期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Al_xGa_(1-x)As俄歇灵敏度因子的测定
1
作者 陈维德 崔玉德 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期673-677,共5页
利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_(1-x)As样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册... 利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的Al_xGa_(1-x)As样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。 展开更多
关键词 砷铝镓 灵敏度 俄歇电子谱法
原文传递
等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼 被引量：5
2
作者 曾湘波 廖显伯 +8 位作者 王博 刁宏伟 戴松涛 向贤碧 常秀兰 徐艳月 胡志华 郝会颖 孔光临 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期4410-4413,共4页
用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法... 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 。 展开更多
关键词 纳米线 PECVD法 等离子体增强化学气相沉积法 衬底 PN结 掺硼 纳米量级 硼烷 硅源 掺杂
原文传递
低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构 被引量：1
3
作者 王燕 岳瑞峰 +4 位作者 韩和相 廖显伯 王永谦 刁宏伟 孔光临 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期599-603,共5页
利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (～ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激... 利用两种不同激发波长进行 Ram an测量 ,研究了低碳含量 a- Si1 - x Cx∶ H (～ <2 0 at.% )薄膜的结构特征 .采用 6 47.1nm激发时 ,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙 ,因而在样品中具有较大的穿透深度 ;而采用488nm激发时 ,激发光被样品表面强烈吸收 .探测深度的变化造成了两种激发下 Raman谱出现较大的差异 .实验结果表明样品体内存在硅团簇结构 ,样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层 .这两种空间的不均匀性造成了高能激发时 Raman谱的 TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽 .以上结果证明不同激发波长将造成Ram an测量结果的差异 . 展开更多
关键词 Raman测量 化学键结构 a-Si-C:H薄膜
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部