合优化问题。最后，对铁电存储... 展开更多; 关键词集成铁电存储器存储器件铁电存储器抗辐照; 下载PDF 职称材料

CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性: 3; 作者竺士炀林成鲁李金华《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期37-39,43,共4页; 对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ例相器在不同偏置条件下进行了６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量辐照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。; 关键词 CMOS SIMOX 倒相器总剂量辐照; 下载PDF 职称材料

N沟MOSFET／SIMOX的γ射线辐照特性: 4; 作者竺士炀林成鲁李金华《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期40-43,共4页; 对用多次注入与退火技术制成的ＳＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｓｅｎ）材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，并同通常的体硅ＮＭＯＳ的辐照效应作了比较，分析了... 展开更多; 关键词场效应晶体管 SIMOX Γ射线辐照; 下载PDF 职称材料

Al栅BESOI／CMOS器件的辐照特性: 5; 作者李金华林成鲁竺士炀《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期51-53,共3页; 在表层硅厚度约６μｍＢＥＳＯＩ材料上，制备了Ａｌ栅ＣＭＯＳ器件。实验样品消除了纵向寄生结构和困扰ＳＯＩ薄膜器件的背沟效应、边缘效应、Ｋｉｎｋ效应。样品未作抗辐照工艺加固，γ累积辐辐照剂量已达３×１０５ｒａｄ（Ｓｉ... 展开更多; 关键词 BESOI器件 CMOS器件辐照铝栅; 下载PDF 职称材料

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