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退火参数对铁电TiN/HfxZr1-xO2/TiN薄膜器件的电学性能影响 被引量：1
1
作者 朱曦 马海力 +2 位作者 高天 冯洁 吕杭炳 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第2期257-261,共5页
采用磁控溅射法制备了Zr含量占比为0.134和0.156的TiN/HfxZr1-xO2/TiN结构的薄膜器件。对该器件进行了不同条件下的退火实验。研究了HfxZr1-xO2器件的电流、极化和循环特性,以及特性随退火温度和退火时间改变的变化规律,并结合微观结构... 采用磁控溅射法制备了Zr含量占比为0.134和0.156的TiN/HfxZr1-xO2/TiN结构的薄膜器件。对该器件进行了不同条件下的退火实验。研究了HfxZr1-xO2器件的电流、极化和循环特性,以及特性随退火温度和退火时间改变的变化规律,并结合微观结构表征手段,对器件特性随退火条件变化的规律做出了解释。在此基础上,总结出溅射法制备氧化铪锆薄膜的适用退火条件。实验结果表明,当退火温度低于氧化铪的居里温度时,退火后的器件仍表现出顺电性而不具有铁电性。Zr含量为0.156的HfxZr1-xO2器件在氧气中快速退火的最佳退火条件为:温度600℃、退火时间50 s。适当延长退火时间可以提高器件性能。 展开更多
关键词 HfxZr1-xO2 磁控溅射 退火 MIM结构
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微纳金属光学结构制备技术及应用 被引量：21
2
作者 谢常青 朱效立 +5 位作者 牛洁斌 李海亮 刘明 陈宝钦 胡媛 史丽娜 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期243-250,共8页
微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开... 微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开发了微光刻数据处理体系,基于矢量扫描电子束光刻设备在自支撑薄膜上进行1×高分辨率图形形成,利用X射线光刻进行高高宽比微纳图形复制,再利用低成本接近式光学光刻技术进行金属加强筋制作。还报道了自支撑X射线金光栅衍射效率和抗振测试结果。 展开更多
关键词 光学制造 微纳光学结构 电子束光刻 X射线光刻 自支撑薄膜
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基于空间分光的纳米级调焦调平测量技术 被引量：12
3
作者 孙裕文 李世光 宗明成 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期97-104,共8页
随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,调焦调平系统的测量精度达到几十纳米。在纳米尺度范围内,集成电路(IC)工艺对调焦调平测量精度的影响很大。提出一种基于光学三角法和叠栅条纹法的调焦调平测量技术,利用空间分光系统将两组位相差... 随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,调焦调平系统的测量精度达到几十纳米。在纳米尺度范围内,集成电路(IC)工艺对调焦调平测量精度的影响很大。提出一种基于光学三角法和叠栅条纹法的调焦调平测量技术,利用空间分光系统将两组位相差为π的叠栅条纹同时成像到两个探测器上,通过归一化差分的方法计算硅片高度,可有效降低调焦调平测量技术对IC工艺的敏感度,尤其是IC工艺导致的光强变化的敏感性。实验结果表明,该系统测量重复性精度为8nm(3σ),线性精度为18nm(3σ)。当测量光强变化达90%时,该测量技术引起的线性精度变化为15nm(3σ);当光强变化为65%时,线性精度变化小于1nm(3σ)。 展开更多
关键词 测量 调焦调平 空间分光 硅片高度 集成电路工艺
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固态纳米孔:下一代DNA测序技术——原理、工艺与挑战 被引量：12
4
作者 陈文辉 罗军 赵超 《中国科学：生命科学》 CSCD 北大核心 2014年第7期649-662,共14页
固态纳米孔测序技术作为新兴的第四代DNA测序技术,具有低成本、高读长、易集成等优势.如今,随着半导体工艺技术的飞速发展,小型化、高速度、大通量的纳米孔测序芯片的实现成为可能.相比传统的测序技术,固态纳米孔测序技术在成本、速度... 固态纳米孔测序技术作为新兴的第四代DNA测序技术,具有低成本、高读长、易集成等优势.如今,随着半导体工艺技术的飞速发展,小型化、高速度、大通量的纳米孔测序芯片的实现成为可能.相比传统的测序技术,固态纳米孔测序技术在成本、速度等方面有着十分巨大的优势.然而,作为一种新兴的测序技术,固态纳米孔在制造、测序、集成等方面也存在着诸多挑战.本文主要介绍了纳米孔测序技术的原理、制备工艺和面临的挑战,并展望了未来纳米孔测序技术的发展前景. 展开更多
关键词 固态纳米孔 DNA测序 缩孔技术
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纳秒脉冲空气辉光放电等离子体及应用 被引量：9
5
作者 万军 贾向红 +1 位作者 宋铭炜 王守国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2299-2302,共4页
采用基于半导体断路开关的纳秒脉冲高压电源,在两个金属电极之间产生放电区间为1 600mm×100 mm×25 mm的常压辉光空气等离子体。等离子体发生器采用负高压针电极阵列与平板阳极结构,针电极的直径为1 mm,长度为20 mm,针电极之... 采用基于半导体断路开关的纳秒脉冲高压电源,在两个金属电极之间产生放电区间为1 600mm×100 mm×25 mm的常压辉光空气等离子体。等离子体发生器采用负高压针电极阵列与平板阳极结构,针电极的直径为1 mm,长度为20 mm,针电极之间的间隔为20 mm,针电极与平板零电位之间的距离为25mm,在每个负高压针电极末端周围同时形成圆锥形辉光放电,在平板地电极则形成大面积辉光放电。采用电压探针测量了该新型等离子体的放电特性,结果表明:放电脉冲的上升时间为26 ns,最高脉冲输出峰值电压为27 kV;利用该辉光等离子体对幅宽为1 000 mm聚四氟乙烯薄膜进行了表面改性处理,处理后其表面接触角由原来的124°降到69°,亲水性能大为提高。 展开更多
关键词 纳秒脉冲放电 半导体断路开关 空气辉光等离子体 表面处理
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新型阻变存储器的物理研究与产业化前景 被引量：8
6
作者 张颖 龙世兵 刘明 《物理》 北大核心 2017年第10期645-657,共13页
阻变存储器具有结构简单、速度快、存储密度高、易于三维集成等诸多优点,是下一代存储器的重要候选之一。文章详细介绍了阻变存储器的工作原理、电阻转变的物理机制、电阻转变过程中的物理效应以及阻变存储器的集成和产业化前景。
关键词 阻变存储器 电阻转变 导电细丝 集成
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蚁群算法在PID控制中的应用及其参数影响 被引量：7
7
作者 孙铁成 张思敏 李超波 《现代电子技术》 北大核心 2015年第20期20-25,共6页
鉴于传统PID参数整定方法的不足,提出了一种采用蚁群算法优化选取PID控制参数的方法。通过建立数学模型将PID控制参数选择问题抽象成路径选择问题,从而将蚁群算法成功的应用于PID参数优选,并对寻优过程进行了仿真。将结果与常用的临界... 鉴于传统PID参数整定方法的不足,提出了一种采用蚁群算法优化选取PID控制参数的方法。通过建立数学模型将PID控制参数选择问题抽象成路径选择问题,从而将蚁群算法成功的应用于PID参数优选,并对寻优过程进行了仿真。将结果与常用的临界比例度法整定的结果进行了比较,发现基于蚁群算法的PID参数优选方案可使系统超调量大幅减小,并明显缩短系统调节时间,具有良好的应用前景。此外,讨论了蚁群算法中的关键参数对算法性能的影响,对比了不同参数下算法的收敛速度和求解质量。 展开更多
关键词 PID控制 蚁群算法 信息素 参数优选
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利用多个标准样品校准光谱椭圆偏振仪 被引量：7
8
作者 宋国志 刘涛 +2 位作者 谌雅琴 李国光 王建东 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期117-126,共10页
光谱椭偏仪是常用的测量薄膜厚度及材料光学性质的仪器，其准确性主要由系统的校准过程确定。提出一种新的利用标准样品校准光谱椭偏仪的方法。该方法通过对多个已知厚度和已知材料特性的薄膜样品进行测量，利用测量得到的多个样品的傅... 光谱椭偏仪是常用的测量薄膜厚度及材料光学性质的仪器，其准确性主要由系统的校准过程确定。提出一种新的利用标准样品校准光谱椭偏仪的方法。该方法通过对多个已知厚度和已知材料特性的薄膜样品进行测量，利用测量得到的多个样品的傅里叶系数光谱与包含未知校准参数的理论光谱之间进行对比，通过最小二乘法拟合，回归求解出整个系统的未知校准参数，包括偏振器方位角，波片延迟，波片方位角和系统入射角等。将该方法的应用领域扩展到2001000nm的宽光谱区域，并通过测量3～13nm的SiO2／Si薄膜样品，实验验证了该方法的有效性，准确性达到0．194nm。该方法相对于传统校准方法更加简单、快速。 展开更多
关键词 薄膜 校准 光谱椭偏仪 最小二乘法 光学常数
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浸没式光刻机对焦控制技术研究 被引量：5
9
作者 段晨 宗明成 +1 位作者 范伟 孟璐璐 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期187-192,共6页
随着大规模集成电路芯片制造步入十几纳米技术节点时代,光刻机的对焦控制变得越来越困难,其精度需要达到几十纳米。基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理,开展了浸没光刻对焦控制统计分析方法研究。根据系统结构分析出一系... 随着大规模集成电路芯片制造步入十几纳米技术节点时代,光刻机的对焦控制变得越来越困难,其精度需要达到几十纳米。基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理,开展了浸没光刻对焦控制统计分析方法研究。根据系统结构分析出一系列误差源,研究了这些误差对总离焦误差的贡献方式及其与总离焦误差的关系。研究结果表明:由于光刻对焦误差中存在非正态分布的误差贡献项,常规正态统计分布使用的3_σ原则就无法满足99.7%的对焦成功率要求;在28,14,7nm技术节点集成电路芯片制造过程中,采用3_σ和4_σ原则得到的浸没光刻工艺总对焦成功率之差分别为28.4%、55.1%、62.9%。为了达到99.7%的对焦成功率,浸没式光刻机对焦控制应采用4_σ原则。 展开更多
关键词 光学设计 浸没光刻 对焦控制 误差 集成电路
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二维原子晶体材料及其范德华异质结构研究进展 被引量：5
10
作者 屠海令 赵鸿滨 +2 位作者 魏峰 张青竹 杜军 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期449-465,共17页
2004年英国曼彻斯特大学Geim研究组成功剥离出石墨烯(graphene)以来,二维原子晶体(two-dimensional atomic crystals)材料获得了极大关注。二维原子晶体材料及其范德华异质结构(van der Waals heterostructures)具有电学、热学、力学、... 2004年英国曼彻斯特大学Geim研究组成功剥离出石墨烯(graphene)以来,二维原子晶体(two-dimensional atomic crystals)材料获得了极大关注。二维原子晶体材料及其范德华异质结构(van der Waals heterostructures)具有电学、热学、力学、化学及光学等方面的众多优异特性,可广泛于电子、催化、储能、生物医学、复合材料等领域。特别是石墨烯,被认为是后摩尔时代的关键材料。二维原子晶体材料除了可制备微电子与光电子器件外,还可能应用到多种新型功能器件。综述了石墨烯(graphene)、二硫化钼(Mo S2)、磷烯(phosphorene)等二维原子晶体材料的合成生长、性能表征与器件制备,并重点讨论了二维原子晶体材料及其范德华异质结在微纳电子领域的研究进展和应用前景。 展开更多
关键词 二维原子晶体 范德华异质结构 功能器件
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全固态高效率射频电源 被引量：5
11
作者 秦威 李勇滔 +4 位作者 李超波 夏洋 李英杰 赵章琰 许晓平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期287-290,共4页
射频电源作为微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD等的核心部件，其性能的好坏直接关系到整个设备的性能。固态射频电源采用E类MOSFET功率放大器，通过适当的阻抗匹配网络，最终的射频电源在500W的额定功率下，功率转换效率可以达到84％... 射频电源作为微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD等的核心部件，其性能的好坏直接关系到整个设备的性能。固态射频电源采用E类MOSFET功率放大器，通过适当的阻抗匹配网络，最终的射频电源在500W的额定功率下，功率转换效率可以达到84％，微电子设备真空腔室内的等离子体启辉时，其阻抗变化范围很大且速度很快。目前匹配速度最快的MKS的自动匹配器（在允许匹配范围内匹配到50Ω时用时3～5S）也很难实时跟上，所以固态射频电源必须能够承受500W功率的反射至少3～5s。经过实验后，本固态射频电源完全可以承受500W功率的全反射308左右。 展开更多
关键词 固态射频电源 E类 阻抗匹配网络 等离子体 全反射
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基于硅材料MOS量子点单自旋量子比特的研究与实现
12
作者 顾杰 殷华湘 +1 位作者 吴振华 张青竹 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期118-137,共20页
量子计算作为未来计算技术发展的一个重要方向,在一些特定领域具有现代计算机无可比拟的强大优势。基于硅材料的金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)量子点自旋量子比特由于拥有较长的相干时间以及与现代集成电路工艺兼容... 量子计算作为未来计算技术发展的一个重要方向,在一些特定领域具有现代计算机无可比拟的强大优势。基于硅材料的金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)量子点自旋量子比特由于拥有较长的相干时间以及与现代集成电路工艺兼容等优势,在近些年来获得了广泛研究,并取得了较大发展,成为了实现通用量子计算重要的候选方案之一。总结了硅MOS量子点单自旋量子比特实现方案,介绍了硅量子点量子计算的研究背景及意义,叙述目前硅MOS量子点单自旋量子比的研究进展,介绍了MOS量子点器件结构、量子点电荷输运理论、量子比特的读出、量子比特的操作、退相干的影响因素与抑制方法以及扩展与集成等方面的内容,最后讨论了硅MOS量子点自旋量子比特在实现通用量子计算方面面临的挑战与未来发展趋势。 展开更多
关键词 硅量子点 量子比特 量子计算 自旋
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纳米光刻调焦调平传感器光电探测系统设计 被引量：4
13
作者 龚士彬 谢冬冬 +1 位作者 武志鹏 宗明成 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2020年第12期6-9,15,共5页
针对光刻机调焦调平传感器的高实时性数据采集的设计需求,设计了一种多通道同步采集的光电探测系统。该系统使用FPGA作为数据处理和逻辑控制核心,实现了21个通道测量数据的实时采集和高速传输,与硅片台位置同步以保证测量数据与被测位... 针对光刻机调焦调平传感器的高实时性数据采集的设计需求,设计了一种多通道同步采集的光电探测系统。该系统使用FPGA作为数据处理和逻辑控制核心,实现了21个通道测量数据的实时采集和高速传输,与硅片台位置同步以保证测量数据与被测位置间的同步性,利用高速差分串行传输和PCIe协议完成数据的高速传输,并由上位机软件保存数据。实验结果证明该系统测量精度好于4 nm,并可稳定采集调焦调平传感器的测量结果。 展开更多
关键词 光刻机 调焦调平 探测系统 同步性 实时数据采集 多通道
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一种非对称结构微流体混合器的设计与分析 被引量：4
14
作者 荣波 李民权 +2 位作者 黄成军 赵超 罗军 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第8期512-517,共6页
微流体混合器可以用于不同流体之间的混合与反应,其与化学传感器结合构成的化学分析测试系统,具有灵敏度高、响应时间短和稳定性好的特点。在微电子机械加工技术的基础上,设计了一种新型的、具有非对称分离重组结构的微流体混合器,并应... 微流体混合器可以用于不同流体之间的混合与反应,其与化学传感器结合构成的化学分析测试系统,具有灵敏度高、响应时间短和稳定性好的特点。在微电子机械加工技术的基础上,设计了一种新型的、具有非对称分离重组结构的微流体混合器,并应用有限元方法建立了仿真模型,讨论了在不同雷诺数（Re=10~80）下,通道几何结构参数对微混合器内的流体流动特性和混合效率的影响。研究结果表明,微流体在该混合器内形成了扩展涡、分离涡和迪恩（Dean）涡,实现了涡系的叠加和强化,加大了流体间的扰动,增加了流体的接触面积,从而大大增强了混合效率。 展开更多
关键词 微流体混合器 非对称分离重组 雷诺数 有限元方法 混合效率
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大高宽比硬X射线波带片制作及聚焦测试 被引量：4
15
作者 李海亮 史丽娜 +2 位作者 牛洁斌 王冠亚 谢常青 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期2803-2809,共7页
为得到同步辐射光源硬X射线波段(>2keV)需要的高宽比高分辨率波带片,本文利用高加速电压(100kV)电子束光刻配合Si3N4镂空薄膜直写来减少背散射的方法,对硬X射线波带片制作技术进行了蒙特卡洛模拟和电子束光刻实验。模拟结果显示:Si_3... 为得到同步辐射光源硬X射线波段(>2keV)需要的高宽比高分辨率波带片,本文利用高加速电压(100kV)电子束光刻配合Si3N4镂空薄膜直写来减少背散射的方法,对硬X射线波带片制作技术进行了蒙特卡洛模拟和电子束光刻实验。模拟结果显示:Si_3N_4镂空薄膜衬底可以有效降低电子在抗蚀剂中传播时的背散射,进而改善高密度大高宽比容易引起的结构倒塌和粘连问题。通过调整电子束的曝光剂量,在500nm厚的镂空Si_3N_4薄膜衬底上制备出最外环宽度为150nm、金吸收体的厚度为1.6μm,高宽比大于10的硬X射线波带片。同时,引入随机支撑点结构,实现了波带片结构自支撑,提高了大高宽比波带片的稳定性。将利用该工艺制作的波带片在北京同步辐射装置X射线成像4W1A束线8keV能量下进行了聚焦测试,得到清晰的聚焦结果。 展开更多
关键词 硬X射线波带片 电子束光刻 大高宽比波带片 电子束光刻 镂空薄膜
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脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究 被引量：3
16
作者 彭明娣 卢维尔 +3 位作者 夏洋 王桐 赵丽莉 李楠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期105-109,共5页
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构... 采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 超导Nb金属薄膜 超导转变温度 超导性能 结晶特性
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先导光刻中的光学邻近效应修正 被引量：4
17
作者 韦亚一 粟雅娟 刘艳松 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第3期186-193,共8页
按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点... 按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等。最后就先导光刻工艺的研发模式(先建立光学和光刻胶模型,再进行"计算光刻"),论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点,即任何光刻工艺参数的变动都会影响到"计算光刻"模型的准确性,需要重新进行修正,以避免原计算可能导致的失败。因此,光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心。 展开更多
关键词 光学邻近效应修正(OPC) 辅助图形 计算光刻 光源和掩模版的优化(SMO) 像素式光照 两次曝光技术
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氧化钇陶瓷涂层的制备及结构研究 被引量：4
18
作者 罗小晨 王文东 +1 位作者 刘邦武 夏洋 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第20期116-118,共3页
用等离子喷涂方法以氩气作为主要工作气体在铝基体上制备了氧化钇涂层;采用X射线衍射、扫描电镜和金相分析技术对涂层的形貌及结构进行了分析。结果表明:氧化钇涂层孔隙率约为5.6%;以氢气为辅助气体制备的涂层表面出现了杂色斑点,而用... 用等离子喷涂方法以氩气作为主要工作气体在铝基体上制备了氧化钇涂层;采用X射线衍射、扫描电镜和金相分析技术对涂层的形貌及结构进行了分析。结果表明:氧化钇涂层孔隙率约为5.6%;以氢气为辅助气体制备的涂层表面出现了杂色斑点,而用氦气作为辅助气体,可以得到纯正白色的氧化钇涂层。同时,使用Ar/H2气体的涂层中存在较明显的单斜相。而Ar/He气体条件则能在一定程度上抑制喷涂过程中的立方相向单斜相转变。 展开更多
关键词 等离子喷涂 氧化钇涂层 还原 相变
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基于ARM虚拟化扩展的安全防护技术 被引量：4
19
作者 李舟军 沈东 +1 位作者 苏晓菁 马金鑫 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第9期2229-2247,共19页
近几年来,随着移动平台用户量的增加,移动平台安全成为安全领域关注的焦点.而ARM的虚拟化扩展,使得如何基于虚拟化技术进行移动平台的安全防护成为一个研究热点.首先,介绍了虚拟化技术的分类以及早期的相关研究;然后给出了ARM虚拟化扩... 近几年来,随着移动平台用户量的增加,移动平台安全成为安全领域关注的焦点.而ARM的虚拟化扩展,使得如何基于虚拟化技术进行移动平台的安全防护成为一个研究热点.首先,介绍了虚拟化技术的分类以及早期的相关研究;然后给出了ARM虚拟化扩展的相关概念,并与x86虚拟化扩展进行了对比;随后,重点介绍了基于硬件辅助虚拟化技术的安全研究现状,主要包括通用的系统框架以及针对特定攻击的安全工具;最后,对基于ARM虚拟化扩展的安全防护技术的发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 ARM 虚拟化 系统安全 移动安全 虚拟机监视器
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衍射光学元件成套制造技术研究进展 被引量：4
20
作者 谢常青 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第15期1815-1827,共13页
从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发... 从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发了精度优于2 nm的复杂图形光刻数据处理体系,提出了混合光刻方法,建立了加法(剥离、电镀)和减法(干法刻蚀、金属辅助化学刻蚀)两种类型、四种图形转移基础方法。实现了从微米尺度到亚10 nm尺度的图形生成,高宽比达12∶1的25 nmAu结构和深宽比达500∶1的30 nmAl_(2)O_(3)纳米管图形转移。在熔石英、多层膜、SiC自支撑薄膜、高面形硅片等衬基上大面积集成制造了多种衍射光学元件,最大面积为142 mm×142 mm,最大自支撑口径达70 mm,最高面形精度PV值达0.03λ,覆盖了可见光到硬X射线波段衍射光学元件的制造需求,能够应用于先进光刻机、同步辐射、激光聚变及X射线天文学中。 展开更多
关键词 衍射光学元件 先进光刻 标准CMOS工艺 GDSII数据处理 图形转移
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