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无线多跳网络中的机会路由 被引量：32
1
作者 田克 张宝贤 +1 位作者 马建 姚郑 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第10期2542-2553,共12页
机会路由通过充分利用无线信道的广播特性,可以大大提高无线多跳网络的性能.从阐述机会路由的基本思想开始,介绍了机会路由协议的主要特点、适用环境和影响机会路由性能的重要因素.在此基础上,对重要机会路由协议进行了综述,讨论不同协... 机会路由通过充分利用无线信道的广播特性,可以大大提高无线多跳网络的性能.从阐述机会路由的基本思想开始,介绍了机会路由协议的主要特点、适用环境和影响机会路由性能的重要因素.在此基础上,对重要机会路由协议进行了综述,讨论不同协议的工作机制及其优缺点.最后,探讨了机会路由的一些未来发展方向,以期为这一领域的发展提供一些有意义的借鉴. 展开更多
关键词 机会路由 可靠传输 网络编码 无线多跳网络
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SoC片上总线综述 被引量：8
2
作者 田泽 张怡浩 +2 位作者 于敦山 盛世敏 仇玉林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期11-15,共5页
随着以IP核复用为基础的SoC设计技术的发展,工业界及研究组织积极从事相关IP互联标准方案的制定工作,从目前的研究和发展看,影响力较大的有IBM公司的CoreConnect、ARM公司的AMBA和SilicoreCorp公司的Wishbone。基于现有IP互联接口标准... 随着以IP核复用为基础的SoC设计技术的发展,工业界及研究组织积极从事相关IP互联标准方案的制定工作,从目前的研究和发展看,影响力较大的有IBM公司的CoreConnect、ARM公司的AMBA和SilicoreCorp公司的Wishbone。基于现有IP互联接口标准技术的发展现状,本文对这三种SoC总线技术进行了详细介绍。 展开更多
关键词 片上总线 IP核 设计复用 SOC 集成电路 CoreConnect总线 AMBA总线
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磷掺杂纳米硅薄膜的研制 被引量：12
3
作者 刘明 王子欧 +1 位作者 奚中和 何宇亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期983-988,共6页
用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认了样品的微结构为... 用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认了样品的微结构为纳米相结构 .掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小 ,一般在 2 5— 4 5nm之间 ,且排列更加有序 .掺磷nc Si:H膜具有较高的光吸收系数 ,光学带隙在 1 73— 1 78eV之间 ,和本征nc Si:H相同 .掺杂nc Si:H薄膜电导率在 10 -1— 10 1Ω-1·cm-1之间 ,比本征nc Si:H提高了二个数量级 ,室温暗电导最高已达 5 0 5Ω-1·cm-1.同时电导激活能在 0 0 1— 0 0 3eV之间 ,比本征nc 展开更多
关键词 磷掺杂纳米硅 薄膜 PECVD STM
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ULSI铜互连线技术中的电镀工艺 被引量：12
4
作者 张国海 钱鹤 +2 位作者 夏洋 王文泉 龙世兵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1093-1096,共4页
通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ· cm,X射线衍射... 通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ· cm,X射线衍射分析结果显示出的 Cu(111) 展开更多
关键词 集成电路 铜互连线 电镀工艺
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基于光场数字重聚焦的三维重建方法研究 被引量：16
5
作者 尹晓艮 张晓芳 +6 位作者 张伟超 李硕丰 贾纪元 臧华平 田勇志 梁二军 刘晓旻 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期986-991,共6页
研究了光场数字重聚焦聚焦三维重建新方法,探讨了光场数字重聚焦参数λ的取值以及拍摄条件对重建结果的影响。空间中,每一个点和每一个方向的辐射函数总和就是光场,光场数据包含了空间全部三维信息。借助计算成像技术,光场数据可以重构... 研究了光场数字重聚焦聚焦三维重建新方法,探讨了光场数字重聚焦参数λ的取值以及拍摄条件对重建结果的影响。空间中,每一个点和每一个方向的辐射函数总和就是光场,光场数据包含了空间全部三维信息。借助计算成像技术,光场数据可以重构出序列数字重聚焦图像,实现空间的三维重建。实验时,首先用Lytro光场相机获取空间数据;然后用LytroDesktop软件进行数字重聚焦处理,重构出序列焦平面图像;最后用Halcon软件的聚焦深度(depth-from-focus)函数实现三维重建。实验结果显示,参数λ表征了重构平面的深度信息,λ的性质显著地影响重建结果,λ数量多于8、正负λ数目相当时,三维重建结果好。拍摄时,设置的相机参数、目标的反射及场景背景等因素都会对重建结果产生影响。适合参数下,本文方法能够正确重构不同深度结构的目标,重构结果可以任意视角查看。本文方法利用单视图重构设备,实现多视图三维重建结果,拍摄装置小巧,拍摄过程快捷,系统稳定性好,降低了拍摄难度和重建算法的复杂度,拓展了DFF算法的适用深度范围,适合大景深场景和运动目标的三维重建。 展开更多
关键词 光场成像 Lytro相机 三维检测 重建 聚焦深度(depth-from-focus) HALCON
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ULSI中铜互连线技术的关键工艺 被引量：10
6
作者 张国海 夏洋 +1 位作者 龙世兵 钱鹤 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期146-149,共4页
简述了 ULSI中采用以铜作为互连线技术的工艺过程及其研究发展状况 ,并着重对铜互连线技术中扩散阻挡层的选取。
关键词 ULSI 铜互连线 扩散阻挡层 化学机械抛光 工艺过程 集成电路
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后摩尔时代的微电子研究前沿与发展趋势 被引量：16
7
作者 孙玲 黎明 +6 位作者 吴华强 周鹏 黄森 张丽佳 潘庆 李建军 张兆田 《中国科学基金》 CSCD 北大核心 2020年第5期652-659,共8页
集成电路是信息社会的基石,当前集成电路的发展仅靠缩小器件尺寸已经难以为继,未来格局将由后摩尔时代新器件技术决定,其基础研究正面临着新材料、新结构、新原理等诸多挑战。基于国家自然科学基金委员会第231期双清论坛会议成果,本综... 集成电路是信息社会的基石,当前集成电路的发展仅靠缩小器件尺寸已经难以为继,未来格局将由后摩尔时代新器件技术决定,其基础研究正面临着新材料、新结构、新原理等诸多挑战。基于国家自然科学基金委员会第231期双清论坛会议成果,本综述围绕超越摩尔定律微电子发展路径中的核心问题,总结了国内外集成电路领域近年来取得的主要研究进展,探讨了以能效、功耗、复杂度、容错度为牵引的后摩尔时代微电子前沿研究方向,分析了我国在该领域亟需关注和解决的重要基础科学问题。 展开更多
关键词 微电子 集成电路 摩尔定律 后摩尔 新器件 科学问题
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基于灰色理论与BP神经网络的工序质量预测研究 被引量：16
8
作者 王秋明 刘科成 高慧颖 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期249-252,共4页
工序质量预测在质量控制中起着重要的作用,灰色理论GM(1,1)新陈代谢模型及BP人工神经网络技术在预测领域较为广泛地得到应用,尽管具有常规预测方面无法比拟的优势,但均有各自的局限性,因此提出了基于灰色理论与BP神经网络相结合的工序... 工序质量预测在质量控制中起着重要的作用,灰色理论GM(1,1)新陈代谢模型及BP人工神经网络技术在预测领域较为广泛地得到应用,尽管具有常规预测方面无法比拟的优势,但均有各自的局限性,因此提出了基于灰色理论与BP神经网络相结合的工序质量预测方法.在充分利用两者在预测领域的优势基础上建立了综合质量预测模型,实例计算表明该预测方法是可行的. 展开更多
关键词 灰色系统 神经网络 工序质量 残差 质量预测
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定容法正压漏孔校准装置 被引量：14
9
作者 卢耀文 齐京 +5 位作者 陈旭 刘志宏 张明志 闫睿 徐天伟 查良镇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期579-584,共6页
研制出定容法正压漏孔校准装置。采用满量程分别为133 Pa（差压式）、1.33×10^5Pa（绝压式）的两台高精度电容薄膜真空计测量压力变化,通过全金属密封结构减小定容室漏放气对测量结果的影响;采用高精度半导体双级恒温系统获得了296... 研制出定容法正压漏孔校准装置。采用满量程分别为133 Pa（差压式）、1.33×10^5Pa（绝压式）的两台高精度电容薄膜真空计测量压力变化,通过全金属密封结构减小定容室漏放气对测量结果的影响;采用高精度半导体双级恒温系统获得了296±0.02 K的恒温效果,减小温度对漏孔漏率的影响;通过三个不同的标准体积作为定容室,拓宽装置的校准范围。研究结果证实,研制的校准装置仅采用定容法实现了3×10^-1~4×10^-8Pa·m^3/s的校准范围,合成标准不确定度为1.2%~3.2%。 展开更多
关键词 正压漏孔 校准 检漏 定容法
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IGBT热疲劳工作对焊料层可靠性的影响 被引量：13
10
作者 田蕴杰 张小玲 +3 位作者 谢雪松 佘烁杰 吕长志 王任卿 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期288-292,共5页
IGBT在实际应用中会频繁处于周期性的高低温循环过程,循环过程中反复作用于IGBT器件的热应力极易在焊料层形成空洞,从而导致器件热阻增大甚至热疲劳失效。通过有限元软件ANSYS建立了两种新的分散空洞模型,在工作功率条件下对比5%到50%... IGBT在实际应用中会频繁处于周期性的高低温循环过程,循环过程中反复作用于IGBT器件的热应力极易在焊料层形成空洞,从而导致器件热阻增大甚至热疲劳失效。通过有限元软件ANSYS建立了两种新的分散空洞模型,在工作功率条件下对比5%到50%中心空洞率及10%到20%分散空洞率模型的热分布并进行模拟分析。结果表明,边缘分散空洞对器件温升影响小于均匀分散空洞和中心空洞,但在温度循环中先于后者出现。空洞率为10%时,边缘分散空洞模型最高温升高了1.6K,与phase11和超声波显微镜实测IGBT器件功率循环5 000次后结果基本一致。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 热疲劳 空洞率 空洞位置
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基于局部特征词袋模型人体动作识别关键帧选取方法 被引量：11
11
作者 柳似霖 王颖 吴峰 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期265-270,共6页
针对原始动作视频帧数多、信息冗余、计算量大的问题,提出了基于离散粒子群算法的人体动作识别关键帧选取方法。提取视频图像中的时空兴趣点建立视觉词典,统计视频图像中视觉词汇概率分布,采用离散粒子群算法进行关键帧选取,引入原始视... 针对原始动作视频帧数多、信息冗余、计算量大的问题,提出了基于离散粒子群算法的人体动作识别关键帧选取方法。提取视频图像中的时空兴趣点建立视觉词典,统计视频图像中视觉词汇概率分布,采用离散粒子群算法进行关键帧选取,引入原始视频和选取的关键帧的视觉词汇概率分布向量的夹角余弦值,作为最优适应度函数评价关键帧选取前后的动作特征相似性。采用离散粒子群关键帧选取方法对KTH和Weizmann数据库进行实验验证。实验结果显示,该文提出的关键帧选取算法可有效去除动作视频中的冗余帧,提高了动作识别效率,动作识别准确率保持89.17%和98.89%不变。 展开更多
关键词 时空兴趣点 关键帧 离散粒子群 视觉词汇 动作识别
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具有蝶型单元的FFT在FPGA上的实现 被引量：9
12
作者 淮永进 屈晓声 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期342-344,348,共4页
描述了一种使用FPGA实现FFT处理器的方法,基于按时间抽取(DIT)基-4算法,采用4组RAM并行为蝶型单元提供数据,使用交换器对数据进行重行排序。实验结果表明,该方案保证了运算正确性、运算精度和实现复杂度。提出了两种改进的设计思路及方... 描述了一种使用FPGA实现FFT处理器的方法,基于按时间抽取(DIT)基-4算法,采用4组RAM并行为蝶型单元提供数据,使用交换器对数据进行重行排序。实验结果表明,该方案保证了运算正确性、运算精度和实现复杂度。提出了两种改进的设计思路及方法,使处理器可以获得更高的处理速度。 展开更多
关键词 快速傅里叶变换 蝶型单元 基-4算法 FPGA
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计算光刻研究及进展 被引量：8
13
作者 马旭 张胜恩 +4 位作者 潘毅华 张钧碧 余成臻 董立松 韦亚一 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第9期112-160,共49页
光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程,是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的推动下,光刻技术跨越了90~7 nm及以下的多个工艺节点,逐步逼近其分辨率的物理极限。同时,光刻系统的衍... 光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程,是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的推动下,光刻技术跨越了90~7 nm及以下的多个工艺节点,逐步逼近其分辨率的物理极限。同时,光刻系统的衍射受限特性,以及各类系统像差、误差和工艺偏差,都会严重影响光刻成像精度。此时,必须采用计算光刻技术来提高光刻成像分辨率和图形保真度。计算光刻是涉及光学、半导体技术、计算科学、图像与信号处理、材料科学、信息学等多个专业的交叉研究领域。它以光学成像和工艺建模为基础,采用数学方法对光刻成像过程进行全链路的仿真与优化,实现成像误差的高精度补偿,能够有效提升工艺窗口和芯片制造良率,降低光刻工艺的研发周期与成本,目前已成为高端芯片制程的核心环节之一。本文首先简单介绍了计算光刻的前身,即传统的分辨率增强技术,在此基础上介绍了计算光刻的基本原理、模型和算法。之后对光学邻近效应校正、光源优化和光源掩模联合优化三种常用的计算光刻技术进行了综述,总结了相关的研究进展、成果和应用。最后,阐述了计算光刻当前所面临的需求与挑战,并讨论了最新技术进展和未来发展方向。 展开更多
关键词 计算光刻 分辨率增强技术 先进半导体制造工艺 光学光刻 计算光学 光电图像处理
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粗糙度对金属/陶瓷反应润湿体系高温润湿性的影响 被引量：10
14
作者 吴茂 常玲玲 +2 位作者 路新 何新波 曲选辉 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期25-32,共8页
采用真空座滴法研究了基体表面粗糙度（R_a）对AgCu-4.3 at%Ti/Al_2O_3和AgCu-4.3 at%Ti/石墨两个体系润湿性能的影响,其中Al_2O_3的R_a为256~636 nm,石墨的R_a为265~1898 nm。结果表明,基体粗糙度对界面反应层厚度及其侧向生长、润湿... 采用真空座滴法研究了基体表面粗糙度（R_a）对AgCu-4.3 at%Ti/Al_2O_3和AgCu-4.3 at%Ti/石墨两个体系润湿性能的影响,其中Al_2O_3的R_a为256~636 nm,石墨的R_a为265~1898 nm。结果表明,基体粗糙度对界面反应层厚度及其侧向生长、润湿动力学和最终润湿角（θ_f）均有很大影响。在1200 K的润湿温度下,随着基体R_a的增加,两个润湿体系的最终润湿角均呈上升趋势;高温反应性润湿体系润湿性的好坏取决于界面反应产物的侧向生长,当基体表面粗糙度增加时,增加了金属液体中活性元素向产物侧向生长前沿扩散的距离,同时粗糙表面的轮廓峰会对三相线的移动产生钉扎作用,因此界面反应产物侧向生长受到抑制;活性元素更易于向界面处扩散,生成更厚的界面反应产物层;当活性金属液体在粗糙表面润湿时,具有相对缓慢的润湿速度,达到润湿平衡的时间也较短,最终导致较大的润湿角。 展开更多
关键词 反应性润湿 粗糙度 润湿动力学 驱动力 润湿性能
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考虑接触面局部散热的湿式离合器摩擦片滑摩温升特性 被引量：10
15
作者 吴健鹏 马彪 +1 位作者 李和言 刘继凯 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期925-932,共8页
湿式离合器摩擦元件摩擦温升状态与车辆性能息息相关.首先考虑沟槽冷却、接触面局部散热和摩擦因数实时变化,引入了副间等效对流换热系数和等效增益系数,优化了温度场数值模型.通过有限差分法进行求解,并试验验证了有效性,比原模型具有... 湿式离合器摩擦元件摩擦温升状态与车辆性能息息相关.首先考虑沟槽冷却、接触面局部散热和摩擦因数实时变化,引入了副间等效对流换热系数和等效增益系数,优化了温度场数值模型.通过有限差分法进行求解,并试验验证了有效性,比原模型具有更高的准确性.在滑摩稳定期,应用滑摩温度场优化模型分析了转速、油压对温度场的影响规律.用试验方法研究了润滑流量对滑摩温升特性的影响规律,并测得了变形失效过程的温升特性变化. 展开更多
关键词 湿式离合器 温度场 摩擦片 摩擦因数
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较薄坡莫合金薄膜的磁性能和结构 被引量：8
16
作者 于广华 赵洪辰 +1 位作者 朱逢吾 夏洋 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第5期419-422,共4页
基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜 ,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多。较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜 ,各向异性磁电阻 (AMR)值达到 1 2 % ,而其矫顽力却只有12 7 4A/m。结... 基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜 ,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多。较低溅射气压下制备的NiFe(12nm)薄膜 ,各向异性磁电阻 (AMR)值达到 1 2 % ,而其矫顽力却只有12 7 4A/m。结构分析表明 :较低溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较少 ,内应力小 ;而较高溅射气压下制备的NiFe薄膜结构缺陷较多 。 展开更多
关键词 NiFe薄膜 各向异性磁电阻 矫顽力 内应力 坡莫合金薄膜 溅射 镍铁合金薄膜 结构
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基于样本自动标注的隧道裂缝病害智能识别 被引量：5
17
作者 王耀东 朱力强 +2 位作者 余祖俊 史红梅 折昌美 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第5期1001-1008,1036,共9页
隧道表面裂缝的检测已经成为地铁运营人员的重要巡检任务之一.为实现隧道裂缝病害的自动监测,提出一种结合病害特征提取和深度学习的隧道裂缝样本自动标注与识别算法;针对隧道裂缝形态特征建立裂缝图像的特征样本库,改进了AlexNet深度... 隧道表面裂缝的检测已经成为地铁运营人员的重要巡检任务之一.为实现隧道裂缝病害的自动监测,提出一种结合病害特征提取和深度学习的隧道裂缝样本自动标注与识别算法;针对隧道裂缝形态特征建立裂缝图像的特征样本库,改进了AlexNet深度卷积网络结构;设计研制了轨道移动式隧道图像采集系统以及巡检车,采集并构建了包含4500张裂缝图像样本和1500张测试图像的数据集,用以验证算法的可行性和有效性.研究结果表明:采集的图像清晰度符合要求,所设计算法可完成裂缝目标自动标注;裂缝图像测试集的识别率达到97.8%,证明了算法研究和采集系统的有效性. 展开更多
关键词 图像采集 图像处理 裂缝病害 深度学习 样本标注
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TSV转接板硅通孔的热应力分析 被引量：9
18
作者 安彤 秦飞 +3 位作者 武伟 于大全 万里兮 王珺 《工程力学》 EI CSCD 北大核心 2013年第7期262-269,共8页
硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注。该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔为完全填充铜和部分填充铜两种情况下的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响。建立了TSV转接板的... 硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注。该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔为完全填充铜和部分填充铜两种情况下的应力解析解,并讨论了孔距对转接板应力的影响。建立了TSV转接板的二维有限元模型,并用于验证解析解的适用性。结果表明:当TSV孔距达到孔直径的3倍以上时,解析解可以给出准确的转接板上铜和硅的应力结果;通过减薄镀铜层可以减小硅上的应力;转接板上应力与加载的温度变化成线性关系。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) 转接板 解析解 有限元 热应力
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WISHBONE IP核互联总线 被引量：2
19
作者 田泽 张怡浩 +2 位作者 于敦山 盛世敏 仇玉林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期28-31,共4页
介绍了一种新兴的SOC片上总线--WISHBONE。对总线的结构、连接方式、接口信号、数据传输方式及数据顺序作了详细说明,并总结了WISHBONE总线的技术特征。
关键词 SOC 片上总线 IP核 系统级设计 设计复用
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一种新的高效MMSE-SIC检测算法 被引量：7
20
作者 包亚伟 赵慧 +2 位作者 蒋华 王文博 吴斌 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1350-1353,共4页
传统的V-BLAST系统检测算法,由于存在矩阵求逆的操作,其计算复杂度与发射天线数的立方成正比,在发射天线较多时,对接收机信号处理能力要求较高。于是提出了一种具有更低复杂度的排序串行干扰消除算法。该算法利用施密特正交化分解方法,... 传统的V-BLAST系统检测算法,由于存在矩阵求逆的操作,其计算复杂度与发射天线数的立方成正比,在发射天线较多时,对接收机信号处理能力要求较高。于是提出了一种具有更低复杂度的排序串行干扰消除算法。该算法利用施密特正交化分解方法,有效地避免了循环矩阵求逆运算,在不降低误比特率性能的情况下,使得检测算法大为简化,其计算复杂度与发射天线数的平方成正比。同时,该算法使排序和检测过程相互独立出来,提高了算法应用的灵活性。 展开更多
关键词 垂直-贝尔实验室分层空时结构 最小均方误差 检测排序 施密特正交化
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