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宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展
被引量：
14
1
作者
彭同华
刘春俊
+10 位作者
王波
王锡铭
郭钰
赵宁
李龙远
刘宇
黄青松
贾玉萍
王刚
郭丽伟
陈小龙
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期234-241,共8页
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半...
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
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关键词
SIC晶体
单晶生长
晶片加工
磁性
石墨烯
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职称材料
利用干燥空气改善熔融KOH对单晶碳化硅的腐蚀
被引量：
1
2
作者
孙帅
宋华平
+3 位作者
杨军伟
王文军
屈红霞
简基康
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期753-758,共6页
本文提出了一种改进的氢氧化钾(KOH)腐蚀方法,该方法利用鼓泡器将干燥空气直接通入熔融KOH中,以达到快速排出熔融KOH中水分和增强溶解氧的目的。本研究通过提升部分潮解的KOH对低掺杂n型外延片的腐蚀效果和纯KOH对高掺杂n型衬底的腐蚀效...
本文提出了一种改进的氢氧化钾(KOH)腐蚀方法,该方法利用鼓泡器将干燥空气直接通入熔融KOH中,以达到快速排出熔融KOH中水分和增强溶解氧的目的。本研究通过提升部分潮解的KOH对低掺杂n型外延片的腐蚀效果和纯KOH对高掺杂n型衬底的腐蚀效果,验证了该方法的有效性。实验结果表明:在腐蚀前的恒温时间段内,向腐蚀剂通入干燥空气,可加快腐蚀剂中水分的蒸发速度,减轻水分对腐蚀反应的抑制作用,使得部分潮解的KOH用于腐蚀外延片的效果优于未潮解的新鲜KOH;在腐蚀时向腐蚀剂通入干燥空气,可增加腐蚀剂中的溶解氧,促进腐蚀时发生的氧化还原反应,使得KOH腐蚀SiC衬底的效果近似于用KOH+Na_(2)O_(2)共熔体腐蚀得到的效果。本研究有效改良了传统KOH腐蚀方法,对于稳定KOH腐蚀条件,提高SiC位错腐蚀效果具有很好的实际应用价值。
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关键词
碳化硅
腐蚀
位错
缺陷表征
鼓泡器
腐蚀速率
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职称材料
题名
宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展
被引量：
14
1
作者
彭同华
刘春俊
王波
王锡铭
郭钰
赵宁
李龙远
刘宇
黄青松
贾玉萍
王刚
郭丽伟
陈小龙
机构
北京天科合达蓝光半导体有限公司
中国科学院
物理
研究所
功能
晶体
研究
与
应用
中心
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期234-241,共8页
文摘
本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
关键词
SIC晶体
单晶生长
晶片加工
磁性
石墨烯
Keywords
SiC crystals
single crystal growth
wafer processing
magnetism
graphene
分类号
O7 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
利用干燥空气改善熔融KOH对单晶碳化硅的腐蚀
被引量：
1
2
作者
孙帅
宋华平
杨军伟
王文军
屈红霞
简基康
机构
广东工业大学
物理
与
光电工程
学院
松山湖材料实验室
中国科学院
物理
研究所
功能
晶体
研究
与
应用
中心
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期753-758,共6页
基金
广东省自然科学基金-面上项目(2022A1515012628)。
文摘
本文提出了一种改进的氢氧化钾(KOH)腐蚀方法,该方法利用鼓泡器将干燥空气直接通入熔融KOH中,以达到快速排出熔融KOH中水分和增强溶解氧的目的。本研究通过提升部分潮解的KOH对低掺杂n型外延片的腐蚀效果和纯KOH对高掺杂n型衬底的腐蚀效果,验证了该方法的有效性。实验结果表明:在腐蚀前的恒温时间段内,向腐蚀剂通入干燥空气,可加快腐蚀剂中水分的蒸发速度,减轻水分对腐蚀反应的抑制作用,使得部分潮解的KOH用于腐蚀外延片的效果优于未潮解的新鲜KOH;在腐蚀时向腐蚀剂通入干燥空气,可增加腐蚀剂中的溶解氧,促进腐蚀时发生的氧化还原反应,使得KOH腐蚀SiC衬底的效果近似于用KOH+Na_(2)O_(2)共熔体腐蚀得到的效果。本研究有效改良了传统KOH腐蚀方法,对于稳定KOH腐蚀条件,提高SiC位错腐蚀效果具有很好的实际应用价值。
关键词
碳化硅
腐蚀
位错
缺陷表征
鼓泡器
腐蚀速率
Keywords
SiC
etching
dislocation
defect characterization
bubbler
etching rate
分类号
TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展
彭同华
刘春俊
王波
王锡铭
郭钰
赵宁
李龙远
刘宇
黄青松
贾玉萍
王刚
郭丽伟
陈小龙
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
14
下载PDF
职称材料
2
利用干燥空气改善熔融KOH对单晶碳化硅的腐蚀
孙帅
宋华平
杨军伟
王文军
屈红霞
简基康
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
已选择
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